高频VVMOS功率晶体管及应用

本文简单介绍了高频VVMOS功率器件结构、性能方面的主要优点.并对该器件应用方向提出看法.指出此类器件比双极型器件优越所在.最后以VVMOS器件应用到步进马达驱动电路的实例说明了问题.但只是管中窥豹只见一斑.     

关于V形槽的刻蚀技术和VVMOS晶体管的“栅穿”控制

VVMOSFET是一种新型的场效应器件。它具有高输入阻抗、高电流增益、高开关速度、无二次击穿等一系列优点。国内外的工作已经表明:在高频大功率,特别是高速大电流的应用场合,VVMOSFET比双极型器件具有更大的优越性。 本文结合400MHz、2.5W 的VVMOS高频高速功率晶体管的研制工作,对V形槽的刻蚀技术和“栅穿”控制这两个关键工艺作探讨。     

东芝面向超低功率MCU开发隧穿场效应晶体管

正东芝面向超低功率微控制器(MCU)开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管(TFET)。该工作原理已经被应用到使用CMOS平台兼容工艺的两种不同的TFET开发中。通过将每种TFET应用到一些电路块中,可实现大幅降低MCU的功耗。9月9日和10日,东芝在日本筑波举办的2014年固态元件与材料(SSDM)     

新型无负阻击穿双栅型高压NMOS集成器件

本文讨论了高压NMOS集成器件中负阻击穿观象的机理。给出了发生负阻击穿的判定条件,建立了模型。 采用与目前国际上先进的主流工艺——n阱硅栅等平面CMOS工艺完全兼容的工艺流程,且无需增加任何工艺步骤,研制成一种新型的无负阻击穿的双栅型高压NMCS器件。在栅压为0～10V时,其漏源击穿电压大于300V,最大饱和电流大于0.3mA/单位宽长比(栅压为10V时),导通电阻为44kΩ·单位宽长比(栅压为10V时),具有广泛的应用价值。     

组合功率晶体管

贝尔电话实验室采用同样功率的市售功率管做出增益带宽乘积提高300％的组合器件,可望应用于远距离微波通讯的放大级或高速数据传输终端。此技术是将几十个小功率晶体管、电阻器及其他电路元件组合在一起,得到一高增益的     

微波功率晶体管

具有从1千兆赫、20瓦到3千兆赫、5瓦水平的微波功率晶体管已在市场出售。已经作出了具有宽带匹配网络的晶体管管壳,使功率放大器的带宽达到了数百兆赫。解决了一些可靠性问题,例如,热斑的形成,功率的不均匀和金属徒动等等。     

塑封功率晶体管

所谓塑封晶体管是相对于金属或陶瓷等外壳封装半导体器件而言的。它采用某种稳定的可塑性材料,如硅酮、环氧、改性环氧、聚酯、酚醛等多种树脂或聚丁烯材料做器件的外包封。而功率晶体管因为其工作电流大,耗散功率大,以往多采用金属壳封     

隧穿晶体管研究进展

随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重。隧穿晶体管是一种基于载流子的隧道效应工作的器件,可以在室温下实现小于60 mV/dec的亚阈值摆幅,具有很好的低功耗应用前景。但常规的隧穿晶体管导通电流比较小,而且具有双极特性。首先介绍了隧穿晶体管的结构和工作原理。其次,针对常规隧穿晶体管问题,综述了国内外研究进展,包括Ge材料隧穿晶体管、纳米线隧穿晶体管等。最后介绍了一种基于隧穿介质层的新型隧穿晶体管,器件仿真结果表明这种新型器件可以有效抑制双极特性。     

晶体管负阻抗增音机

负阻抗增音机电路简单,成本低廉,制造方便,使用灵活,应用在市内电话网内,用以降低传输衰减、有一定的效果。晶体管负阻抗增音机耗电少,寿命长,维护费用也少,加以它的体积小,没有散热问题,可以密封装设于户外,而且便于遥供电源。它的优点不是电子管负阻抗增音机所可比拟的。     

双势垒隧道发光结Ⅰ-Ⅴ特性中的负阻现象

制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理,对结I-V特性中负阻现象的产生及其与表面等离极化激元激发发光的关系进行了研究。     

原子和分子结构对电子阻止本领Se(E)的Z振荡的影响

本文在Firsov理论基础上,引入Slater波函数等概念,解释了原子结构对Se(E)的Z振荡的影响。它不仅能解释常规能量范围内(101000keV)的轻元素靶和重元素靶的Z振荡行为,而且能解释更高的能量范围内(10100MeV)Z振荡行为。本文引用了分子轨道法理论来处理分子靶问题,导出了分子结构对Se(E)的Z振荡影响的方程式,使能处理相当宽的能量范围内的分子靶的Se(E)的Z振荡问题。应用本文方法所得结果与Z1C和Li+Z2靶的Z1(或Z2)振荡的实验结果进行了比较,同时还与在较高能量范围的S+Na和F+Ag系统的实验结果作了比较,都得到了满意的结果,说明本文提出的方法是令人满意的。     

微波气体击穿过程的模拟计算

本文利用流体模型,将无外加恒定磁场的等离子体当作各项同性的有耗媒质,求得圆柱腔结构中的微波场分布。耦合电子、离子运动的流体方程,对微波等离子体的初始形成过程进行了数值模拟计算。结果表明,在电离的初始阶段,电子、离子密度分布与场分布同步。同时,存在一关键电子密度。超过此密度后,微波场在表面快速衰减,气体电离主要在表面进行。     

频率负阻效应与复合振荡器

本文利用转动变换推导出五种典型放大电路的负阻条件;利用负阻效应特有的复合振荡现象取得了扩展振荡频带、增强振幅的效果;从而表明,在反馈振荡器与负阻振荡器之间存在可供实用的第三种振荡形式。     

七级偏转象差中的Trilemma效应

Trilemma效应是偏转系统实现自会聚的一个重要判据,对高级偏转象差的校正,需要考虑高阶Trilemma效应的影响,本文从多极场偏转象差校正理论出发,应用区域分割的方法,对直至七阶的Trilemma效应进行了分析,给出了各阶Trilemma常数的表达式,其中七阶Trilemma常数可以作为大偏转角偏转象差校正的判据。     

离子注入在Power MosFET中的应用

本文结合笔者的科研,论述了离子注入在Power MOS FET制作中的应用,并指出:由于离子注入较之扩散具有一系列优点,因此,离子注入不仅在制作Power MOS FET中作用巨大,而且在其他功率器件中的应用也将越来越广泛。     

负偏压对M0衬底上生长金刚石膜的影响

研究用热灯丝化学气相沉积（ＨＦＣＶＤ）法在Ｍ０衬底上生长多晶金刚石膜。实验研究表明，负偏压对金刚石膜生长的影响十分显著，这是负偏压极大地影响了金刚石的核密度引起的，研究表明，来自金刚石的发射电子对气体分子的撞击，加速了ＣＨ４、Ｈ２分子离化，在衬底表面附近形成了一等离子体区，使Ｍ０衬底上金刚石的核密度可达１０９ｃｍ－２     

磁性液体复合体的磁光效应

制备了含强磁性Ｆｅ３Ｏ４的纯磁性液体胶体和掺入聚苯乙烯小球的磁性液体复合胶体样品,系统测量了样品的双折射效应的线二向色性,并对测量结果进行了比较分析,认为磁性液体复合体非磁性小球的不同排列影响了它的磁光特性。     

衰落环境中功率控制对W-CDMA系统性能的影响

功率控制是码分多址(CDMA)移动通信系统中克服远近效应问题,减小小区间干扰,提高系统容量的有效方法,同时。功率控制可以使W-CDMA系统中的不同业务达到不同的服务质量要求。但在衰落环境中,功率控制很难做到完善。在这篇文章中,作者模拟了W-CDMA系统在衰落环境中功率控制步长的选取对功率控制补偿无线信道衰落的影响,分析了功率控制对W-CDMA系统性能的影响,给出了数字计算结果,这些结果有利于进行W-CDMA系统设计。