有线网络端口的不对称模式传导发射比对测试

有线网络端口的不对称模式传导发射测试是CCC型式试验的重要测试项目。为了确保实验室有线网络端口的不对称模式传导发射测试检测结果的准确性，需要通过比对测试进行验证。比对测试是实验室质量控制和验证的重要手段。首先，介绍了比对样品的选择；其次，介绍了有线网络端口的不对称模式传导发射测试系统和测试结果评价方法；最后，介绍了比对测试实例分析，验证了实验室开展该项目的检测结果是准确的。     

集中质量对不对称波形成的影响研究

采用Rayleigh-Ritz法初步计算了集中质量对四边简支边界条件下的矩形板振型的影响，由计算结果绘制了矩形板的前两阶振型，并采用有限元法与计算结果进行了对比。分析表明，附加质量能导致波形的不对称且此不对称的振型波形主要是由两相邻阶的模态耦合而成，为压电驱动中不对称波的形成与使用的进一步研究奠定了基础。     

不对称半桥变压器偏磁问题分析和解决方法

文中详细分析了不对称半桥变压器直流偏磁产生的原因，讨论了利用次级不对称绕组和倍流整流两种方式解决偏磁问题的方法，最后给出仿真结果。     

用菲涅尔衍射的观点分析全息——moire方法的基本原理

本文对全息——moire方法作了一般介绍，用菲涅尔衍射的观点分析了全息——moire技术的基本原理。一个物体由对称双光束照明，不论是采用一束参考光还是对称双参考光，干涉的结果都具有相同的形式：     

闭合曲线的斜对称轴线的检测

本文介绍了闭合曲线的斜对称定义，以及新近获得的相关理论分析结果，并在此基础上提出一个基于对称曲线的微分性质，来检测闭合曲线的斜对称性，还设计了一个新算法，实验结果表明，该算法能够快速准确地找出闭合曲线的所有斜对称轴线。     

智能材料与结构中的光纤传感阵列及其神经网络处理

提出了一种新颖的、采用周期性对称与不对称刻纹多模光纤组成的传感阵列网络，可用于智能材料与结构的应力、应变等的状态探测或损伤估计。探索采用了人工神经网络技术处理其阵列传感信号，给出了ＢＰ网与Ｋｏｈｏｎｅｎ网的仿真结果     

ZnS：Mn原子层外延ACTFEL的老炼特性

本文分析了以对称电压波形驱动的ZnS：Mn AC TFEL的老化过程。样品用对称波形的电压老炼，因而在老练过程中有一时间平均电场作用在荧光粉层上。利用瞬态测量来判定依赖于老炼过程的电压极性。当用对称老炼及产生正向时间平均场的波形作用时，正向极化起主要影响，而负向时间平均场影响两极。本文最后提出了简单的模型来解释这些测试结果。     

对称加载铁氧体波导差相移式高功率环行器的设计

提出了一种对称加载铁氧体波导差相移式四端环行器，利用HFSS软件的仿真分析和高功率实验研究的方法对该环行器进行了仿真设计和优化，并验证了预期的高功率设计指标给出了仿真分析结果和实验数据，分析了波导中对称加载铁氧体样品对波导巾电磁场分布的影响，并就该环行器的高功率设计考虑作了讨论。     

基于不对称方式的无线接入网络体系结构及性能仿真

首先介绍基于不对称方式的无线接入网络和3GPP定义的4类通信业务模式。然后找寻了基妻MATLAB无线通信仿真系统并对不对称方式和传统方式两种无线接入网络配置情况进行系统仿真，同时通过4类通信业务条件下的仿真结果评估无线接入网和核心网络的性能表现，最后根据软件仿真结果给出仿真数据分析和结论。     

多值对称函数基于二值全加器的电路实现

本文讨论了多值对称函数的定义和性质，指出了多对称函数可以按函数值ｊ分解而与ｊ相应的子函数Ｌｊ必为对称函数，且可表示成蜕化多值基本对称函数乘积项之和的形式。在此基础上提出了多值对称函数基于二值全加器的逻辑综合。     

一种单层宽频带微带天线的设计

设计了一种宽频带微带天线.通过在矩形贴片上开槽的方法来实现宽带化的设计,利用电磁仿真软件CST MWS(CST MICROWAVE STUDIO)进行仿真优化,给出了天线的回波损耗和方向图.仿真结果表明,该天线的频带宽度为普通矩形天线的3-4倍,并且具有较高的增益.     

多层金属化中的钨插塞技术

本文介绍了亚微米ULSI工艺中，采用钨插塞（Tungsten Plug)制作接触孔与通孔的技术，对于WCVD、W Etchback及其常见工艺问题作了一些分析，此项技术已经用于C05电路的工艺流片。     

Ni60合金激光多层涂覆研究

采用Ｎｉ６０合金进行了激光多层涂覆的实硷研究,获得了厚达１２ｍｍ的多层涂层,涂层的侧壁与基底垂直,其内部组织由细小的枝晶构成,各涂覆层之间结合良好。     

Low cost - high efficiency MIS/inversion layer solar cells

This letter reports the highest total area efficiency (a probable 16% or greater for AM1 conditions) yet achieved for MIS Inversion Layer (I.L.) silicon solar cells. The cells have the MIS-IL structure with the inversion layer contacted by a MIS grid and induced on p-silicon by a spin-on tantalum oxide layer containing some SiO2.     

多层片式微磁变压器设计工艺及应用研究

采用LTCC低温共烧陶瓷技术制作的多层片式微磁变压器可以满足表面组装技术的需求,介绍了微磁变压器的特点、磁芯材料选择、设计方案、关键工艺及应用前景.     

Toward intelligent wireless communications: Deep learning - based physical layer technologies

Advanced technologies are required in future mobile wireless networks to support services with highly diverse requirements in terms of high data rate and reliability, low latency, and massive access. Deep Learning (DL), one of the most exciting developments in machine learning and big data, has recently shown great potential in the study of wireless communications. In this article, we provide a literature review on the applications of DL in the physical layer. First, we analyze the limitations of existing signal processing techniques in terms of model accuracy, global optimality, and computational scalability. Next, we provide a brief review of classical DL frameworks. Subsequently, we discuss recent DL-based physical layer technologies, including both DL-based signal processing modules and end-to-end systems. Deep neural networks are used to replace a single or several conventional functional modules, whereas the objective of the latter is to replace the entire transceiver structure. Lastly, we discuss the open issues and research directions of the DL-based physical layer in terms of model complexity, data quality, data representation, and algorithm reliability.     

异质结应变层的临界厚度的确定

简要介绍了异质结的临界厚度,叙述了计算临界厚度的两种理论和其实验值.     

基于三层Client/Server结构的机车检修管理系统设计

首先通过与两层Client／Server结构的对比，对三层Client/Server结构进行了系统概述，然后结合所开发的机车检修管理系统的实际，从系统划分、应用服务器和客户端实现等几个方面对该系统的总体设计进行了详细说明，最终对系统的功能特点做了简要说明，并对系统做了相关总结。     

核壳双层颗粒的外层介质对散射光的影响

简要介绍核壳双层颗粒的散射理论 ,利用数值计算探讨波长不同时核壳双层颗粒与单层颗粒散射光的不同 ,详细分析核壳双层颗粒外层介质的厚度、折射率对整个核壳双层颗粒散射光的影响     

240-325-GHz GaAs CW fundamental-mode TUNNETT diodes fabricated with molecular layer epitaxy

Gallium arsenide (GaAs) transit-time diodes with tunnel injection of electrons (TUNNETT) with transit-time layer thickness of 100 and 150 nm were fabricated with molecular layer epitaxy (MLE). Continuous-wave fundamental-mode oscillation in the frequency range of 240 to 325 GHz in metal rectangular resonant 0.86 /spl times/ 0.43 mm size (WR-3) cavities was obtained. Output power of -13 dBm was generated at 322 GHz. The fundamental mode operation, as well as experiments on different impedance matching configurations, suggest that it is possible to develop fundamental mode TUNNETT generators for the frequency range of 350 GHz to 1 THz. Operation of the TUNNETTs confirms device quality of the MLE.