化学亚胺化聚酰亚胺的制备及其应用研究

以4,4'-二氨基二苯醚(ODA)、2,2一双[3,5-二甲基-4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(TBAPP)为二胺单体,分别与二苯甲酮四酸二酐(BTDA)和二苯醚四酸二酐(ODPA)聚合,制备了一系列聚酰胺酸(PAA),并以乙酸酐/吡啶为脱水剂,对PAA进行化学亚胺化,得到聚酰亚胺(PI).探讨了化学亚胺化条件,通过红外光谱(FTIR)、特性粘度([η])、示差量热扫描(DSC)及热重分析(TGA)对PI进行了表征,并对其在两层法挠性覆铜板(2L-FCCL)上的应用作了一些研究.     

均苯型聚酰亚胺绝缘漆亚胺化工艺及其对材料性能影响的研究

采用红外光谱图中的725cm^-1特征波数计算了均苯型聚酰亚胺绝缘漆在不同亚胺化工艺下的亚胺化率，结果表明温度是控制聚酰亚胺漆膜亚胺化率大小的关键因素，而且亚胺化程度越高，其机械性能越好，但其电气强度在300℃亚胺化温度时开始出现下降的趋势。     

催化剂对部分化学亚胺化法制备聚酰亚胺薄膜的影响

以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4′-二氨基二苯醚(ODA)为单体,通过部分化学亚胺化法制备聚酰亚胺薄膜,研究了不同催化剂(三乙醇胺、三乙胺、3-甲基吡啶、吡啶和异喹啉)对化学亚胺化反应速率及聚酰亚胺薄膜性能的影响。结果表明:催化剂的不同导致化学亚胺化反应速率差异很大,且由不同催化剂制得的聚酰亚胺薄膜力学性能和耐热性具有较大差别,其中由3-甲基吡啶、吡啶和异喹啉催化剂制得的聚酰亚胺薄膜力学性能和耐热性能较好。     

马来酰亚胺侧基聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

利用2,2-双[4-(2,4-二氨基苯氧基)苯基]丙烷(BDAPPP)单体、马来酸酐(MA)、4,4’-二氨基二苯醚( 44ODA)及3,3’,4,4’-四羧酸联苯二酐(BPDA)合成制得马来酰胺酸侧基的聚酰胺酸树脂(MPAA)溶液,经涂膜,热亚胺化,得到坚韧透明的马来酰亚胺侧基聚酰亚胺薄膜(MPI),并对其性能进行研...     

双峰分布超细聚酰亚胺粉末的制备

为使聚酰亚胺(PI)材料可以使用选择性激光烧结(SLS)技术进行快速成型,根据SLS成型技术的耗材要求,以二苯醚四甲酸二酐(ODPA)、4,4′-二氨基二苯醚(ODA)为单体,设计并制备了醚酐型聚酰胺酸(PAA),使用溶液沉淀法制备出PI模塑粉,并通过两种亚胺化机理相配合的工艺调节模塑粉的粒径。对制得的产物进行了红外光谱分析、微观形貌分析、粒度分析以及热学性能分析。结果表明:PI模塑粉亚胺化完全,表面形貌近似球形或半球形,粒径分布集中于2μm以下或在2μm以下及30～40μm区间双峰分布,同时在350～360℃可熔融,完全可应用于SLS成型技术。     

纳米杂化聚酰亚胺薄膜制备方法的研究进展

概述了纳米杂化聚酰亚胺薄膜的主要特点,分别介绍了采用共混法、溶胶-凝胶法、原位聚合法和插层复合法等方法制备PI薄膜的方法及其性能,分析了各种改性技术存在的问题,并对纳米杂化PI薄膜的发展趋势进行了展望.     

纳米氧化铝杂化聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

由铝的纳米氧化物溶胶制得纳米氧化铝杂化的聚酰亚胺(PI)薄膜。对PI薄膜的耐电晕性进行了测试,结果表明氧化铝质量百分数为23%的PI薄膜在棒板电极系统、气隙间距0.1 mm、50 Hz、90 MV/m条件下耐电晕时间达120 h以上,比纯PI薄膜提高30倍以上;使用介电谱仪测试其介电常数和介质损耗;采用FTIR、SEM分别表征了杂化PI薄膜与纯PI薄膜的化学结构和表面形貌。     

化学亚胺化在二层法单面挠性覆铜板中的应用

对化学亚胺化在涂布法二层FCCL中的应用进行了研究。分析结果发现,以醋酸酐为脱水剂,三乙胺或吡啶为促进剂,对聚酰胺酸溶液先进行部分化学亚胺化,再进行高温亚胺化,可以改善两层FCCL蚀刻后的卷曲现象,且涂布时的温度和残留溶剂量对尺寸稳定性没有影响,采用较高温度进行涂布可以提高生产效率。     

无色透明聚酰亚胺-二氧化硅纳米复合薄膜的制备与性能

采用1S,2R,4S,5R-氢化均苯四甲酸二酐(H-PMDA)与含氟芳香族二胺2,2′-双(三氟甲基)联苯二胺(TFMB)通过一步高温溶液缩聚法制备了TFCPI半脂环族聚酰亚胺树脂及相应的无色透明聚酰亚胺薄膜TFCPI-0。采用TFCPI树脂基体,通过机械共混法与胶体纳米二氧化硅(SiO₂)/N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)分散液进行复合,制备了一系列不同SiO₂含量的无色透明聚酰亚胺复合薄膜。结果表明：当纳米SiO₂在复合薄膜中的质量分数为25%时,制备的TFCPI-25复合薄膜在450 nm波长处的透光率(T₄₅₀)与黄度指数(b^*)分别为87.8%与1.56,较TFCPI-0薄膜仅略有下降(T₄₅₀=88.5%,b^*=0.91)。TFCPI-25复合薄膜在氮气中的5%失重温度(T_5%)和玻璃化转变温度(T_g)与TFCPI-0薄膜处于同一水平。但TFCPI-25复合薄膜在50℃时的储能模...     

聚酰亚胺薄膜在大型低温超导磁体中的应用

论文主要介绍聚酰亚胺薄膜在大型低温超导磁体中的作用 ,以及在大型低温超导磁体中的粘接性能及其提高方法     

本征深色聚酰亚胺薄膜的制备与性能

针对先进柔性覆铜板(FCCL)领域对热塑性黑色聚酰亚胺薄膜的应用需求,采用含有生色亚胺(-NH-)基团的芳香族二胺单体4,4′-二胺基二苯胺(NDA)分别与一系列二酐单体,包括4,4′-(六氟异亚丙基)双邻苯二甲酸酐(6FDA)、2,2-双[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐(BPADA)以及氢化3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐(HBPDA)等聚合制备了3种有机可溶性PI(SPI)树脂,然后采用SPI/DMAc溶液在相对较低温度下(80～250℃)制备了PI薄膜.系统研究上述特征基团的引入对PI薄膜光学性能、热性能以及电学性能的影响机制.结果表明:制备的SPI树脂在极性非质子性溶剂,如N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中具有良好的溶解性.制备的SPI薄膜具有本征深色特性,其在500 nm波长处的透光率(T500)小于5％,明度(L*)低于60.此外,该系列薄膜具有良好的耐热性能,玻璃化转变温度(Tg)最高可达375.9℃,氮气中5％失重温度(T5％)高于500℃.该系列薄膜还具有良好的电绝缘特性,其体积电阻率(ρv)均超过1015Ω·cm.     

无色透明聚酰亚胺薄膜低CTE化用关键单体的制备与表征

针对无色透明聚酰亚胺(CPI)薄膜低热膨胀(low-CTE)化研究的应用需求,开展了甲基取代型主链含刚性酰胺键芳香族二胺单体,包括2-甲基-4,4′-二氨基苯酰替苯胺(MeDABA)与2,3′-二甲基-4,4′-二氨基苯酰替苯胺(MMDABA)的结构设计与合成研究.采用甲基取代对硝基苯甲酸或甲基取代对硝基苯胺为原材料,通过酰胺化反应制得了二硝基化合物,然后在Pd/C催化下采用水合肼还原得到了一系列新型二胺基化合物.采用差示扫描量热分析(DSC)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、核磁(NMR)、质谱(MS)以及元素分析(EA)等手段表征了制备的二胺单体的化学结构.结果表明成功制得了预期结构的芳香族二胺单体.     

无规共缩聚型聚酰亚胺薄膜的制备及性能研究

采用对苯二胺(p PDA)、4,4’-二氨基二苯醚(ODA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)制备了p PDA/ODA-PMDA无规共缩聚型聚酰亚胺薄膜,研究了其树脂合成条件、亚胺化方式以及p PDA含量对PI膜性能的影响。结果表明:聚酰胺酸的黏度与反应温度成反比,化学亚胺法可以提高薄膜的热稳定性;随着p PDA含量的增加,PI薄膜的拉伸强度和尺寸稳定性得到明显改善。当p PDA含量为10%~15%时,PI薄膜的综合性能满足设计要求。     

全对位二胺的合成及其聚酰亚胺的应用研究

用对苯二酚和对氯硝基苯反应,合成了1,4_双(4_硝基苯氧基)苯(BNB),用水合肼还原后得到全对位二胺单体1,4_双(4_氨基苯氧基)苯(BAB)。用BAB与多种二酐合成出多种聚酰胺酸,并在二层法挠性覆铜板(2L_FCCL)的应用方面做了一些探索。表明其相应的2L_FCCL具有良好的耐锡焊性能和较低的吸水率等优良性能。     

含羧基聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

以3,5-二氨基苯甲酸(35DABA)、4,4’-二氨基二苯醚(44ODA)和3,3’,4,4’-四甲酸联苯二酐(BPDA)为原料,在强极性非质子有机溶剂中进行聚合反应,制得了高粘度含羧基聚酰胺酸(CPAA)溶液,经涂膜、热亚胺化,得到了坚韧透明的含羧基聚酰亚胺(CPI)薄膜,并对其性能进行了研究.结果表明:CPI薄膜...     

低介电常数聚酰亚胺多孔薄膜的制备

以3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐和4,4′-二氨基二苯醚为单体,以三聚氰胺为成孔剂,制得一种聚酰亚胺多孔薄膜,并对薄膜的微观结构、力学性能及介电常数等进行测试。结果表明:制备该聚酰亚胺多孔薄膜的成孔工艺简单可行,三聚氰胺成孔剂可用热水溶解的方法去除。多孔薄膜孔洞数量多,且分布比较均匀。薄膜的介电常数较低、力学性能良好、吸湿率较低。当三聚氰胺添加量分别为25%和40%时,聚酰亚胺多孔薄膜的介电常数分别为1.82和1.36,聚酰亚胺多孔薄膜的拉伸强度分别为86 MPa和74 MPa,断裂伸长率分别为15%和10%。     

低介电常数聚酰亚胺材料制备的研究进展

综述了近年来国内外低介电常数聚酰亚胺材料的制备方法,重点讨论多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)和介孔氧化硅在降低聚酰亚胺介电常数方面的应用,并对低介电常数聚酰亚胺材料的发展前景进行了展望。     

PI/LDHNSs复合薄膜的制备及电性能研究

通过插层剂辅助超声剥离水滑石,获得剥离充分的LDHNSs分散液;采用原位聚合的方法制备PI/LDHNSs复合薄膜,并对该类复合材料的电学性能进行深入研究.结果表明:LDHNSs在PI基体中分散均匀,未出现明显的团聚和堆叠现象,与基体之间展现出比较好的界面相容性.相较于纯PI薄膜,LDHNSs的加入使复合薄膜的体积电阻率和电气强度出现一定程度的降低;但值得注意的是,复合薄膜的耐电晕寿命明显得到提升;当LDHNSs质量分数为0.5％时,复合薄膜的耐电晕寿命最长,约为纯PI薄膜的8倍,实现了在较低添加量下对复合薄膜耐电晕性能的最大提升.     

无规嵌段共缩聚聚酰亚胺的制备与性能研究

以3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐(BPDA)、对苯二胺(pPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)、4,4′-二氨基二苯醚(ODA)4种单体为原料,制备出一系列pPDA-BPDA组分占不同摩尔百分含量的无规嵌段共缩聚聚酰亚胺薄膜。通过力学性能、热性能、电性能测试对薄膜的性能进行了研究。结果表明,随着pPDA-BPDA刚性嵌段引入量的增加,聚酰亚胺薄膜的弹性模量和拉伸强度得到较大提高,而其断裂伸长率呈现先增加后下降趋势;热稳定性增强;击穿场强在pPDA-BPDA组分摩尔百分含量为50%时达到最大,但均低于未引入嵌段时的薄膜的击穿场强。