AUIRFS3004．7P等：MOSFET

国际整流器公司推出车用MOSFET系列,可为一系列应用提供基准导通电阻（ROS（on））,包括电动助力转向系统（EPS）、集成式起动发电机（ISA）泵和电机控制,以及内燃机（ICE）和混合动力汽车平台上的其它重载应用。     

lR推出WideLead封装的车用MOSFET系列

国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出采用新型WideLeadTO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少50％引线电阻,并提高30％电流。这款新型车用MOSFET系列适合需要低导通电阻（Rds（on））的通用大负荷／高功率通孔应用,内燃机（ICE）汽车电动助力转向系统和电池开关,以及各类微型和全混合动力汽车。     

IR推出40V至200V车用MOSFET系列

国际整流器公司（IR）近13推出车用MOSFET系列,可为一系列应用提供基准导通电阻,包括电动助力转向系统、集成式起动发电机泵和电机控制,以及内燃机和？昆合动力汽车平台上的其它重载应用。     

AUIRF系列功率MOSFET

IR公司推出拓展了针对低导通电阻应用的汽车用功率MOSFET专用系列,包括车载电源及内燃机（ICE）、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。     

具有低导通电阻的汽车用MOSFET系列

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）宣布拓展了针对低导通电阻（RDS（on））应用的汽车用功率MOSFET专用系列,包括车载电源及内燃机（ICE）、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。     

E系列：MOSFET

Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻,以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中     

SOT-23系列：功率MOSFET

IR公司推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

Power MOSFET系列

Toshiba公司推出了一系列新的功率MOSFET产品,主要用于优化汽车中使用的风机、泵以及其他汽车运动控制应用。新MOSFET系列将导通电阻、输入电容以及封装 设计组合在一起,比以前的汽车MOSFET提供更好的散热和功率性能。     

Allegro推出新款汽车级三相MOSFET预驱动器IC

Allegro宣布推出新款汽车级三相MOSFET预驱动器IC,专为在电动助力转向系统中常见的BLDC电动机、发动机风扇、变速箱作动器和液压泵设计。Allegro A4933主要用于高功率、高扭矩和高温相结合的情况下,需要MOSEFT预驱动器的极端应用,MOSFET预驱动器可提供大型MOSFET门极驱动器和切换能力。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

低通态电阻MOSFET

东芝美国电子元件公司（TAEC）推出新的MOSFET系列产品,用于次级开关式电源（SMPS）的同步整流。东芝公司开发了4款新器件,优化了低导通电阻（RDS（ON））,以减少SMPS次级的电耗。     

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。     

μPA2600等：功率MOSFET

瑞萨电子株式会社推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品,适用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电子产品。具有低功耗（低导通电阻）,器件包括20V（VDSS）μPA2600和30VμPA2601,配置了超紧凑型2mm×2mm封装。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：SuperJunction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。     

Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology,Inc宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／,将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术,使公司进入使用功率转换技术的增量市场,包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。     

Si7137DP：P通道TrenchFET MOSFET

Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP,该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装,具有1．9mΩ（在10V时）、2．5mΩ（在4．5V时）和3．9mΩ（在2．5V时）的超低导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。     

可降低油耗的汽车电子系统

我们如何才能使汽车驾驶室具备更多的功能,使发动机具有更大的功率,同时还能够符合各国政府对每加仑行驶距离的要求?只有采用新一代的低导通电阻功率MOSFET将汽车中传统的电力系统和液压系统改为电子系统,这些MOSFET不但可以提高汽车的舒适性和安全性,还能够提高燃油的行驶距离。     

Si$443DN／SiSS27DN：MOSFET

Vishay推出采用PowerPAK1212-8封装的-40VSIS443DN和PowerPAK1212—8S封装的一30VSiSS27DN器件,扩充其TrenchFETGenIIIP沟道功率MOSFET。VishaySiliconixSiS443DN在-10V和-4．5V栅极驱动下具有较低的导通电阻,是-40VP沟道GenIII器件;SiSS27DN是采用PowerPAK1212—8S封装的-30VMOSFET。