我国科学家研制出新型异质结光探测器

正据www.ipc.ac.cn网站报道,日前,中国科学院理化技术研究所贺军辉团队和清华大学孙家林团队通过合作在实现超宽带光探测方面取得了重要进展。他们制作了一种还原氧化石墨烯-硅纳米线阵列异质结光探测器,实现了用一个探测器就可完成从可见光(532 nm)到太赫兹波(2.52 THz,118.8μm)的超宽带光探测,达到了以往需要多个探测器同时工作才能达到的探测带宽。相关成果已发表在2014年第12期《微尺度》杂志上。据介绍,宽带光探测器广泛应用于红外成像、遥感、环境监测、天文探测以及光谱分析等多个重要领域。特别是在     

三极管简易检测器

本文介绍一种能够判定三极管极性及好、坏且适宜业余制作的检测器。一、电路工作原理该三极管简易检测器电路原理如附图所示。按下按键开关S接通电源,IC2a产生频率为280Hz的振荡信号,IC2b与IC2c、IC2d与IC2e分别并联连接,以提高驱动电路的输出电流,由此把正、反向交变的偏置电压加至被检测三极管的e、b和c、b极上。若检测的是NPN型晶体管,双色发光二极管的绿管导通点亮;若是PNP型晶体管,则双色发光二极管红管导通点亮。若三极管极间短路,双色发光二极管中的红、绿色管以280Hz的频率交替导通点亮,形成橙黄色的光。要是双     

InGaAsP／InP异质结光电三极管的制备

介绍了ｎ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＧａＡｓＰ／０－ＩｎＰ结构的异质结光电三极管制作过程，并获得了对１．３μｍ的入射光，光增益达２２０，用带尾纤的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ发光管测量，光学增益达１４７０。     

新功能光半导体件器——“激光晶体三极管”

最近,日本松下电器产业中央研究所试制了一种划时代的新结构半导体激光器,它具有工作速度高,可以开关两束激光等以往没有过的新功能。该研究所已成功地确认了它的基本工作状态。新结构半导体激光器,把以往的二极管结构改变成异质结双极性晶体三极管结构,而且晶体三极管的基极是由两个独立的电极构成的。因此,相对于以往的半导体激光器称为激光二极管,可以称该器件为激光晶体三极管。     

新型微波器件——异质结双极晶体管

主要叙述各种材料异质结双极晶体管的结构、特性及其应用情况。     

新型微波器件——异质结双极晶体管

主要叙述各种材料异质结双极晶体管的结构，特点及其应用情况。     

光纤通信检测器MFOD3100

光检测器的主要功能是将光信号转换为电信号。它是现代光纤通信系统中的重要部件。目前光纤通信系统中使用的光检测器主要是移相开关二极管,即ＰＩＮ二极管。ＰＩＮ二极管对低频信号具有整流作用,而对高频信号,却只有阻抗作用。阻抗值的大小决定于中间层。当中间层为正偏时,因为有载流子注入中间层,器件呈低阻;而当中间层处于零偏或反偏时,器件呈高阻。从而可以用于信息的检测。光检测器除了用ＰＩＮ二极管外,还可用雪崩光电二极管,它们的工作原理大致相同。但是,目前世界各国都在研制新的性能更高的光检测器。下面介绍美国摩托罗拉半导体公…     

无表头三极管hFE值检测器

本文介绍一种三极管hFE值检测器，它因不需要配置指针式表头，使仪器体积减小，费用降低，易于自行制作。     

异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。     

GaAsSb/InP异质结晶体三极管

当 x～ 0 .5时 ,Ga As1 - x Sbx 的晶格与 In P衬底匹配 ,其带隙为 0 .72 e V,可用于 In P衬底上的异质结晶体三极管的基区材料。最近的实验结果表明 Ga As0 .5Sb0 .5/In P的能带为 型异质结构 :Ga As0 .5Sb0 .5的导带位于 In P导带之上 1 80 me V,其价带位于 In P价带之上 76 0 me V,该价带偏置几乎是 In Ga As/In P(378me V)的两倍 ,这种大的价带偏置有效地阻止了空穴重注入到发射区 ,并且更重要的是其导带偏置使得电子以弹道方式从 Ga As0 .5Sb0 .5基区发射到 In P集电区。因此 ,从能带工程的角度分析 ,Ga As0 .5Sb0 .5…     

异质结

前言 异质结概念出现较早,但它仍是一个新的领域,特别是近年来在材料科学和电子科学领域里已引人注目。这次日本东京工业大学高桥清来华座谈介绍了异质结发展概况,异质结的能带结构和输运特性。现将其内容概述如下: 一、异质结发展概况 异质结广义讲是指两类不同种类物质的接触。如以固体为主可分三种状态,即固体-气体、固体-液体、固体-固体。如固体是半导体又可分为半导体-金属(金属半导体接触一肖特基势垒) 半导体-半导体(异质结)、半导体-绝缘体(MIS MOS)。 因此,这里异质结一般就是指两种不同种类半导体的接触。 异质结是在结型晶体管出现不久就被提出来了,1951年肖克莱提出了具有高注入效率的宽禁带发射极晶体管,由于当时两种半导体接触的生长技术还没发展起来,因此这种晶体管没有成为现实,以后的五、六年异质结没有什么发展。1959年以后随着气相外延技术的出现,异质结的形成成为现实。最初是制备了Ge-GaAs异质结,测定了I-V     

异质结器件——HEMT

本文从HEMT的基本原理、结构、材料、制作工艺及其在数字和模拟领域的进展等方面,综合论述了它作为超高速器件的巨大潜力和广阔的应用前景,特别着重高性能LSI技术,并指出了在改进其性能时所存在的问题。     

异质结NIPI结构的光调制反射光谱

本文首次报道了异质结NIPI结构的室温光调制反射光谱及其随调制光强的变化,并对调制机制进行了讨论.最后,通过比较理论与实验结果,对所观测到的跃迁过程进行了指派.     

光纤通信系统的光源及检测器

单模光纤通信系统从研制阶段向商品化设备转化要比几年前专家们的预言快得岁.     

光孤子光纤通信

介绍了一种非线性的全光通信技术即光孤子光纤通信系统。对它的系统结构,采用的一些技术以及国际上在实验方面的最新进展作了概括阐述,并指出了光孤子光纤通信走向实用化还需要解决的一些问题。     

三极管气体光激射器

贝耳电话实验室上星期报导,它已制成一种气体光激射器,可以象三极管一样,以改变栅极电压的方法来开关或调幅。田（P. K. Tien)、麦克内尔（Donald Mcnair)和何季(H. L. Bodge)在物理评论通信（Physical Review Letters)中报导,这种光激射器以与热阴极发射几乎相同能量的电子束激发,振荡时不产生一般气体光激射器的辉光放电。     

异质结器件——光电集成电路

近年来,光电集成电路(OEIC)已成为众人瞩目的研究课题。本文报导了日本在发射器OEIC和接收器OEIC及其基本工艺的研究情况。