电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源

因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采用gpdk090 CMOS工艺,通过Spectre仿真,当电源电压为3.6 V、在-60℃~-120℃温度范围内、温度系数为14.4×10-6/℃时电源电压抑制比为78.3 d B,输出电压平均为1.162 V。     

BiCMOS带隙基准源的设计

设计了一款具有高稳定性,低功耗的带隙基准源,采用1.5μm B iCMOS工艺制造,在-40℃~100℃它们的平均温度系数为29×10-6/℃,电源电压抑制比为60dB。在电源电压为3.7V的情况下工作功耗为144μW,低功耗高精度的特性使它非常适合在混合信号设计的IC中应用。     

一种3ppm/℃带隙基准电压源的设计

采用二级温度补偿对传统电流模式结构的带隙基准电压电路进行改进,基于chartered 0.35um cmos工艺,使用cadencespectre进行仿真,结果表明工作电压为2v时,电路可以输出100mv-1.8v的宽范围电压;在-20-120温度范围内,平均温度系数约3ppm/℃.     

一种二阶曲率补偿带隙基准的设计

针对高压电源芯片的需要,提出了一种二次曲率补偿的带隙基准源.该电路在传统带隙基准结构的基础上,利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数变化的规律,对带隙基准进行高阶温度补偿.该电路具有温度补偿精度高、电路结构简单且能输出高电位电压基准等优点.采用40VBiCMOS高压工艺流片,仿真用Cadence软件中的spectre工具,流片后测试结果为,工作电源电压±12V,输出电压为-10.78V,在-55℃～125℃范围内,温度漂移系数为2.5ppm/℃,在20kHz时基准源输出电源抑制比为100dB.     

带曲率补偿的带隙基准电流源的设计

简单介绍了带隙基准源的基本原理,给出了一款基于Widlar结构的带曲率补偿的带隙基准电压电流源的设计方法,通过采用TSMC₀.5μm工艺库对电路进行仿真,在-40～150℃的温度范围内,其带隙基准的输出具有12ppm/℃的温度系数,电流基准的输出具有42ppm/℃。此外,文中还对曲率补偿电路的工作原理进行了分析,并且通过仿真波形对曲率补偿的工作机制进行了讨论。     

一种低压高精度CMOS带隙基准

设计了一种改进的带隙基准电压源,通过采用分段电流补偿的方法,实现了低压高精度供电。研究基于TSMC 0.35μm CMOS 3V工艺基础,重点考虑主要工作温度区域输出电压随温度变化的精度问题。仿真结果表明,该电路可提供低至500mV的低压,实现了高阶电流补偿,在-40℃～+100℃温度范围内其温漂系数仅为3.7ppm/℃,在芯片主要工作温度范围内,输出基准电压最大偏差小于8μV,低频时电源抑制比为-70dB。     

一种高阶补偿的开关电容带隙基准电路设计

介绍并设计一款具有高阶曲率补偿功能的开关电容式带隙基准电压源,采用自动调零技术,克服传统线性基准的失调缺陷,消除了失调电压的影响,提高了运放的输出精度.设计采用虚拟管,降低开关管关断时带来的寄生效应;通过架构引入高阶补偿项,使输出电压温度曲线为正弦型,显著降低了温度系数.电路在0.35μm标准CMOS工艺下实现,通过仿...     

基于BiCMOS工艺的带隙基准电压源设计

电压基准是模拟集成电路的重要单元模块,本文在0.35um BiCMOS工艺下设计了一个带隙基准电压源.仿真结果表明,该基准源电路在典型情况下输出电压为1.16302V,在-45℃～105℃范围内,其温度系数为3.6ppm/℃,在在电源电压为3V～3.6V范围内,参考电压从.16295V～1.16308V,变化了130uV,电源电压调整率为0.0186%/V.     

一种CMOS带隙基准源的设计与仿真

分析了传统带隙基准源的基本原理,并在此基础上一款CMOS带隙基准源电路。该电路基于UMC0.18μm CMOS工艺设计,利用cadence软件进行仿真。仿真结果表明,CMOS带隙基准源稳定输出电压1.22V,该电路在温度从-50-100℃进行扫描,其变化率为10.7ppm/℃,电源电压在1.7V-1.9V范围内发生变化时帯隙基准源输出电压变化很小。     

一种带有曲率补偿的宽输入带隙基准源设计

在传统的一阶带隙基准电路的基础上,通过在电路中添加串联电阻和NPN型二极管并与电阻并联的方法,实现高阶曲率补偿。该电路不仅具有结构简单、使用器件少的优点,而且还能显著提高带隙基准的设计精度。另外,较宽的输入电压范围(10 V²5 V)有利于此带隙基准源应用在更宽的领域。仿真结果表明,通过华虹NEC 0.35μm BCD工艺,使用H-spice仿真软件对该电路仿真,在0℃25 V)有利于此带隙基准源应用在更宽的领域。仿真结果表明,通过华虹NEC 0.35μm BCD工艺,使用H-spice仿真软件对该电路仿真,在0℃⁸0℃温度范围内,其带隙基准的温度系数仅为0.501 ppm/℃;在10 V80℃温度范围内,其带隙基准的温度系数仅为0.501 ppm/℃;在10 V²5 V输入电压范围内,输出电压摆幅为31.49 mV。     

一种高精度的带隙基准电压源及电流源

设计了一种采用0．25μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源,该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达5ppm／℃,电源抑制比可达到62dB。在此基础上设计了一种基准电流源,其温度系数可达6ppm／℃,输出电流变化率仅为0．03％／V。     

一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准

本文介绍了一种高精度高电源抑制的CMOS带隙电压基准,电源电压3V.该电路的实现是基于0.6um 5V的CMOS工艺.为了达到较高的精度和电源抑制比,电路中采用了一个PMOS电流源做调整管,以保证基准核的电流恒定.仿真结果表明,该基准电路在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-40℃至120℃.时,温度系数只有3.5ppm,输出电压误差为0.65mV.     

新型的2ppm/℃分段线性bandgap电压基准源设计

bandgap是模拟电路当中的基本单元,其性能对整体电路起着关键的作用。一阶温度补偿的bandgap电压基准源其温度系数一般大于10ppm/℃,无法应用于一些高精度的系统当中。传统的Banba结构的二阶温度补偿只能对高温度段的温度系数进行调整,而低温度段的温度系数会恶化,因此难以得到极低的温度系数。提出了一种新型的分段线性补偿bandgap电压基准源电路。该电路能够在原有一阶补偿电路的基础上,对bandgap的输出电压进行分段线性曲率补偿。最终采用sm ic0.35μm工艺仿真后,bandgap输出电压的温度系数小于2ppm/℃。     

一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计

在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度,高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路。整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进行仿真,在TT模型下,仿真结果显示当温度为-40℃～80℃,输出基准电压变化小于1.5mV,低频电源抑制比达到75dB以上。     

基于BiCMOS工艺可修调的高精度低温度系数带隙基准源设计

设计了一种利用电阻比值校正一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性来实现低温度系数的高精度低温度系数带隙基准源;同时设置了修调电路提高基准电压的输出精度.该带隙基准源采用0.8μm BiCMOS(Bipolar-CMOS)工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04 mm2.测试结果表明:在5 V电源电压下,在温度-40℃～125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0 V～7.0 V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13 mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA,电源调整率为6.7 nA/V.     

基于电流控制模式的低压、高PSRR基准源

基于可调电流控制模式设计出一种低压、高电源抑制比的带隙基准电压源电路。采用电流控制模式和多反馈环路,提高电路的整体电源抑制比;通过电阻分压的方式,使电路达到低压,同时提供偏压,简化偏置电路。采用0.5μmCMOS N阱工艺,电路可在电源电压为1.5V时正常工作。使用Cadence Spectre进行仿真结果表明,低频时电源抑制比(PSRR)高达107dB。-10℃～125℃温度范围内,平均温度系数约7.17ppm/℃,功耗仅为0.525mW。此电路能有效地抑制制程变异。     

高压CMOS电路的设计及制造工艺研究

介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂漏区以形成漂移区等提高MOS晶体管击穿电压的一系列技术措施,使MOS晶体管的源漏击穿电压提高至35V以上,电路在24V电压下可以正常工作。     

低功耗高性能的全MOS电压基准源设计

设计了一种基于亚阈值技术的全MOS电压基准源,采用共源共栅结构来增大PSRR,使用MOS管代替电阻,优化温度特性,使电路中大部分MOS管工作于亚阈值区。基于0.18μm CMOS工艺进行设计、版图绘制、和前、后仿真,在后仿真中得出相关参数值。对各参数做出详细分析,包括:一定温度范围内的温度系数;常温下基准输出电压;不同电源电压条件下的线性调整率、基准源静态电流及功耗,并对不同频率下的电源电压抑制比进行了对比。实验结果表明达到了低功耗高性能的设计目标。