流延法在Si3N4块体及Si3N4/BN层状材料制备中的应用

本采用流延法制备了Si3N4块体及Si3N4/BN层状材料,流延法已经在陶瓷的制备工艺中得到了广泛的应用,但是很少用于Si3N4体系,尤其是水基流延法。用流法制备Si3N4/BN层状材料时,可以较为容易地控制坯片的厚度,得到性能稳定的层状材料。     

（Ba1—xSrx）TiO3半导体陶瓷的Raman光谱研究

在25—160℃温度范围内研究了(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3(x=0,0.1,0.2)半导体陶瓷的Raman光谱,并对室温时的Raman散射峰的归属进行了分析。实验结果表明所有样品的顺电相(Curie点以上)和铁电相(Curie点以下)的Raman光谱明显不同,铁电相变属于位移型。     

Si3N4—TiN／BN层状陶瓷材料阻力曲线及其增韧机制的研究

通过压痕小裂纹直接量测法获得Si3N4-TiN/BN层状复合材料的阻力曲线,并采用指数经验公式拟合处理了实验数据,5解释了各拟合参数的物理意义。对层状复合材料阻力曲线所具有的独特的台阶状进行了分析,并对层状复合材料具有高韧性的机理作了深入的研究。结果表明弱间层的层状结构具有明显的增韧效果。这是由于弱间层的存在将出现裂纹偏转现象,吸收大量的断裂功,从而大幅度提高了裂纹的扩展容限,使断裂韧性有较大增长。     

Sintering Manufacture Process Research on Special Ceramics Fe—Si3N4 Bonded SiC

By the method of TG-DSC (thermo gravimetric analysis-differential scanning calorimeter), the chemical reactions of Fe-Si3N4 bonded SiC during the sintering process in nitriding furnace have been studied. Analyses have been conducted on the reason of disintegration of specimens when ferro-silicon was added greater than 15% and on the method to reduce damage. The result indicated that there are mainly three important reactions occurred during the nitriding process of samples, they are: the oxidation of carbon, the melting of ferro-silicon and the nitriding of feero-silicon. Controlling the balance of partial pressure of N2 and slowing down the rate of temperature rising can reduce the disintegration of samples.     

原始Si3N4粉末类型和烧结条件对α-赛隆陶瓷颗粒形态的影响

采用α-Si3N4或混合的β/α-Si3N4原始粉末，借助于气体压力烧结可使掺入Y－Ce的富氮多倍阳离子α-SiAlON(赛隆）陶瓷致密化。用不同的烧结周期可以研究α-SiAlON成核和长大机理的作用。烧结后的X射线衍射表明，除α-SiAlON基质相外，还有21R多种类型相。在原始组份中采用α-Si3N4粉末制备的烧结材料的显微结构特性表明，如所预料的，如果颗粒长大前未应用α-SiAlON成核过程，则呈现典型的等轴颗粒形态。然而，如果在最终烧结前进行成核，则可观察到针状α-SiAlON颗粒。在含有混合β/α-Si3N4的原始粉末中，也观察到针状颗粒形态。讨论了不同的Si3N4原始粉末和烧结条件对颗粒形态和机械性能的影响。     

β-Si3N4晶种对Si3N4陶瓷力学性能和显微结构的影响

采用无压烧结工艺制备了长柱状β-Si3N4品种.研究了晶种尺寸对Si3N4陶瓷力学性能和显微结构的影响.结果表明:在1750℃通过控制保温时间(1h、1.5h和2h)可获得不同尺寸的长柱状β-Si3N4晶种.Si3N4陶瓷加入晶种后,其相对密度和抗弯强度虽略有降低,但断裂韧性得到大幅提高.平均长度为4.51μm,长径比为5.71的品种对Si3N4陶瓷的增韧效果最佳;且随着其添加量的增加,Si3N4陶瓷的断裂韧性先升高再降低,当掺量为2wt％时断裂韧性达到最高(提高了20％以上).显微结构分析表明,Si3N4陶瓷断裂韧性的提高,与因晶种加入而导致的Si3N4晶粒长径比和大长柱状晶粒含量的增加有关.     

Si3N4-MgO-CeO2陶瓷烧结中的致密化与自动析晶

用等离子放电烧结的方法制备了Si3N4-MgO-CeO2陶瓷，用排水法测定了密度，用X射线衍射的方法测定了物相变化。发现在烧结过程中，高于l450℃时,MgO-CeO2就会与氮化硅粉末表面的SiO2反应形成硅酸盐液相，促进烧结致密化，冷却后形成玻璃相留在晶界，氮化硅的致密化在l500℃接近完成。但高于l550℃烧结，MgO反而会析晶，提高氮化硅陶瓷的高温性能。     

影响Si3N4结合SiC制品烧结的各因素及机制

探讨了各因素如SiC尺寸及数量、原料颗粒级配，硅粉添加量，添加剂，氮气纯度及最终反应温度对反应烧结Si3N4结合SiC制品性能的影响及其作用机理。     

Si3N4-SiC材料的氧化性能研究

通过对不同Si3N4含量、不同温度下Si3N4-SiC材料的氧化实验,分析氧化后的氧化增重率,得出Si3N4含量越高,材料氧化越严重;氧化温度越高,材料氧化越严重;且氧化增重率与氧化时间呈直线-抛物线规律。     

Si3N4陶瓷材料的高温氧化理论及其抗氧化研究现状

从热力学、动力学和整体控速过程探讨了氮化硅陶瓷材料高温氧化理论和氧化性质，阐述了表面改性技术对氮化硅抗氧化性能的影响．并对表面改性提高氮化硅抗氧化性能进行了展望。     

无压烧结Al2O3/Si3N4纳米复合陶瓷的力学性能

本文对Al2O3／Si3N4体系进行无压烧结。获得试样相对密度大于98％，采用物相分析，烧结体中并没有Si3N4颗粒存在而是形成SIALON相。Si3N4和Al2O3反应生成的β-SIALON相颗粒不仅分布在Al2O3晶粒晶界处也存在于Al2O3晶粒内部，形成独特的“内晶型”结构。当受到外力时既能诱发穿晶断裂，又能引起裂纹偏转，从而起到增强的作用。由于产生晶界滑移，韧性有所下降。     

高性能透波Si3N4-BN基陶瓷复合材料的研究

采用气氛压力烧结工艺(GPS)研制出了高性能透波Si3N4-BN基陶瓷复合材料.研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律,分析了该材料的显微结构特点.实验结果表明:含有30%BN的Si3N4-BN复合材料,其室温抗弯强度(σRT)为160MPa,弹性模量(E)为99GPa,介电常数(ε)为4.0左右.     

改性Si3N4陶瓷纳米粉体在丁腈橡胶中的应用

本文研究了改性纳米氮化硅(Si3N4)陶瓷粉体在丁腈橡胶(NBR)油封中的应用性能。纳米氮化硅陶瓷粉体具有耐高温、化学稳定性好、耐磨损、导热性能好等优点,但纳米氮化硅粉体具有高的表面能,一     

Si3N4陶瓷常压烧结研究进展

论述了Si3N4陶瓷常压烧结过程中助烧剂的选择，烧结机理和高温性能改善方面的研究进展。     

Si3N4含量对Si3N4-SiC材料腐蚀性能的影响

利用Si3N4—SiC材料在冰晶石静态融盐电解质中的腐蚀实验研究材料的腐蚀性能,对腐蚀增重率进行记录分析,Si3N4的含量是影响材料腐蚀性能的重要因素,根据实验测定得出Si3N4的含量越高,Si3N4-SiC材料腐蚀程度越严重。     

Si加入量对Si3N4-SiC复合材料性能的影响

固定其他组分配比不变，仅改变配方中Si粉加入量即Si粉从10％增加到60％，经过准静态氮化法反应烧结制得Si3N4－SiC复合材料，并对其进行力学性能、XRD和SEM检测，实验结果显示：随着Si加入量的增加，复合材料的强度逐渐增大，而密度却呈现减小趋势，生成的Si3N4-中β-Si3N4含量增加，形成的网络结构的致密度也相应增大，但β－Si3N4晶粒减小。     

采用Si粉发泡氮化制备Si3N4纤维材料的抗氧化性研究

采用发泡法将气孔引入Si坯体,使体积分别增加0、1、2、3倍,经原位氮化制备出显气孔率分别为49％、74％、81％和87％的Si3N4纤维材料,研究了氧化温度(1150、1350和1550℃)和显气孔率对Si3N4纤维材料抗氧化性的影响.结果表明:1)温度是影响Si3 N4纤维材料抗氧化性的关键因素,随温度升高试样氧化...