高灵敏度GaAlAs光电二极管——ODD—45W及ODD—95W

ODD-45W及ODD-95W是两种高灵敏度GaAlAs光电二极管,它是美国光电二极管有限公司(OPTO DIODE CORP)的新产品。该光电二极管用在近红外线检测器上,与标准硅光二极管相比,它主要的特点有:在880nm的响应性最小值为0.5A/W,典型值为0.6A/W;在50％的光谱带宽的     

CMOS荧光波长检测芯片的设计与仿真

双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管,深、浅pn结光电二极管的光电流比值I2/I1随入射光波长单调增加.文章基于0.5μm CMOS工艺对双结深光电二极管深、浅结光电流进行了数学建模和Matlab仿真.设计了片上信号处理电路,将双结深光电二极管深、浅结光电流比值转换成电压输出.仿真结果表明,信号处理电路的输出与ln(I2/I1)具有良好的线性关系.单片集成的CMOS波长检测芯片可用于未知荧光的波长检测和特异性分析.     

基于光电二极管检测电路的噪声分析与电路设计

光电二极管可以将光信号转化为电信号,它主要是通过半导体PN结的光电效应来实现这一转化步骤的.通过光电二极管对电路的噪声进行检测具有重要意义,就主要分析光电二极管对电路的噪声检测的价值,同时简单的分析相关的电路设计问题,希望所得结果能够为相关领域提供有价值的参考.     

硅PIN光电探测器

利用成熟的半导体平面工艺,采用高阻硅(Si)单晶,我们已成功地制造了四种光电探测器。1.单个的 Si—PIN 光电二极管2.Si 象限探测器3.Si 光电压探测器4.其它光电二极管列阵     

供红外应用的高级碲镉汞光电二极管

本文讨论美国霍尼威尔公司新发展的四种碲镉汞光电二极管:1.2.06微米碲镉汞雪崩光电二极管;2.10.6微米碲镉汞光电二极管;3.R_0A乘积为0.7欧-厘米~2的高D~＊碲镉汞光电二极管(10.6微米);4.半导体致冷10.6微米光混频器。2.06微米雪崩光电二极管是为Q开关的掺钬氟化锂钇(Ho:YLF)激光器发展的。这种器件的雪崩增益为9～36。10.6微米光电二极管的平均量子效率为30％。制备了单元为250微米×250微米的五元线列,其单     

一种新型光电二极管测量仪器

西南技术物理所研制成功GC-1型光电二极管动态测试仪。与现用的低频测试系统不同,它是一种以快速光脉冲为信号,在模拟应用条件下,对雪崩光电二极管和pin光电二极管的响应特性进行测量的仪器。     

基于APD的电外差技术在无合作目标激光测距中的应用

在无合作目标相位式激光测距中,为了提高测程和改善信噪比,提出一种基于雪崩光电二极管的电外差测量技术.在该方法中,雪崩光电二极管通过电注入法可直接被作为混频器,它接收到的回波光信号在转换成电流信号时直接和一本振信号混频产生低频信号.实验结果表明,该方法可有效改善雪崩光电二极管输出信号的信噪比,提高无合作目标相位式激光测距的测程.     

PIN结光电二极管的工艺原理和制造

PIN结构的二极管是一种特殊的电荷存储二极管,由于功耗小速度快等优点而被广泛应用.PIN结构的光电二极管是一种常用的光电探测器.本文阐述了PIN结构的光电二极管的器件特性和工艺制程,指出工艺过程中存在的问题.     

CMOS有源光电传感器像素采集单元成像质量分析

针对CMOS光电二极管型有源像素采集单元中存在的拖影问题,从像素采集单元的工作原理入手,利用光电二极管的等效电路模型,对像素采集单元的光电转换状态和置位状态进行分析.得出造成拖影的根本原因是光电二极管置位后的电压与上一周期末光电二极管的光生电压有关.     

1.54μm APD光电探测器组件的研制及应用

主要从长波长人眼安全测距方面讨论和研究了InGaAs雪崩光电二极管的前置放大器的电路原理和参数的设计以及光电探测器组件混合集成.着重从激光测距方面的应用探讨了由InGaAs雪崩光电二极管组成的激光接收器的应用电路的选择和设计.从测距使用的角度对InGaAs雪崩光电二极管的光电特性与偏置电压的关系进行了测试,从而了解该器件与硅雪崩二极管的光电性能的差异,从而为更好的应用InGaAs雪崩光电二极管提供参考和依据.研制的InGaAs雪崩光电二极管探测器组件及接收器在激光测距机中进行了测距应用,在激光能量为7毫焦耳测距集中进行测距,初步达到了要求.     

光通信基础知识(十二)

雪崩光电二极管和普通光电二极管的区别在于:雪崩光电二极管有内部电流增益,而普通的光电二极管(包括pin光电二极管)是没有内部电流增益的。雪崩光电二极管又叫APD管,APD是英文Avalanche Photo diode的缩写。对于一般的光电二极管来说,一个入射光子最多只能产生一个光电子(或光生电子-空穴对);但对于APD管来说,入射一个光子,可以产生10个到100个电子,所得到的光电流也大大地相应增加。对于长距离的光通信系统来说,使用APD管无疑是很有好处的。雪崩光电二极管的内部电流增益是怎样产生的呢?我们知道,在反向偏置二极管的     

用GaAs_(1-x)P_x光电二极管作为摄象机的光探测器

已研制成功摄象机用的光探测器。它是一种具有浅p-n结的光电二极管。在n~ -GaAs衬底上,汽相外延生长的n-GaAs_(1-x)P_x层里形成p-n结。通过控制组分,结深和施主浓度,已能批量生产反向偏置电压2V时,典型暗电流为0.2PA/mm~2,△EV小于0.085的光电二极管。△EV小于0.085的含意是指光电二极管的光谱响应非常接近人眼的光谱响应。此种二极管的可靠性高,其部分原因是由于它勿须红外截止滤波器。     

用光电二极管阵-微机系统进行激光测试

一、光电二极管阵-微机系统光电二极管阵是一种高空间分辨率同时也是一种高时间分辨率的固体集成感光器件,我们所用的RL1024H由1024个光电二极管所组成,每个光电二极管所占的空间位置仅仅15μm.当不同强度的光线照在这些光电二极管上时,它们产生不同大小的电信号,可以用一种自扫描移位寄存器把这些电信号依次取出.我们用云南电子设备厂的YEE-8100微型计算机配上模数转换等接口,对二极管的输出电信号进行采样.计算机可以识别每一个采集到的数据是由哪一个光电二极管所产生的,因而可以获得光电二极管阵上光强的空间分布.数据可以打印、绘图或存入磁盘.图1是二极管阵-微     

瞬变光探测系统前置放大电路的设计

光电探测器前置放大电路设计的好坏会直接影响整个检测系统的信噪比.为了提高对微弱光信号的检测精度,使用低噪声光电二极管和运算放大器,并选择光电二极管工作在光伏模式,设计出了光电探测器的低噪声前置放大电路.通过采用超前校正方法对由光电二极管结电容及运算放大器输入电容引起的相移进行补偿,克服了光电二极管寄生参数引起的转换电路...     

几种新型雪崩光电二极管

简要介绍了近期报导的多级雪崩光电二极管、电子和空穴分区电离雪崩光电二极管及超晶格雪崩光电二极管的结构、工作原理及有关结果.     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

320 × 256 InGaAs短波红外焦平面阵列探测器

研制了320×256 InGaAs焦平面阵列(FPA)探测器,它由InGaAs光电二极管阵列(PDA)与Si CMOS集成读出电路(ROIC)通过In凸点倒焊技术混合集成。背照射工作方式下其响应光谱范围为0.9~1.7μm。为实现InGaAs PDA与所设计的可调积分电容跨阻抗反馈放大器接口电路良好匹配,分析讨论了InGaAs光电二极管响应度、暗电流、结电容等光电特性对表征InGaAs FPA的主要性能指标的影响,优化了InGaAs光电二极管单元结构设计。采用优化结果研制的320×256 InGaAs FPA,在室温下的峰值探测率达到6×1012cm.Hz1/2.W-1,动态范围达到68 dB。     

LEM-1型激光能量计

LEM-1型能量计是一种光电型仪器,利用半导体光用二极管将接收到的光能转换为电信号,以充好电的电容作光电二极管的偏置电源.当光电二极管接收到光照时,产生光电流,电容放电,电压降低.如果光电管工作在线性范围,则光电流正比于光强,光电荷与光电二极管接收到的光能量成正比.很容易证明:     

HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰

报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升.这表明低能氢等离子体修饰可以抑制HgCdTe光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流Ibbt和缺陷辅助隧穿电流Itat,从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性.     

高速光电检测器

高速光电检测器TEMD5080X01是PIN型光电二极管,与标准PIN光电二极管芯片相比,它对400nm紫外线的检测灵敏度提高了300％,可广泛用于工业和消费类系统,且通过了AEC-Q101汽车标准的认证。