二元金属氧化物阻变存储器的专利技术发展综述

阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器。其存储材料层以二元金属氧化物最具有显著优势。它组分简单,工艺上同于控制,并且和CMOS工艺具有良好的兼容性。本文从专利文献作为切入口,对基于二元金属氧化物阻变存储器的技术发展进行了统计分。     

基于RRAM PUF的轻量级RFID认证协议

针对当前轻量级的射频识别（RFID）加密方案信息防护手段有限的问题,结合由阻变存储器（RRAM）构成的物理不可克隆函数（PUF）,提出了一种新型的轻量级RFID双向认证协议。利用多级响应加密机制实现阅读器与标签之间的安全认证处理。结合RRAM PUF模型,采用了特殊的纠错处理方法提高PUF响应的可靠性并阻止了信息泄露。此外添加了密钥更新机制和异常攻击标识,抵御了追踪攻击和去同步攻击等威胁。经仿真、分析和对比结果表明,该协议可以有效抵抗多种攻击手段,具有较高的安全性和较低的计算成本。     

几种新型非易失存储器的原理及发展趋势

介绍几种有发展潜力的新型非易失存储器的原理,如铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器等,并在性能方面作了对比,最后对存在的问题和发展趋势进行了分析。     

新型存储器有望彻底改变个人电脑

美国市场研究公司Coughlin Associates的创始人汤姆·库格林（Tom Coughlin）表示,这些芯片有望带来同样的即时开机功能——这种功能在平板电脑上司空见惯,但是性能高得多。他说：＂我们看到新的固态存储技术不断发展,它们正开始扮演重要角色。磁阻型随机存储器（MRAM）是我们看到在提供非易失性存储器技术方面扮演重要角色的一种存储器；现在还有人在议论有望发挥一定作用的电阻型随机存储器（RRAM）。”     

忆阻及其应用研究综述

忆阻由蔡少棠教授从对称性角度预言提出,自惠普实验室2008年制作出第一款忆阻开始, 其已成为自动化等相关领域最热门研究方向之一. 本文回顾了忆阻的起源,探讨了忆阻的分类及其制造技术,分析了忆阻的多个数学模型和仿真模型以及仿真模型的实现方法, 总结了忆阻在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面的研究现状, 并对其应用前景进行展望.     

忆阻器阻变机制及其材料研究进展

忆阻器可以将信息存储和逻辑运算整合到一个电子器件上,这将打破传统的冯·诺依曼计算机架构,其应用前景不可估量.首先简述了忆阻器的发展历程及其基本概念;其次综述了忆阻器的阻变机制及其材料的选择,将目前已知的阻变机制主要概括为3类,即阴离子阻变机制、阳离子阻变机制和纯电子机制,同时详细叙述了不同类型材料在忆阻器应用中的特点;...     

电脑小词典：内存

内存 其实广义地说,内存的全称是内部存储器,包括随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、寄存器（Register）以及高速缓存（CACHE）。但由于RAM我们大家接触得比较多,并且是比较重要的。     

富士通推出符合COSMORAM RevA规格的256Mbit移动快速循环随机存储器

富士通微电子（上海）有限公司近日推出全新256Mbit移动快速循环随机存储器（FCRAMTM）。该移动快速循环随机存储器是一种伪静态随机存储器（PSRAM），在富士通快速循环随机存储器的核心技术的基础上带有一个静态存储器接口。可以实现高速运算和低电耗，非常适用于手机等各种移动应用。     

用ISA总线进行的存储器扩展

本文概述了微机系统存储器硬件扩展的方法，分析说明了通过ＩＳＡ（ＰＣＡＴ）总线进行存储器扩展的硬件电路的工作原理，并给出了用ＢＩＯＳ Ｉｎｔ １５Ｈ进行调试的程序及结果。     

忆阻器存储研究与展望

随着信息呈现爆炸式增长,而CMOS的工艺尺寸逐步接近其理论极限尺寸,新型纳米级存储器件的需求日趋迫切.忆阻器被认为具有替代动态随机存储器,适应海量存储的巨大潜力.在综述忆阻器与忆阻系统概念的产生与发展的基础上,讨论忆阻器作为存储单元的特性,综述了忆阻器的阻变存储结构以及相对应的读写方法.在总结分析目前研究存在问题的基础上,探讨了今后的研究方向.     

简化扩页存储器的使用

本文介绍了ＰＣ机存储器结构和扩页存储器管理规范（ＥＭＳ），在此基础上运用面向对象的Ｃ＋＋语言提供了一个关于使用扩页存储器的类。该类将扩页存储器管理程序的常用功能封装起来，可使使用Ｃ／Ｃ＋＋语言的一般编程人员不必了解有关细节即可方便地使用扩页存储器。     

Memoir Systems：开创存储器变革新篇章

当前，存储器发展的一个方向是朝着“利用新的物理规律，研发新的存储器结构”迈进，如相变存储器，电熔断存储器，阻抗存储器．磁性随机存储器MRAM等等，这一方向极人地丰富了现有存储器的种类，展现了繁多的存储器特色，但有两个缺陷是致命的：与CMOS工艺兼容性，生产效率。最近有一个新的趋势渐渐浮出水面，那就是算法存储器（Algorithmic Memory）。这是一种新的思路，     

快闪存储器BIOS更新程序使用详解

AFLASH。EXE是一个将主板上快闪存储器芯片内的BIOS版本更新的公用程序。（该程序可在王板生产厂家网站上找到）。当计算机开机时,我们可以从屏幕左上角所显示的最后4个数字可以知道BIOS目前的版本,一般来讲,数字越大版本愈新。需要注意的是原始BIOS程序并没有含在支持软件AFLASH．EXE内。你必须趁机器正常运作时将主板上的BIOS程序进行备份（备份到软盘）。步骤参考快闪存储器更新公用程序中的SAVECURRENTBIOSTOFill一节。快闪存储器更新公用程序AJjTI,ran．EXE当运行AFthSHEXE时,如果FLASHTYPE是UNK…     

快马加鞭话内存

什么是内存内存是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。按存储信息的功能可把内存分为只读存储器ROM（ReadonlyMemory）和随机存储器RAM（Ran－domAccessMemory）。ROM顾名思义它所存的信息只能被读出，而不能被修改和删除，故只用于存放固定程序（如监控程序、汇编程序等）。而RAM就是我们所说的内存，它主要用来存放各种数据、中间结果，以及与外部存储器交换信息。由于RAM由电子器件组成，所以只能用暂时存放程序和数据，如果一旦关闭电源，其中的数据就会丢失。现在的RAM多为mos型半导体电路，分为静态和动…     

网络经济新引擎——网络时代智能化存储系列产品Sun StorEdge~(TM)T3面市

<正> 当今,正值迈向一个信息网络的时代,人们希望拥有更多大容量、高速率的存储器产品,以适应网络时代的到来。 因特网改变了商务特性,Sun也在改变存储器的特性,它打破了传统的连接服务器的存储器的概念,将之变换成动态型、智能化、基于网络的存储服务,并出台了一种旨在适应网络经济需要的存储解决方案。作为存储器市场的重要供应商、开放系统运动的先驱者,Sun把存储器带入.com时代。Sun推出的新型系列产品SunStorEdge~(TM) T3阵列、软件解决方案,以     

新型非易失存储I/O栈综述

随着新型非易失存储介质的出现,软件I/O栈的开销已经成为存储系统的性能瓶颈.首先详述了基于磁盘的传统I/O栈的各个软件层次和请求经过I/O栈的一般流程.在分析了传统I/O栈在闪存(flash)、相变存储器(phase change memory,PCM)等新型非易失存储介质构成的存储系统中存在的问题后,对专门为PCIe固态硬盘(solid state drive,SSD)设计的高性能主机控制器接口——NVMe接口及基于该接口的I/O栈、请求流程进行了详细介绍.最后,针对相变存储器、阻变存储器(resistive randomaccess memory,RRAM)和自旋转移矩磁阻随机存储器(spin-transfer torque magnetic random access memory,STT-MRAM)等下一代存储介质,对I/O栈在中断使用、文件系统权限检查等方面带来的性能问题进行了详细分析,指出未来I/O栈设计要考虑的问题.     

内存条的秘密

第一篇内存的发展历程存储器是具有"记忆"功能的物理器件,它用电子元件的两种物理状态来表示Ｍ进制数码"０"和"１"。根据存储器在计算机中所处于位置的不同,存储器可分为内存储器和外存储器。常用内存储器（以下简称内存）为半导体器件,安装在主机内部的主机板上。计算机运行时内存可直接与ＣＰＵ交换数据。常用的外存储器有磁盘和光盘,计算机运行时外存储器可以和内存储器交换信息。构成内存系统的存储器芯片,按照其工作原理可分为ＲＡＭ、ＲＯＭ两个大类,各自有不同的功能和性能。ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒ）又称…     

MPC860芯片及其存储器控制技术应用研究

MPC860芯片是Motorola公司生产的一种功能强大的PowerPC通信控制芯片,广泛应用于大型通信与实时控制系统。为充分发挥MPC860芯片的强大控制功能,提高数据通信率,必须使用大容量的flash RPROM（快速闪烁存储器）与SDRAM（同步动态存储器）。然而因为存储器芯片制造工艺的提高、存储容量的扩大,存储器芯片的控制时序也变得更复杂。MPC860芯片在设计制造过程中,增加了外围存储器的控制逻辑,减少应用者开发时的困难。MPC860芯片的存储器控制功能增加的同时,也提高了MPC860芯片的生存能力。针对MPC860芯片的强大功能,本文对MPC860芯片的存储器控制技术进行了深入研究,并提出了解决多机访问MPC860芯片管理的存储器的控制技术。     

与i860高性能微处理器匹配的存储器系统设计

设计一个性能与1860相匹配、价格与功耗适中的存储器系统是1860高性能微处理器充分发挥潜能、得到广泛应用的重要前提。本文对存储器系统总体设计、系统总线到DRAM的地址路径设计、主要模块（DRAM存储体、DRAM阵列地址译码、存储器奇偶校验等）设计及近访问判定等等分别进行了详细讨论，并据此给出一个能提供i860所要求的性能且性能价格比高的异步控制交叉访问DRAM系统设计。     

英特尔与恒忆公布突破性相变存储器技术研究成果

2009年10月28日,美国加州圣克拉拉＆瑞士日内瓦——英特尔公司与恒忆（Numonyx B．V．）今天公布了一项突破性的相变存储器（PCM）研究成果,这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。