锗光伏二极管

本文叙述了用高阻P型单晶制作的台面型锗光伏二极管,光谱响应范围在0.9～1.70μm。在1.55μm的峰值波长下,量子效率高达60%。在1.30μm下,灵敏度也能达到0.55μA/μw。在几伏或十几伏的反向偏置电压下,用GaInAsP/InP激光器做光源,对响应时间做了测量。φ1mm的器件,前沿最好达1.1ns,后沿达2.5ns。并研究了三种结深对灵敏度的影响,认为结深在0.6～0.7gm为宜。     

新型整流二极管

本文对功率电路中传统使用的P-i-n整流器及肖特基势垒整流器、同步整流器、结势垒控制的肖特基整流器、砷化锭肖特基整流器等新型器件的发展水平、关键技术及前景进行综合论述.     

新型开关二极管

新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压（Breakdown Voltage）外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006—3及DFN20206封装,以供顾客选择。这些单二极管、双二极管和双双（串联及共阴极）二极管配置能发挥多种功能,包括交流信号整流、数据线保护、反向电池保护和直流直流转换,适用于对轻巧和纤薄产品设计有较高要求的手机、平板电脑和笔记本电脑。     

新型砷化镓变容二极管

据报导,英帝马可尼公司最近研制成一种高性能的砷化镓变容二极管。达种二极管可在很宽的频段内工作,频率高达60千兆赫。根据服务电子研究实验室的设计,二极管装在正方形管壳里,适于致冷下工作。它可在40～90千兆赫下工作,某些器件可在120千兆赫下工作。     

新型光发射二极管

通用电气公司发展出三种新型GaAs光发射二极管,在室温下,各种波型具有较高数量级的红外输出。     

用于监视器的新型阻尼二极管及调制二极管

普通的38cm监视器水平偏转频率高于70kHz,高档监视器的水平偏转频率高达130kHz,需要动态性能优良的阻尼二极管(V_(FP)低、t_(rr)小)。本文先讨论阻尼二极管的主要参数及导通时的功率损耗、由截止到导通时的开关     

紫外敏感硅光伏二极管的正向特性

通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置Ｃ－Ｖ特怀和Ｉ－Ｖ特性与般ＰＮ结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基础上提出了该器件的一种新的模型－－两个背靠背的二极和客一个电阻的串联，能很好地解释该器件的正反向特性。     

新型低噪声模式的硅二极管

据报导,贝尔实验室制成一种称为“BARITT”的势垒注入渡越时间二极管。它是由夹在硅化铂肖特基势垒接触间的10微米厚的 n 型硅片制成的。其噪声系数比硅雪崩二极管约低20分贝,也低于 GaAs 电子转移振荡器(见表),且制作简便。微波连续功率在4.9千兆赫下已获57毫瓦,其效率达2.3%。在1兆赫载波下调频噪声为22.8分贝。Baritt 二极管的另一特点是,它的偏压为5～80伏,并与频率无关。其次,由于是对称结构,它可在任一极性下工作。据称,用硅的最佳材料和工艺制成的器件,其可靠性     

几种新型雪崩光电二极管

简要介绍了近期报导的多级雪崩光电二极管、电子和空穴分区电离雪崩光电二极管及超晶格雪崩光电二极管的结构、工作原理及有关结果.     

新型的光发射二极管显示器

新型的5082-7300固体光发射二极管数字显示器在同一衬底上具有译码器、驱动器集成电路、一个存储器和一个红色滤光器。显示器4 x7点矩阵产生数字,适用且易读。假如一点失效,点阵列就无法读出。这种固体显示器长为0.29时,宽为0.19时,标准封装为0.6大0.4时。双侧引线结构可装在     

一种新型光电二极管测量仪器

西南技术物理所研制成功GC-1型光电二极管动态测试仪。与现用的低频测试系统不同,它是一种以快速光脉冲为信号,在模拟应用条件下,对雪崩光电二极管和pin光电二极管的响应特性进行测量的仪器。     

碲镉汞光伏二极管的电流与结深研究

采用Sentaurus TCAD 软件对 n-on-p型Hg1-xCdxTe红外探测器的结构进行了建模,并就结深对光伏二极管电流的影响进行了仿真和分析。结果表明,结深对电流的影响受吸收层厚度和p区载流子浓度两方面的作用。对不同波长二极管的电流随结深的变化情况进行了拟合,得出了不同波长条件下电流达到最大值时的结深大小。     

韩日科学家开发出新型光二极管

据韩国《东亚日报》报道，韩国和日本科学家新开发出一种可电调的光二极管，它有望成为未来制造光计算机的核心技术。     

Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管阵列

正Littelfuse公司日前宣布推出SPHV(单向)和SPHV-C(双向)系列200W分立瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管);相比早期技术,这两个产品系列能够更好地保护敏感设备免遭静电放电(ESD)和其它过压瞬变造成的损坏。SPHV和SPHV-C系列可安全吸收超出IEC61000-4-2国际标准中最高值的反复性ESD震击,而不会引起性能下降,并能以非常低的箝位电压耗散高达8A的感应浪涌电流。由于采用SOD882封装,非常适合替代汽车电子产品、LED照明     

两种新型光电二极管和组件

重庆光电技术研究所最近推出两种新品,即GD3252Y型光电二极管与GD4961T型高速的PIN光电二极管组件。GD3252Y型光电二极管是在高纯硅单晶衬底上采用离子注入及特殊纯化工艺而制成的芯片,密封于带光窗的全金属化管壳内,以确保     

新型双区阴极结构体效应二极管

常规的GaAs体效应二极管的阴极结构多采用欧姆阴极,在毫米波频段(W 波段),器件的转换效率小于1%.介绍了一种新型的双区阴极结构在W 波段体效应二极管中的实现,并研制出了样品器件.采用此种结构,可以显著提高毫米波器件的输出功率和转换效率.