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本文叙述了将Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.205)放在0.1MKOH甲醇溶液、90%乙二醇和10%具有PH值为6—10的缓冲水溶液中,阳极氧化形成氧化物。介绍了阳极氧化薄膜的光学性质:如折射率和带隙;电学性质:如室温和77K下的介电常数,比电阻率;化学性质:在各种溶剂中的反应能力。这些性质表明:自身氧化物的主要成分是TeO_2。 相似文献
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以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构.由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数,GaN基金属-铁电体-半导体(MFS)结构的电容-电压特性与其他GaN基MIS结构相比较得到了显著的提高.GaN基MFS结构中GaN激活层达到反型时的偏压小于5V,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致,而且结果表明GaN层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级.因此,GaN基MFS结构对于GaN基场效应晶体管的实际应用具有重要的意义. 相似文献
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以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构.由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数,GaN基金属-铁电体-半导体(MFS)结构的电容-电压特性与其他GaN基MIS结构相比较得到了显著的提高.GaN基MFS结构中GaN激活层达到反型时的偏压小于5V,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致,而且结果表明GaN层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级.因此,GaN基MFS结构对于GaN基场效应晶体管的实际应用具有重要的意义. 相似文献
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改性PZT95/5材料的介电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
根据同化合价,不同离子半径;相近离子半径,不同化合价的原则选择氧化物对PZT95/5(PbZr0.95Ti0.05O3)进行分别掺杂,研究了碱金属族、碱土金属族氧化物,及Fe、Si、Nb、W等的氧化物掺杂对PZT95/5材料的介电常数、介电损耗的影响。研究发现一价、二价金属离子的掺杂除Mg外都使得材料的介电常数、介质损耗有不同程度的下降,一价掺杂使得介电常数随掺杂物离子半径增大而减小,二价掺杂随离子半径的增大使得介电常数有增大的趋势。高价金属离子如Fe3+、Si4+、Nb5+等的掺杂使得材料具有比一价、二价掺杂更高的介电常数和损耗。 相似文献
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采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数k栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响.透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量,改善栅极漏电流特性,从而得到最优的器件性能,即Al/HfTiO/n-Ge MOS电容的栅介质等效氧化物厚0.81 nm,k=34.5,带隙中央界面态密度为2.4×1011cm-2·eV-1,1 V栅偏压下的栅极漏电流为2.71×10-4A·cm-2. 相似文献
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新近研制出一种Pr-Mn氧化物黑色介电材料,可用在高对比度和低驱动电压的电致发光显示屏上。Pr-Mn氧化膜的化学相为PrMnO_3。Pr-Mn氧化物薄膜的500nm波长时的光吸收系数大于10~5cm~(-1),电阻大于18~8Ωcm, 10kHz时的介电常数约为200-300。 相似文献
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在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应在1~8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析. 相似文献