三角量子阱中磁极化子的性质

采用LLP变分方法研究了三角量子阱中磁极华子的性质。在不同的电子-声子耦合情况下,获得了基态能量、基态结合能和电子数密度、磁回旋频率之间的关系。通过数值计算表明：基态能量随电子数密度和磁回旋频率的增加而增加,基态结合能随电子数密度和磁回旋频率的增加而减小。     

电场对半导体GaAs量子阱中束缚磁极化子性质的影响

研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚磁极化子的基态能量与阱宽、电场强度、磁感应强度、库仑束缚势的变化关系,同时讨论了振动频率和库仑束缚势、外场之间的变化关系.数值计算结果表明:基态能量的绝对值将随电场强度和库仑束缚势的增加而增加,随磁感应强度和阱宽的增加而减小.当阱宽较小时,量子尺寸效应较为明显.     

磁场作用下的一个含类氢施主杂质二维量子环中的电子能态

Using the finite element method, we investigate the lowest and first few excited state energies in a twodimensional GaAs quantum ring(QR) with a hydrogenic donor impurity and effective mass approximation under a uniform magnetic field perpendicular to the ring plane. We study in detail the dependence of the energy spectrum with different angular momentum on the inner radius, the outer radius and width of the QR, the magnetic field and impurity position. The results reveal that the electron energies increase with the inner radius while decrease with the outer radius and width of the QR; for a fixed ring, the magnetic field induces the increase of the electron energies. Moreover, the existence of impurity reduces energy levels, and the energy levels depend highly on the impurity position, which decreases as the impurity is far away from the center of the QR. Also, the dependence of the angular momentum on the energy spectrum is analyzed in detail.     

抛物量子点中强耦合束缚磁极化子的温度效应

采用线性组合算符和幺正变换方法研究量子点中强耦合束缚磁极化子性质的温度依赖性,导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的变化关系.取RbCl晶体为例进行数值计算,结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的升高而增大,基态能量随量子点的有效受限强度的增加而增大.     

抛物量子点中强耦合束缚磁极化子的温度效应

采用线性组合算符和幺正变换方法研究量子点中强耦合束缚磁极化子性质的温度依赖性,导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的变化关系.取RbCl晶体为例进行数值计算,结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的升高而增大,基态能量随量子点的有效受限强度的增加而增大.     

量子线中强耦合束缚磁极化子的电场效应

采用线性组合算符和幺正变换相结合方法研究了电场和温度对抛物量子线中强耦合束缚磁极化子性质的影响。计算了在电场和温度影响下抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的基态能量、平均声子数和振动频率。数值计算结果表明：量子线中强耦合束缚磁极化子的基态能量随约束强度、回旋共振频率和电场强度的增强而增大,随耦合强度的增大和温度的上升而减小;平均声子数随回旋共振频率、约束强度和温度的增大而增加;振动频率随回旋共振频率的增大而增大,同时也随约束强度的增大而增大。     

量子线中弱耦合束缚磁极化子激发态的性质

从电子与体纵光学声子(LO声子)体系的哈密顿量出发,采用Huybrenchts的线性组合算符及幺正变换方法研究了在磁场作用下抛物量子线中弱耦合束缚极化子的激发能量、第一内部激发态能量和振动频率,并对其进行了数值计算,数值计算结果表明:抛物量子线中弱耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量随库仑束缚势的增加而减少,随约束强度和磁场回旋频率的增加而增大;激发能量和振动频率随约束强度、磁场回旋频率和库仑束缚势的增加而增大.     

抛物量子点中弱耦合束缚磁极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物量子点中弱耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量,并对其进行了数值计算。结果表明:束缚极化子的振动频率随有效受限长度的增加而减小,随库仑束缚势和回旋共振频率的增加而增加;束缚磁极化子的基态能量随有效受限长度、电子-体纵光学声子耦合强度、库仑束缚势的增加而减小,随回旋共振频率的增加而增加。     

非对称抛物限制势量子点中强耦合束缚磁极化子的性质

采用Pekar类型的变分方法研究了非对称抛物限制势作用下的量子点中强耦合束缚磁极化子的性质.导出了束缚磁极化子的基态束缚能、光学声子平均数.通过数值计算表明,量子点中强耦合束缚磁极化子的基态束缚能和光学声子平均数均随量子点的横向受限强度、纵向受限强度的增加而增大,随回旋频率的增加而增大.基态束缚能随库仑束缚势的增加而增大.     

半导体量子阱中强耦合磁极化子的性质

首次采用线性组合算符结合改进的LLP幺正变换的方法,研究了电子与体纵光学声子强耦合情况下半导体量子阱中磁极化子的性质。导出了无限深量子阱中强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和自陷能与阱宽和回旋共振频率的变化关系。对RbCl量子阱进行数值计算,结果表明：强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和自陷能随回旋共振频率的增大而增大。振动频率和自陷能随阱宽的增加而增大;基态能量随阱宽的增加而减小,且在阱宽较窄时,表现出奇特的量子尺寸效应。     

温度对非对称量子点中强磁耦合极化子声子平均数的影响

采用Huybrechts线性组合算符法和LLP变分法,研究了温度对非对称抛物量子点中强耦合磁极化子声子平均数的影响。数值结果表明,非对称量子点中强耦合磁极化子的声子平均数随温度的升高而减小。另外,温度还对磁极化子的声子平均数随量子点的横向受限强度、纵向受限强度、外磁场的回旋频率和电子-声子耦合强度的变化产生显著影响.     

抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数的影响。导出量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度、库仑束缚势和磁场的回旋共振频率的变化关系。数值计算结果表明：弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应。随磁场的回旋共振频率和库仑束缚势的增加而增加。     

极性半导体量子点中双极化子LO声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines变分方法研究了极性半导体量子点中双极化子性质的温度依赖性,推导出了量子点中双极化子的LO声子平均数的表达式。数值计算结果表明,双极化子的LO声子平均数随两电子间相对距离的增大或温度的升高而减小,随电子-LO声子耦合强度的增加而增大;两电子间的相对距离、电子-LO声子耦合强度和温度是影响双极化子束缚态稳定性的重要因素。     

声子之间相互作用对半导体量子点中磁极化子性质的影响

研究了半导体量子点中磁极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中磁极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了对半导体量子点中磁极化子的基态能量的影响.通过数值计算表明,半导体量子点中磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的增加而增加,对于弱磁场声子之间相互作用的影响不能忽略.     

声子之间相互作用对半导体量子点中磁极化子性质的影响

研究了半导体量子点中磁极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中磁极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了对半导体量子点中磁极化子的基态能量的影响.通过数值计算表明,半导体量子点中磁极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的增加而增加,对于弱磁场声子之间相互作用的影响不能忽略.     

GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面

通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性,计算了Ga As/ Ga1 - x Alx As量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面.结果表明光致电离截面的大小受量子线尺寸的影响,并且对于相同尺寸的量子线,有限深势阱中杂质态的光致电离截面要比无限深势阱中的大.与他人的结果比较发现,所选波函数改进了体系的束缚能,并使光致电离截面减小,这使得结果更为合理     

GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面

通过在波函数中考虑量子线的限制方向和非限制方向的相关性,计算了GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面.结果表明光致电离截面的大小受量子线尺寸的影响,并且对于相同尺寸的量子线,有限深势阱中杂质态的光致电离截面要比无限深势阱中的大.与他人的结果比较发现,所选波函数改进了体系的束缚能,并使光致电离截面减小,这使得结果更为合理.     

抛物量子线中强耦合极化子的有效质量

采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的有效质量m^*和光学声子平均数N。通过数值计算,讨论了约束强度ω0和磁场B对m^*和N的影响。计算结果表明：m^*和N都随ω0和B的增加而增大。