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相似文献
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1.
何遐龄  曾大富 《微电子学》1996,26(6):390-397
介绍了一种MCM12位逐次逼近型A/D转换器SAD503的特点和工作原理,探讨了它的系统设计、电路设计、工艺技术,阐述了其研制及应用。这种A/D转换器在36.5mm×10.5mm的双层薄膜布线陶瓷基板上组装了18个IC裸芯片和其他片式器件及电阻网络,并封装于32引出端双列直插式陶瓷管壳中。线性误差±1/2LSB,微分线性误差<±1LSB,转换时间6μs,最大功耗870mW  相似文献   

2.
带32位微控制器的20级流水线型A/D转换器美国国家半导体公司的研究人员开发了一种IAIHZ采样速率16十位A/D转换器IC,该电路功耗仅200mw,数字电路的电源为3.3V.模拟电路电源为5V。IC芯片采用20级、每级1位流水线型结构,并包含了一个...  相似文献   

3.
098A/D转换接口在使用中应注意的问题曹保根王云景098微控制器(MicroControlerUnit)是一种准16位单片机,提供了4路10位A/D转换功能。在采用12MHz晶振时,完成一次A/D转换的时间为22μs,这给中低速数据采集系统的开发应...  相似文献   

4.
江泽福 《微电子学》1994,24(6):18-21
SAD0820高速8位A/D转换器是一种具有跟踪/保持功能的8位高速微机兼容A/D转换器,其转换时间为1.5us,功耗为75mW,用串并结构来实现A/D转换器的高速。每4位ADC分别由15个比较器构成;单一电源工作,采用双层多晶硅p阱CMOS工艺制作。  相似文献   

5.
马胜前 《电子技术》1997,24(3):25-26
文章介绍了用PIC16C55实现12位串行A/D的方法,以测量温度为例讨论了硬件和软件  相似文献   

6.
介绍通过51系列单片机外扩8位D/A和A/D转换器。将原来的8位分辨率提高到16位分辨率的方法,包括用两个DAC0832构成16位D/A、用ADC0804和DAC0832构成16位A/D以及任意分辨率A/D转换器的实现。这些方法具有电路和编程简单、投资节省等特点。  相似文献   

7.
陈亮 《微电子学》1997,27(4):276-279
详细论述了一种建立时间为50ns(max,精确到0.1%)的高速缓冲器的工作原理及其特殊结构。借助Tspice和CAD技术对电路设计和工艺过程中的实时参数进行模拟设计,使研制的高速缓冲器具有高速度、高精度和高可靠性。介绍了高速缓冲器在转换时间为6μs的12位A/D转换器中的应用情况。  相似文献   

8.
王朝炎 《微电子学》1998,28(2):129-132
阐述了一种含相加器的高速12位D/A转换器的设计和应用,该电路实现I-V转换和相加器功能仅用1级视频运效,其内含相加器的小信号带宽为30~40MHz传输延迟15ns该D/A转换器的稳定时间为250ns,用于压控振荡器时,可获得的高最输出电压仅比+Vs低2~3V,在全温范围内,其线性误差,微分线性误差,相加器线性误差,相加器微分线性误差分别达±1/2LSB。  相似文献   

9.
杜尚 《电子产品世界》1998,(6):77-77,29
在Motorola微控制器中,A/D转换的最常用的实现方法是逐次近似(SAR)法。采用SAR法的典型的A/D转换器具有8位的分辨率和10到16个时钟周期的转换时间。转换速率是SARA/D的优点之一,但是出于许多理由,要把它的分辨率增加到8位以上是困难...  相似文献   

10.
元器件快讯     
新型DC/DC开关转换器MIC2141是Micrel推出的新型DC/DC开关转换器 ,其输入电压范围为2 5~16V ,可作为蜂窝电话和PDAS等小型设备中的彩色液晶显示的偏压电源 ,该偏压可以由使用者根据要求进行调节。MIC2141还可用于单个或三个Li/LiMg电池到四个NiCd/NiMH电池的转换 ,而完成这一转换仅需4个外部元件 ,MIC2141静态电流只有70μA ,采用5引脚的SOT -23封装 ,售价为1 45美元。咨询编号 :010241超小型低价格射频数据模块LinxTechnologies推出的…  相似文献   

11.
MAX120是一种新型的12位A/D转换芯片,用它可以实现高达500kHz的采样率,内带取样保持电路,时序与大多数μP兼容外围电路设计简单,调试方便。  相似文献   

12.
串行A/D转换器TLC2543与TMS320C25的接口及编程   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文以TI公司的DSP芯片芯片TMS320C25与11通道12位串行模/数转换芯片TLC2543为例,介绍该类ADC与DSP的接口及编程,这种方法对于其它具有SPI串行接口的A/D转换器一样适用。  相似文献   

13.
王若虚 《微电子学》1996,26(4):250-259
介绍了一种12位A/D转换器。就电路的工作原理、设计特点及测试结果等方面进行了探讨。电路在标准双极工艺生成单片IC的基础上,采用了陶瓷基板上的多芯片厚膜组装工艺、双层金导带布线、多芯片混合组装及大腔体管壳的储能点焊等技术,在21mm×41mm的陶瓷基板上混合组装了8个集成电路芯片、7个贴片电容和8个厚膜电阻。经测试,电路转换时间小于20μs,最大线性误差和最大微分线性误差为0.012%FSR。电路采用32引出端双列直插全金属平底管壳(MP32)封装,在±15V、+5V电源下电路总功耗低于900mW。  相似文献   

14.
提出了一种新型8位电流模逐次渐近型A/D转换器,采用2ump-阱CMOS工艺参数,PSPICE模拟结果表明:功耗为8mW,转换时间为1us。若改用亚微米工艺,则转换时间还可大大缩短。  相似文献   

15.
舒辉然  苏玲 《微电子学》1995,25(4):12-17
本文介绍了一种高速单片CMOS12位D/A转换器的设计。着重阐述了电阻开关网络的按比例匹配设计原理、结构特点,激光动态修调网络的结构设计,以及逻辑控制和功能特点。该D/A转换器的线性误差、微分误差满刻度误差均满足12位精度。在15V工作电压下,满度电流建立时间为0.6μs,功耗20mW。  相似文献   

16.
介绍了16位的高速A/D转换器ADS7805芯片的特性与功能,并从硬件连接和软件设计两个方面讨论了该芯片与16位单片机80C196的接口方法。  相似文献   

17.
王若虚 《电子器件》1997,20(1):28-31
本文介绍了一种单片12位逐次逼近型A/D转换器。它能在小于6μs的转换时间内净0-10V或-5-5V输入的范围的模拟电压转换成相对应的12位数字输出在码。电路采用p-n结隔离标准3μm双极工艺制作,在-45-+85℃温度范围,电路的线性误差和微分线性误差皆小于0.012%FSR。  相似文献   

18.
一种分区式高速12位A/D转换器   总被引:1,自引:0,他引:1  
王若虚 《微电子学》1998,28(4):254-259
介绍了一个高速12位分区式A/D转换器的设计。电路采用“3位+3位+8位”的三级分区式结构。其中的8位ADC为折叠插入式ADC,误差校正采用模拟校正、数字编码形式。采用2μmBiCMOS设计规划设计的电路,经PSPICE仿真,在±5V电源下,采样频率高达3MHz。  相似文献   

19.
钟珂  陈键 《电声技术》1997,(11):2-7
∑-△A/D转换技术近年来颇受重视,因为基于该技术的A/D转换器能达到很高的分辨率(16bit以上),并另具一系列优点。本文对∑-△A/D转换器的基本原理,包括过采样(Oversampling),噪声成形(Noise Shaping),以及数字抽取滤波(Dingital Decimation Filtering)等内容,均作了叙述。作者还对一个20bit∑-△转换器的算法进行了计算机仿真。该转换器  相似文献   

20.
12位600ks/s数字式自校准流水线型算法A/D转换器=A12-b600ks/sdigitallyself-cali-bratedpipelinedalgorithmicADC[刊,英]/Lee,Hae-Seung∥IEEEJ.Sol.Sta,Ci...  相似文献   

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