AlN基板用厚膜浆料发展评述

介绍了AlN基片所用厚膜浆料的产品性能。从金属粉体的制备,粘结方式探索和烧结工艺的改进等方面综述了该领域的研究进展。目前粉体制备还是以化学还原为主。粘结方式中,玻璃相粘结具有较高的可靠性;反应粘结因导热性和热应力等方面的优势,使其成为AlN基板厚膜浆料粘结的重要方式。     

电镜分析在精细陶瓷粉体制备中的应用

精细陶瓷在当代材料技术发展中占有非常重要的地位。与金属材料、有机高分子材料相比,它具有更多实用价值的功能,并具有热稳定性和化学稳定性的特点,所以可用它制作各种功能陶瓷产品。此外,在高温条件下具有高强度和耐腐蚀性,因而也可作为高温结构材料来使用。具有广泛的应用前景。然而,以原料到瓷体制备工艺中每一环节都会影响到瓷体的性能,其中理想粉体的制备是获得优质陶瓷的关键。本文则用电子显微镜来分析粉体性能与制备工艺条件之间的关系,这对粉体的制备工艺将会有实际的指导意义。     

激光法制备纳米粉体的研究现状

综述了激光法制备纳米粉体的应用研究现状。对各种纳米粉体的激光制备工艺、原材料及其特点进行了阐述,具体分析了激光技术在Si/C/N纳米粉体及其它粉体制备中的应用,并对该项技术应用前景进行了展望。     

用颗粒表面改性技术制备掺锰Y-BaTiO_3PTCR陶瓷

颗粒表面改性技术的主要原理是通过一定的处理方法，在粉体颗粒上包裹一层欲掺杂元素的可溶性盐，并通过煅烧合成，制得颗粒表面改性的粉体。这种技术作为晶界控制的尝试，是一种具有重大意义的新的陶瓷粉体制备技术。用这种技术制备的掺锰Ｙ－ＢａＴｉ３ＰＴＣＲ陶瓷比用传统固相法制备出的同种ＰＴＣＲ陶瓷，性能更加优良     

微复合技术制备超细CaSiO_3导电粉

用sol-gel法粉体技术和化学镀膜技术的微观复合,在溶液中得到超细CaSiO3导电粉。讨论了醛基溶液浓度、溶液pH值对导电粉性能的影响,确定了导电粉制备的工艺条件为:n(CaSiO3粉体)∶n(Tollen试剂)=1∶1,且pH=9。用SEM/EDS对粉体形貌和元素组成进行表征和分析,得出CaSiO3导电粉体粒径为30~50μm,体积电阻率在10–6?·m以下。     

工艺参数对TiO2-Ag烧结体导电性的影响

用sol-gel法粉体技术制备TiO2粉,在TiO2粉体上用化学镀的方法制备了Ag为包覆层的复合导电粉体.测试TiO2-Ag复合导电粉体的体积电阻率,讨论了含银量、压力、煅烧温度对其体积电阻率的影响.试验结果表明,制备的粉体导电性能良好,且粉体烧结温度低.     

低介电损耗AlN陶瓷及BN—AlN基陶瓷材料研究

首先利用化学工艺制备出烧结助剂Y2O3均匀混合的AlN粉体及BN均匀包覆AlN的复合粉体。利用无压烧结制备出AlN陶瓷及BN—AlN基复相陶瓷。通过对陶瓷显微结构、热性能及微波介电性能的研究发现,通过化学工艺,将BN包覆到AlN粉体表面,制备出显微结构均匀的AlN-20％BN（质量比）复相陶,其热导率为78．1w／m·K,在Ka波段介电常数为7．2、介电损耗最小值为13×10^-4通过材料化学工艺,将烧结助剂Y2O3均匀添加到AlN基体中,制备出热导率为154．2w／m·K,在Ka波段介电常数为8．5、介电损耗最小值为9．3×10^-4的AlN陶瓷材料。     

用还原氮化法制备氮化铝粉末

研究了用还原氮化法制备氮化铝(AlN)粉末的过程。用XRD、DTA等手段确定了氮化反应的开始温度,并从热力学角度进行了讨论。通过实验研究了氮化速率。对制备出的AlN粉末性质进行了观察和检测,其结果表明所获AlN粉烧结性能良好、纯度高、颗粒微细。     

激光在纳米粉体制备中的应用

分析了激光诱导化学气相沉积法和激光烧蚀法制备纳米粉体技术的特点、原理及其装置,阐述了激光法纳米粉体制备的影响因素,综述了激光技术在纳米粉体制备中的应用研究现状,展望了该项技术的发展前景。     

AlN粉末抗水解处理的研究进展

为了解决AlN粉末极易水解的问题,使AlN陶瓷在热、电、力和光学等方面的优良性能得到广泛应用,对AlN粉末的水解机理、水解程度表征方法的研究进行了综述。归纳了AlN粉末抗水解处理的方法及存在的问题。阐述了AlN粉末抗水解处理方法未来的研究方向。     

六方氮化硼在二维晶体微电子器件中的应用与进展

六方氮化硼(h-BN)因其优异的性能和潜在的应用前景而受到广泛关注.着眼于h-BN在微电子器件领域中的发展与应用,总结了近年来国内外通过化学气相沉积(CVD)方法实现h-BN的高质量、大规模可控制备及图形化的代表性工作.围绕h-BN的高介电常数、原子级平滑表面、高导热性和高稳定性,重点介绍了h-BN在二维晶体介电衬底、...     

超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势

作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶格常数和热膨胀系数。这些特点决定了AlN在GaN外延、紫外光源、辐射探测器、微波毫米波器件、光电器件、电力电子器件以及声表面波器件等领域具有广阔的应用前景。介绍了AlN材料在功率器件、深紫外LED、激光器、传感器以及滤波器等领域的应用现状,并对AlN材料及其应用的未来发展趋势进行了分析和展望。     

氮气流量对磁控溅射AlN薄膜光学性能的影响

AlN薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点.采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜.利用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能.结果表明随着氮气流量的增加,AIN薄膜质量变好,N2流量为8 cma/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm-1处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜.在300～ 900 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94％;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV.     

Emerging gallium nitride based devices

Wide bandgap GaN has long been sought for its applications to blue and UV emitters and high temperature/high power electronic devices. Recent introduction of commercial blue and blue-green LED's have led to a plethora of activity in all three continents into the heterostructures based on GaN and its alloys with AlN and InN. In this review, the status and future prospects of emerging wide bandgap gallium nitride semiconductor devices are discussed. Recent successes in p-doping of GaN and its alloys with InN and AlN, and in n-doping with much reduced background concentrations have paved the way for the design, fabrication, and characterization of devices such as MESFET's, MISFET's, HBT's, LED's, and optically pumped lasers. We discuss the electrical properties of these devices and their drawbacks followed by future prospects. After a short elucidation of materials characteristics of the nitrides, we explore their electrical transport properties in detail. Recent progress in processing such as formation of low-resistance ohmic contacts and etching is also presented. The promising features of quarternaries and double heterostructures in relation to possible current injection lasers, LED's, and photodetectors are also elaborated on     

当前直接覆铜技术的研究进展

叙述了近期国内外关于直接覆铜(DBC)技术的发展动态,指出DBC技术在电力电子模块、LED器件以及半导体制冷等领域的广泛应用,特别是AlN基片的DBC工艺研究应该引起有关科技人员的关注。     

SiC及其功率器件的激光制孔研究进展

SiC作为第三代半导体材料的典型代表,因具有优异的物化性能,在功率器件领域具有极大的应用前景.文章简要介绍了激光制孔的基本原理,综述了 SiC的长脉冲与超短脉冲激光制孔研究进展,对比了长脉冲与超短脉冲激光的加工特点,分析了不同脉冲宽度下SiC的制孔效果.同时,介绍了 GaN/SiC,AlGaN/GaN/SiC等SiC功率器件的激光制孔研究现状.最后,指出了 SiC及其功率器件激光制孔面临的挑战,并展望了未来的发展方向.     

半导体用陶瓷绝缘基板成型方法研究

陶瓷材料是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基板的重要材料体系。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。成型是陶瓷基板的制备过程的关键环节,也是陶瓷基板制备的难点。本文介绍了流延成型、凝胶注模成型和新型3D打印成型等几种基板成型方法,分析了不同成型方法的特点、优势及技术难点。介绍了了近年来国内外陶瓷基板成型的研究现状,并对其未来发展及应用进行了展望。     

基于PECVD的SiO2薄膜制备研究进展

二氧化硅(SiO₂)薄膜因其卓越的光学性能,在半导体器件、集成电路、光学涂层等领域具有巨大的应用潜力。然而,SiO₂薄膜制备过程中面临表面粗糙度、杂质控制和致密性等问题。为解决这些问题,研究者们通过工艺改进和表面修饰等手段来提高SiO₂薄膜的性能。在众多SiO₂薄膜制备技术中,等离子体增强化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)技术由于沉积SiO₂薄膜所需温度低、原位生长等优势,成为制备SiO₂薄膜最常用的方法。综述了用PECVD技术制备SiO₂薄膜的发展历程,并探讨了关键工艺参数和后处理工艺对薄膜质量的影响。对PECVD技术的深入研究,有助于实现对SiO₂薄膜生长的更精准控制,进一步拓展其广泛的应用前景。     

AIN膜及其在半导体光电器件中的应用

本文报道溅射AlN膜及其应用于半导体光电器件的实验研究结果。测定了不同条件下溅射的AlN膜厚度、淀积速率、折射率和击穿电场强度。首次用AlN膜做器件的端面保护和减反射膜以及表面钝化膜均获得成功。几种常用介质膜的实验数据对比分析表明AlN膜在半导体光电器件领域将有广阔应用前景。