耐电晕聚酰亚胺薄膜研究进展

本文综述了国内外耐电晕聚酰亚胺薄膜的专利布局、无机纳米杂化薄膜耐电晕性能的影响因素,介绍了耐电晕聚酰亚胺薄膜在液氮温度下的应用现状,并对耐电晕聚酰亚胺未来的发展方向进行了展望.     

电子元器件用低介电常数聚酰亚胺研究进展

本文主要分析近年来国内外低介电常数聚酰亚胺树脂及薄膜的专利概况,介绍近年来学术研究中出现的聚酰亚胺低介电常数改性方法及在电子元器件的应用研究进展,并展望低介电常数聚酰亚胺未来的发展趋势。     

功能型聚酰亚胺薄膜研究进展

概述了功能型聚酰亚胺（PI）薄膜的主要种类和特点,分别介绍了透明聚酰亚胺薄膜、耐电晕聚酰亚胺薄膜、黑色聚酰亚胺薄膜、导电聚酰亚胺薄膜和高导热聚酰亚胺薄膜的研究进展,并对功能型薄膜将来的发展趋势进行了展望。     

耐电晕聚酰亚胺薄膜研究进展

综述了耐电晕聚酰亚胺薄膜的最新研究进展.研究显示,虽然我国学者对耐电晕聚酰亚胺薄膜的结构与性能、耐电晕机理等问题的研究,取得了一定的进展,但尚未取得关键性突破.产品的耐电晕性、热收缩率、机械强度等多项关键性能仍远低于杜邦(Dupont)公司产品水平.表明国内研究者对该产品的认识,无论在理论方面还是制造工艺方面仍处在初级阶段.     

耐电晕聚酰亚胺薄膜研究进展

聚酰亚胺因其耐电晕性能不足严重缩短了复杂工况下的使用寿命,纳米改性技术的应用为耐电晕聚酰亚胺薄膜的研发提供了新的发展方向。该文首先从耐电晕机理出发,综述了电晕下聚酰亚胺的老化进程;然后从材料的介电特性、电导特性、陷阱特性、界面效应及热导率等性能参数分析了提升复合聚酰亚胺耐电晕性能的策略;最后针对当前耐电晕聚酰亚胺薄膜研究存在的问题进行了总结,并对未来发展方向做出了展望,以期实现具有优异耐电晕性能聚酰亚胺薄膜的研发。     

低介电常数聚酰亚胺多孔薄膜的制备

以3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐和4,4′-二氨基二苯醚为单体,以三聚氰胺为成孔剂,制得一种聚酰亚胺多孔薄膜,并对薄膜的微观结构、力学性能及介电常数等进行测试。结果表明:制备该聚酰亚胺多孔薄膜的成孔工艺简单可行,三聚氰胺成孔剂可用热水溶解的方法去除。多孔薄膜孔洞数量多,且分布比较均匀。薄膜的介电常数较低、力学性能良好、吸湿率较低。当三聚氰胺添加量分别为25%和40%时,聚酰亚胺多孔薄膜的介电常数分别为1.82和1.36,聚酰亚胺多孔薄膜的拉伸强度分别为86 MPa和74 MPa,断裂伸长率分别为15%和10%。     

抗静电聚酰亚胺薄膜材料的研究进展

聚酰亚胺因其良好的绝缘性能使得材料表面容易产生静电,静电的积累会引起燃烧、爆炸等危险,因此如何消除其表面静电是人们长期以来探索的重要课题之一。本文主要介绍了静电产生的机理、静电带来的危害及其危害机理,综述了碳系、金属及金属氧化物系、导电高分子系及离子注入改性4类抗静电聚酰亚胺薄膜的研究进展,并展望了抗静聚酰亚胺薄膜未来的发展趋势。     

APICAL聚酰亚胺薄膜

本文叙述了一种新型的商品名为APICAL的聚酰亚胺薄膜的制法、特性和用途，指出它具有同类聚酰亚胺薄膜所没有的突出的特点是表面平滑性和尺寸稳定性，因而具有广泛的用途，特别适用于制造柔软性印刷线路板和记录磁带。     

聚酰亚胺介电性能改性的研究进展

本文从降低聚酰亚胺在高频下的介电常数(Dk)和介质损耗因数(Df)出发,将其改性方法归纳为改变聚合物极性和引入孔隙结构两方面,综述了近几年国内外相关的研究进展,发现在引入极性大分子的同时添加孔隙结构,可使得聚酰亚胺的介电性能达到最优,同时指出了文献中性能表征的不足并提出了建议.     

聚酰亚胺薄膜的介电性能调控研究进展

聚酰亚胺作为一种特种工程塑料,因其优异的介电性能、力学性能及耐热稳定性而广泛应用在电工绝缘、电子等领域.通过分子结构设计和优选单体,可以调控聚酰亚胺的分子链结构,从而获得具有优异热稳定性和介电性能的聚酰亚胺薄膜.本文综述了调控聚酰亚胺介电性能的分子结构设计策略及聚酰亚胺结构对其介电性能的影响机制,并对介电性能调控的研究方向进行了展望.     

导热聚酰亚胺绝缘薄膜材料的研究进展

随着先进电子及高频通信技术的发展,聚酰亚胺薄膜作为重要的聚合物绝缘材料面临越来越高的导热性能要求.传统聚酰亚胺薄膜的本征导热系数较低,无法满足电子元器件的快速散热需求.近年来,研究人员对导热聚酰亚胺薄膜材料开展了大量研究,通过加入无机导热填料获得了具有良好导热性能的聚酰亚胺基复合薄膜.本文综述了国内外在导热聚酰亚胺绝缘薄膜材料方面的最新研究进展,详细讨论了聚酰亚胺/导热填料复合薄膜的导热行为,系统阐述了导热性能的影响因素,包括填料类型、尺寸、加入量、填料与基体的界面相互作用等,并对高性能聚酰亚胺基导热绝缘薄膜材料面临的技术挑战进行了总结与展望.     

低介电常数聚酰亚胺材料制备的研究进展

综述了近年来国内外低介电常数聚酰亚胺材料的制备方法,重点讨论多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)和介孔氧化硅在降低聚酰亚胺介电常数方面的应用,并对低介电常数聚酰亚胺材料的发展前景进行了展望。     

特种聚酰亚胺薄膜制备技术新进展

介绍了特种聚酰亚胺树脂的结构设计与合成,综述了国内外近年来在特种聚酰亚胺薄膜制造技术方面的最新进展。重点介绍了可溶性聚酰亚胺树脂的基础研究与产业化进展状况以及采用可溶性聚酰亚胺树脂制备特种聚酰亚胺薄膜的进展情况,并展望了该技术未来的发展趋势及需要解决的关键技术。     

无色透明聚酰亚胺薄膜低CTE化用关键单体的制备与表征

针对无色透明聚酰亚胺(CPI)薄膜低热膨胀(low-CTE)化研究的应用需求,开展了甲基取代型主链含刚性酰胺键芳香族二胺单体,包括2-甲基-4,4′-二氨基苯酰替苯胺(MeDABA)与2,3′-二甲基-4,4′-二氨基苯酰替苯胺(MMDABA)的结构设计与合成研究.采用甲基取代对硝基苯甲酸或甲基取代对硝基苯胺为原材料,通过酰胺化反应制得了二硝基化合物,然后在Pd/C催化下采用水合肼还原得到了一系列新型二胺基化合物.采用差示扫描量热分析(DSC)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、核磁(NMR)、质谱(MS)以及元素分析(EA)等手段表征了制备的二胺单体的化学结构.结果表明成功制得了预期结构的芳香族二胺单体.     

二层型挠性覆铜板用聚酰亚胺的研究进展

电子行业的快速发展对二层型挠性覆铜板的性能提出了更高的要求,针对以聚酰亚胺薄膜为基底材料的二层型挠性覆铜板,分别从改善粘结性能、介电性能和耐热性能3个方面综述了二层型挠性覆铜板的研究进展,并展望了二层型挠性覆铜板的研究方向。     

GaN基电力电子器件关键技术的进展

氮化镓GaN(gallium nitride)材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前,GaN功率电子器件技术方案主要分为Si衬底上横向结构器件和Ga N自支撑衬底上垂直结构器件2种。其中,横向结构器件由于制造成本低且有良好的互补金属-氧化物-半导体CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)工艺兼容性已逐步实现产业化,但是存在材料缺陷多、常关型难实现、高耐压困难以及电流崩塌效应等问题;垂直结构器件能够在不增大芯片尺寸的条件下实现高击穿电压,具有非常广阔的市场前景,也面临着材料生长、器件结构设计和可靠性等方面的挑战。基于此,主要针对这两种器件综述介绍并进行了展望。     

膜用聚酰亚胺交联研究进展

自1960年美国杜邦公司改进聚酰亚胺(PI)合成技术生产了膜材并首次应用于工业以来,PI在信息化时代大放异彩,其相关研究得到长足的发展.在气体分离工业及新能源等领域,交联改性是提高PI膜性能的有效方式.本文综述了近年来膜用PI交联改性研究的最新进展,主要包括热交联、紫外交联和化学交联3种方式,并对未来交联PI膜的研究方向进行了展望.