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溅射沉积Cu膜生长的Monte Carlo模拟 总被引:7,自引:0,他引:7
在本文中,我们建立了一个较完整的基于动力学晶格蒙特卡罗方法的模拟薄膜生长的三维模型,利用该模型我们研究了溅射沉积条件下粒子的沉积角度、沉积速率以及入射能量对Cu膜生长的影响.模拟结果表明Cu膜表面粗糙度会随沉积角度和沉积速率的增大而增大,而相对密度随之减小.模拟的薄膜的三维形貌显示,在薄膜的表面存在着柱状结构,这与实验是相符的. 相似文献
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低温生长硅基碳化硅薄膜研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在850℃的低温下,在Si(100)衬底上生长了3C-SiC薄膜,气源为SiH4和C2H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的3C-SiC结晶层,其中的Si/C比约为1.2。 相似文献
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采用溶胶凝胶工艺并结合旋转涂布技术在Al基片上沉积硅氧化物薄膜,由扫描电镜(SEM)、投射电镜(TEM)、电子衍射(ED)、X射线能量散射(EDX)考察了溶胶性质、升温速率、控制干燥剂等对薄膜的表面形貌影响以及薄膜的结构特点。研究结果表明:在Al基体上制备了表面较均匀、无裂缝的非晶态硅氧化物薄膜,其中O和Si的原子比接近2。利用碱性溶胶在较低的升温速率条件下可以克服薄膜表面裂纹的产生,添加少量控制干燥剂DMF可在较高的升温速率时获得比表面积大、无裂缝的均匀薄膜,有望作为蛋白质芯片的固相载体. 相似文献
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室温下,利用磁控溅射在P型Si(100)衬底上沉积了Cu膜。利用原子力显微镜(AFM)对较短沉积时间内制备的样品形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时Cu在Si衬底上沉积成核的演化过程。随着沉积的进行,Si基表面的成核密度随着时间的增加而增大;核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜。在溅射到15 s时,发现奇异现象。 相似文献
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在 8 5 0℃的低温下 ,在Si( 10 0 )衬底上生长了 3C SiC薄膜 ,气源为SiH4和C2 H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的 3C SiC结晶层 ,其中的Si/C比约为 1 2。 相似文献
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用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构.利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜. 相似文献
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用热丝法在硬质合金基体上沉积金刚石膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用XRD,SEM和Raman光谱仪,洛氏硬度计等分析检测手段。研究了经表面两步法侵蚀后,YG15硬质合金基体上用热丝法沉积出的金刚石薄膜的晶体结构,显微组织,化学纯度及粘结性能等,结果表明,硬质合金基体表面一定深度范围内钴含量的变化。对金刚石薄膜的晶体结构取向,组织形态,化学纯度及粘结性能等有很大影响。(1)在基体表面深度约为5μm范围内,当钴含量为0.81%时,金刚厂长汪膜具有明显的{111}面取向,其金刚石纯度较高;而当钴含量为1.05%时,具有{110}和{111}面的混合取向,其金刚石纯度较低,且其薄膜具有较高的内应力。(2)当CVD沉积温度为800℃时,金刚石薄膜的晶粒度约为1-3μm。(3)与多边形金刚石薄膜相比,菱形金刚石薄膜与硬质合金基体具有较高的粘结性能。 相似文献
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借助金相显微镜,SEM、EDXA对钼片上CVD金刚石膜的界面形貌和成分进行了研究,对比了加磁场与不加磁场所沉积的金刚石膜的横民面形态特征,结果表明:加磁场与否在CVD金刚石膜和钼基体之间均存在数μm厚的Mo2C中间层,它呈细小柱状昌方式生长,该层以下的钼基体发生了再结晶细化;加磁场沉积的金刚石膜较致密,(显微)空隙数量较小、金刚石颗粒尺寸较小、金刚石膜背面粘附较多的Mo2C聚集物。压痕试验法评定的 相似文献
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对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品的表面进行得AFM扫描看出,PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷。原因是p—Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其它缺陷引起的。将样品表面的XPS全谱及精细谱与表面的AFM扫描图进行对比分析,得出PTCDA在p—Si基底上的生长模式,即:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTC—DA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构。与硅衬底原子结合的过程为:苝环与缺陷处的Si原子结合,而酸酐基团与表面完整处的Si结合。结合时,藐环结构保持不变,而酸酐基团与Si发生化学反应,使酸酐中的C=O键断开,形成O-Si-C和硅氧化物。对PTCDA/p—Si样品的界面的XPS全扫描谱和精细图谱进行分析后,进一步验证了PTCDA在p—Si基底上的生长模式。 相似文献
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多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构 总被引:4,自引:0,他引:4
在玻璃基底和四种硅基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜。用AES和XRD对薄膜结构和组分进行测试,结果表明,五种基底上生长的ZnO薄膜在不同程度上都具有优良的纵均匀性、明显的c轴择优取向和较高的结晶度,而硅基底上薄膜的结构普遍优于玻璃基底上沉积的薄膜。 相似文献
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采用射频磁控溅射法溅射CoSi2合金靶材制备CoSi2薄膜,研究了制备参数对薄膜织构的影响。结果表明,CoSi2薄膜中存在(111)或(220)织构。织构的形成受溅射参数的影响。溅射功率越大,溅射气压越低,(111)织构越强烈。当基底温度增加时,织构经历了先增强后减弱的过程。 相似文献
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采用射频磁控溅射法制成含钇的二氧化锆薄膜,借助背散射分析(RBS)、透射电子显微镜(TEM)和X光衍射(XRD)方法研究了薄膜的化学剂量比、微观结构和相结构。同时研究了微观结构与机械性能(显微硬度、韧性、抗磨损性)之间的关系,以及退火对相稳定性的影响。 相似文献
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BOPP薄膜的凝聚态结构研究进展 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍了近年来国内外有关BOPP薄膜结晶行为、取向行为和取向机理等凝聚态结构方面的研究进展,并就近年来国内这方面研究中的一些问题进行了分析讨论,展望了进一步深入研究的前景。 相似文献
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双靶磁控溅射制备掺W氧化钒薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用双靶磁控溅射制备了掺钨氧化钒薄膜。X射线电子谱(XPS)对所沉积的薄膜进行了分析,发现掺W氧化钒薄膜的相结构比较复杂。通过特征峰标定了这些相。用面积灵敏度因子方法得到W掺杂量的结果。原子力显微镜给出了薄膜的表面形貌。其表面形貌特征随沉积条件的不同有一定的变化。 相似文献