阳极氧化铝模板法制备纳米电子材料

阳极氧化铝模板具有容易制备、成本低、孔道分布均匀等特点,是制备形状高度均匀、有序纳米电子材料的理想无机模板。该模板法制得的金属、半导体和非金属纳米材料具有不同于母材的光、电、磁等特殊性能,在新型电子材料的开发方面具有广阔的应用前景。文中介绍了该模板的阳极氧化工艺、成膜机理以及不同的电解液、氧化电流、电压等因素对模板的纳米孔道生长的影响。分析了纳米材料的直流电沉积和交流电沉积的电化学机理和沉积速率的影响因素。     

基于阳极氧化铝模板的金属纳米孔阵列膜制备

以0.3 mol/L草酸为电解液,在40 V直流电压、0～5℃下采用二步阳极氧化法制备了纳米多孔阳极氧化铝模板。用射频磁控溅射法在阳极氧化铝模板表面制备了金属铝膜。SEM分析结果表明:金属膜复制了阳极氧化铝模板形貌,具有纳米孔有序阵列结构;金属膜的孔径受控于溅射功率和时间,功率30 W下沉积10 min约为68 nm,32 W下10 min约为58 nm,32 W下15 min约为25 nm。     

多孔阳极氧化铝模板的制备

以多孔阳极氧化铝膜为模板制备纳米结构材料具有独特的优越性,得到了广泛的关注。介绍了多孔阳极氧化铝膜的形成机理、结构类型和在草酸溶液中制备多孔氧化铝模板的工艺。在本实验中,使用高纯铝片(99.99%)和0.3 mol/L浓度的草酸,利用电化学二次阳极氧化法制备出多孔阳极氧化铝模板,用SEM对其形貌进行了观测,得到的模板孔径在50～70 nm,孔间距约为100 nm。     

制备工艺对多孔阳极氧化铝模板的影响

以草酸溶液为电解液,采用二次氧化法制备了AAO模板,利用自制的实验装置,制备出了高度有序的多孔AAO模板,利用扫描电子显微镜（SEM）对其形貌进行了表征。分析了阴阳极间距、制备电压以及草酸溶液浓度对制备AAO模板的影响。经对比讨论,得到了制备AAO模板的优化条件为电压40V,草酸浓度0．5mol／L,阴阳极间距3～5cm。制备的AAO模板的纳米孔径约为100nm,纳米孔径排列规则、笔直且互相平行。分析了多孔AAO模板的形成机理。     

超薄阳极氧化铝模版的制备

采用二次阳极氧化铝的方法制备出厚度仅为509 nm超薄多孔阳极氧化铝模版,氧化铝模版上孔洞大小均匀.呈完美的六角分布,孔径为35 nm左右,孔间距约为100 nm.成功地将多孔阳极氧化铝模版转移到硅衬底上,并在磷酸溶液中通孔,使薄膜上小孔双向贯通.可以十分方便的利用该模版合成纳米点、纳米柱等纳米结构.     

阳极氧化铝模板应用研究新进展

论述了AAO模板以其独特的六角有序纳米结构,组装1-D材料取得的成功,指出目前关注重点为AAO的应用研究.指出由于AAO模板易脆、存在绝缘阻挡层等缺点,其应用研究进展不大.阐述了为克服上述困难,将AAO模板转移到Si衬底或玻璃衬底上的可行性.分析表明,目前AAO模板的应用研究主要集中在发光器件和存储器件上,其他研究报导还很少.对近年来人们利用AAO模板开展应用研究方面的进展做了回顾和评述以其进一步加快AAO模板的应用.     

制备工艺对多孔阳极氧化铝模板的影响

以草酸溶液为电解液,采用二次氧化法制备了AAO模板,利用自制的实验装置,制备出了高度有序的多孔AAO模板,利用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行了表征。分析了阴阳极间距、制备电压以及草酸溶液浓度对制备AAO模板的影响。经对比讨论,得到了制备AAO模板的优化条件为电压40V,草酸浓度0.5mol/L,阴阳极间距3～5cm。制备的AAO模板的纳米孔径约为100nm,纳米孔径排列规则、笔直且互相平行。分析了多孔AAO模板的形成机理。     

纳米结构材料及其技术在太阳能电池中的应用和发展现状

太阳能电池的发展和利用离不开太阳能电池材料和技术的发展,文中对纳米结构材料及其技术在太阳能电池和太阳能光电转化技术中的应用和发展现状做了简要综述。介绍了多元化合物太阳电池纳米材料、染料敏化太阳电池纳米材料和有机聚合物太阳电池结构纳米材料的研究现状和技术创新,并指出其发展趋势。     

表面阳极氧化铝结构对ZnO薄膜探测器的响应增强

通过在ZnO外延薄膜上淀积一层Al薄膜,并利用Al膜叉指型光刻胶图案为掩模,可以选择性地将叉指间无光刻胶区域下的Al膜阳极氧化,在ZnO表面形成氧化铝微纳结构,而在光刻胶掩模下未被阳极氧化的Al膜便成为ZnO紫外光电导探测器的叉指电极.用此法制备的非周期性氧化铝结构具有相近的孔大小和间距,形成可以在平面内全方位大角度衍射的光栅矢量.入射光可以被ZnO有阳极氧化铝结构的探测器比无此结构的器件在同等条件下的光响应度提高到了1.8倍.     

AAO模板合成低维有序纳米结构材料的研究进展

阳极氧化铝(AAO)模板因其独特的结构成为合成纳米线、纳米管等低维有序纳米材料的重要工具。综述了阳极氧化铝(AAO)模板的制备及其采用各种沉积方式合成低维有序纳米结构材料的最新研究进展,包括电化学沉积、化学气相沉积、sol–gel法和化学镀,指出了目前研究中需要解决的关键问题。     

Laser Assisted Fabrication of Surface Oxide Nanostructures for Photovoltaic Applications

Semiconductors - The paper discusses the application of laser-assisted processes for synthesis of oxides nanoparticles (NPs) and their assembling into the nanostructured thin films. The study of...     

GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备

在草酸溶液中对GaN基板上超薄Al膜进行阳极氧化,结合扫描电镜对阳极氧化铝形貌进行表征,系统研究了超薄Al膜的腐蚀条件和氧化过程,以及Al膜的厚度,反应变化时间和实验难度系数之间的关系。多孔状阳极氧化铝的孔径、分布及有序度等对氧化电压、氧化时间、电解液温度和溶液浓度等参数较为敏感。通过深层次的机理分析,给出了相应的合理解释。在此基础上,优化了超薄阳极氧化铝的制备参数,提升了实验的稳定性及重复性,促进了阳极氧化铝在GaN材料和器件中的应用。     

多孔氧化铝模板制备ZnS:Mn纳米晶及其形成机制

采用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝(AAO)模板.利用此AAO模板,采用电化学沉积的方法制备了ZnS:Mn纳米晶.对AAO模板进行了扫描电子显微镜(SEM)测试.结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致.对ZnS:Mn纳米晶进行了SEM测试和荧光光谱(PL)测试,SEM测试结果表明,在AAO模板上沉积了一层ZnS:Mn纳米晶,PL谱结果显示Mn离子成功地掺杂进ZnS.从电负性角度讨论了ZnS:Mn纳米晶的形成机制.     

表面安装技术及其在光电子器件中的应用

表面安装技术(SMT)近年来得以广泛应用,功绩卓著。本文叙述了SMT的工艺流程、系统装置以及目前的发展状况,并着重介绍了超表面安装技术(ASMT)及其在光电子器件中的应用。     

金属键合技术及其在光电器件中的应用

系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用.金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论述了该技术在光电器件特别是垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构制作中的应用.金属键合可以实现衬底倒扣和改善器件热学性能,而对器件原有的光学性质影响不大.     

Suspended Spiral Inductor and Band-Pass Filter on Thick Anodized Aluminum Oxide

We make suspended inductors and 2.45 GHz BPFs on the selectively anodized aluminum. The thick anodized alumina is used as the supporting dielectric and it is easily removed by using chemical wet-etching. The thickness of anodized alumina is 80 mum and the depth of the total air-cavity is 200 mum. The fabricated inductor over an air cavity has a 25% greater Q factor and 21% higher inductance at 2 GHz compared to an inductor on anodized aluminum. The 2.45 GHz BPF adjusting the suspended inductors has 2.8 dB of insertion loss with a narrow bandwidth.     

石墨烯异质结及其光电器件的研究进展

石墨烯是具有高迁移率、高热导率、高比表面积、高透过率及良好的机械强度等特性的二维材料,在光电子器件领域被广泛用作透明电极及电荷传输层等。但由于石墨烯是零带隙材料,为半金属性,限制了其在半导体光电子器件领域的应用。为更加切合半导体产业应用的要求,构建异质结已经成为相关领域实现应用的重要途径。国际上已有较多团队开展了石墨烯异质结相关研究,目前已有较多报道。本文从石墨烯的性质出发,讲述了石墨烯异质结的发展历程,制备方法,并从材料制备与器件结构的角度总结了基于石墨烯异质结光电子器件的研究进展。最后,对石墨烯异质结在光电子器件领域的发展进行了展望。     

磁电子器件及其应用

介绍磁电子器件的研制及应用动向，具体说明自旋阀-巨磁电阻磁头，磁传感器，磁随机存取存储器和量子化磁盘等器件的结构，工作原理及其应用，展望磁电子顺件未来的发展。