基于衬底驱动技术的0.8 V三阶椭圆 OTA-C滤波器

基于衬底驱动MOS技术,设计了一种0.8 V高性能全差分CMOS跨导运算放大器(OTA)。在互补输入差分对的衬底端施加信号,避开MOSFET阈值电压的限制,以达到超低压应用。在0.8 V的电源电压下,其直流开环增益为73.8 dB,单位增益带宽为16.4 MHz。基于该OTA,采用无源网络模拟法,设计实现了截止频率为5 MHz,通带波纹为0.5 dB的三阶椭圆OTA-C滤波器。仿真结果表明了所设计滤波器的正确性。     

一种高增益高功耗效率全差分运算跨导放大器

基于一种新型低压降、高输出电阻镜像电流源,设计了一种高增益、高功耗效率全差分运算跨导放大器(OTA)。该OTA基于0.18 μm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V。在保证1.8VPP差分输出电压摆幅的前提下,获得了较高的直流电压增益。采用NMOS管差分对作为输入的套筒式结构。结果表明,在2.3 mA偏置电流、2 pF负载电容下,该OTA具有119 dB的开环直流增益、526 MHz的增益带宽积和高达77°的相位裕度。额外加入增益提高技术后,该OTA的开环直流增益可提高到153 dB。     

衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计

讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性，并对其低压特性进行了分析和仿真．基于PMOS衬底驱动技术，设计实现了超低压运算放大器．在0.8V电源电压下，运算放大器的直流开环增益为74dB，相位裕度为66°，失调电压为940μV，输出电压范围为110～798mV．     

一种基于衬底驱动MOS技术的超低压运算放大器

设计了一种工作于 0 .8V电源电压下与标准 CMOS工艺兼容的超低压运算放大器 ,对其电路结构和原理进行了分析。该放大器基于衬底驱动技术 ,采用衬底驱动 PMOS差分对作为输入级实现了 74d B的直流开环增益 ,66°的相位裕度 ,940μV的失调电压和 1 1 0～ 798m V的输出电压范围     

衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计

讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性,并对其低压特性进行了分析和仿真.基于PMOS衬底驱动技术,设计实现了超低压运算放大器.在0.8V电源电压下,运算放大器的直流开环增益为74dB,相位裕度为66°,失调电压为940μV,输出电压范围为110～798mV.     

一种低电压低功耗Class-AB运算跨导放大器

提出了一种新型Class-AB全差分运算跨导放大器(OTA).该OTA基于一种结构简单的电压缓冲器,在大信号非线性工作时,能够输出不受静态偏置电流限制的瞬态电流,提高了摆率和建立速度;同时,该结构还能够增强直流增益、增益带宽积等小信号特性,适合于低功耗开关电容电路的应用.另外,该OTA结构简单,适合于低电压工作.采用0.18μm CMOS工艺进行仿真,结果表明,该OTA结构能够在1V电源电压下工作.     

低电压低功耗密勒OTA仿真设计

设计了一种电源电压低于阈值电压的低电压、低功耗、输入/输出全摆幅的密勒运算跨导放大器(OTA),采用衬底驱动差分对和直流电平偏移技术,使MOS器件工作在亚闲值区,降低了对电源电压VDD的要求,且输入/输出摆幅也能实现轨对轨.采用台积电(TSMC)0.35 μm标准n阱CMOS工艺BSIM3V3模型对此OTA进行了HSPICE仿真实验.结果表明,当VDD为600mV时开环增益A0为70.4 dB,不但此OTA输入/输出摆幅轨对轨,而且其功耗PD只有420 nW,从而实现了低压低耗的设计目标,可用于便携式产品的电子电路设计中.     

一种0.8V 2.4μA CMOS全差分放大器

基于0.25μm标准CMOS工艺,采用0.8V开关电容共模反馈电路技术和PMOS衬底驱动技术提出了一种新型0.8V 2.4μA全差分放大器.在0.8V单电源电压下,全差分放大器的直流开环增益为63.8dB,相位裕度为60度,单位增益带宽为7.4MHz,输出电压范围为18～791mV,其中新型模拟开关的输入/输出电压范围为0～800mV,整个放大器的电源电流为2.4μA,版图面积为410×360μm2.     

一种基于衬底驱动的亚1V轨至轨运放设计

基于衬底驱动技术,本文设计了一种亚1V Rail-to-Rail运算放大器.在差分对衬底端加信号避开低压环境MOS管阈值电压限制,运用局部正反馈技术来增加增益和带宽.在0.8 V电源电压,18pf的电容负载下用Hspice仿真,结果表明:直流增益达74.1 dB,相位裕度为62o,单位增益带宽为4.56 MHz,输出范围达2.72～782.17 mV,失调电压仅为12 μV,功耗为144.2 μW.     

一种高压运算放大器的设计

基于混合集成电路工艺,采用氧化铍衬底厚膜电路、陶瓷电容和半导体芯片,设计了一种高压运算放大器。采用ORCAD进行仿真,结果表明,该运放的供电电压为±15~±150 V,输出电流为75 mA,直流电压增益为95 dB,转换速率为57 V/μs,静态电流6 mA,单位增益带宽3 MHz。该运放可被广泛用于马达控制系统、压电传感器以及打印机驱动等领域,实现了高压运算放大器的国产化。