掺镁铌酸钾锂晶体的生长与介电特性

首次用提拉法生长了K3Li2 Nb5O15∶Mg晶体 ,在 10～70 0K的温度范围内 ,研究了该晶体的c、a方向片的介电温度特性 ,测量了频率在 5× 10 2 ～ 5× 10 8Hz范围内介电常数的频率依赖关系。结果表明除了在 62 3K附近有铁电 -顺电相变以外 ,还在 80K左右存在铁电 -铁电相变 ,其介电弛豫频率约为2 5 0MHz左右。     

掺锌铌酸锂晶体的拉曼光谱

为研究LiNbO3晶体中Zn2 浓度对拉曼光谱的影响,以及Zn2 在LiNbO3晶体中的占位和Zn:LiNbO3晶体的结构,分别在LiNbO3中掺进摩尔分数为0.02、0.04、0.06、0.08 ZnO的Zn:LiNbO3晶体,进行其A1(To)和E(To)模的拉曼光谱测试.结果表明,当掺杂ZnO的摩尔分数小于0.06时,拉曼光谱变化不大,当掺杂ZnO的摩尔分数大干8%时,晶体拉曼光谱的274 cm-1峰变得模糊,E(To)模也混入A1(To)模中,晶体峰值变化较大.     

高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征

采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀件,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度△n、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体.晶体的紫外吸收边位于308 nm附近,OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处,光学均匀性达△n5.11×10~(-5).在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.     

掺镁铌酸锂晶体的光学均匀性和抗光伤性研究

研究了不同Ｌｉ／Ｎｂ克分子比、掺镁铌酸锂（ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ_３）晶体的光学均匀性和抗光伤特性．以二元同成分配比为基础，掺入约５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ_３晶体显示出高的抗光损伤特性，但光学均匀性较差．根据ＭｇＯ－Ｌｉ_２Ｏ－Ｎｂ_２Ｏ_５三元相关系研究寻找到的三元同成分配比，生长出的ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ_３晶体具有优良的光学均匀性，但其抗光伤能力低．发现当配料组成为Ｌｉ／Ｎｂ＝４７．８／５２．２，而ＭｇＯ的掺入量为５．７ｍｏｌ％时，晶体既具有良好的光学均匀性，也有较好的抗光伤性．     

掺镁铌酸锂晶体的光学均匀怀和抗光作性研究

研究了不同Ｌｉ／Ｎｂ克分子比，掺镁铌酸锂（ｍｇＯ：ＬｉＮｂＯ３）晶体的光学均匀性和我伤特性，以二地同成分配比为基础。掺入约５ｍｏｌ％ＭｇＯ的ＬｉＮｂＯ３晶体显示出高的抗光损伤特性，但光学均匀性较差，根据ＭｇＯ－Ｌｉ２Ｏ－Ｎｂ２Ｏ５三元相关系研究寻找到的三元同成分配比，生长出的ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体具有优良的光学均匀性。但其抗光伤能力低。     

光电晶体钽酸锂

光电子学是新兴的技术部门。从光源、光调制、倍频、偏转到接受、信息处理等都需要晶体元件及制造元件的晶体材料。钽酸锂光电晶体是一种铁电材料,具有较好的光电性能。做为调制材料,由于其光学均匀性好,抗光性好,用改变长度比调制电压可得到一百伏以下,是目前已达实用阶段的最好的调制晶体。用其做成的调制器可用于光电通讯,激光大屏幕彩色电视及电开关等。作为压电材料,由于它具有较高的机电耦合系数,在一定方位上频率常数的温度系数为     

高掺锌富锂铌酸锂晶体抗光损伤能力的研究

以Czochralski法生长Zn(6mol%): LiNbO3, Li/Nb=0.94, 0.97, 1, 1.02.测试晶体的光损伤阈值.采用质子交换法制作高掺锌富锂铌酸锂晶体光波导,研究了它们的抗光损伤能力.     

铌酸锂晶体化学键性质研究

利用平均能带模型研究了ＬiNbO3晶体化学键性质,结果表明,铌氧键的共价性为０．２,锂氧键的共价性为０．４２,利用由共价性和极化率定义的化学环境因子h计算LiNbO3中Ｃr^3 的Ｒacah参数和ＬiNbO3中Ｆe^2 的穆斯堡尔同质异能位移均与实验值一致。     

掺铜铌酸钾锂晶体光折变效应的研究

在铌酸钾锂晶体中掺进ＣｕＯ,采用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长Ｃｕ：ＫＬＮ晶体。测试Ｃｕ：ＫＬＮ晶体红外透射谱,研究ＯＨ＾－吸收峰发生红移的原因。以二波耦合光路测量Ｃｕ：ＣＬＮ晶体的光折变擦除曲线,计算擦除时间和光电导,研究Ｃｕ：ＫＬＮ晶体的光折变性能。     

掺铜铌酸钾锂晶体光析变效应的研究

在铌酸钾锂 (KLN)晶体中掺进CuO ,采用Czochralski法生长Cu∶KLN晶体。测试Cu∶KLN晶体红外透射谱 ,研究OH- 吸收峰发生红移的原因。以二波耦合光路测量Cu∶KLN晶体的光析变擦除曲线 ,计算擦除时间和光电导 ,研究Cu∶KLN晶体的光折变性能     

铌酸钾锂晶体的生长技术

铌酸钾锂被认为是目前综合性能指数最高的非线性光学晶体,在半导体二极管蓝激光倍频方面有广阔的应用前景。本文综述了用于蓝光倍频的铌酸钾锂晶体生长研究进展,比较了不同生长方法的优缺点,报道了我们在该晶体坩埚下降法生长研究方面的最新成果。     

铌酸钾锂晶体的生长研究

首次使用坩埚下降法生长了蓝光掊频晶体铌酸钾锂K₃Li_2-xNb_5＋xO_15＋2_x（0＜x＜0．5）,探讨了该晶体的最佳生长条件,包括组份选择、原料处理、炉温控制、温场设计等,成功地生长出直径10mm、长度25mm的透明KLN晶体．     

铌酸钾锂晶体的生长与性能

使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ10mm50mm、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体,讨论了引起晶体开裂的主要原因,研究了该晶体的光透过性能和介电性能,室温下该晶体的介电常数ε33=127,ε11=376,居里温度为380°     

铌酸锂晶体的结构与性能关系研究

在实验测定的结晶学数据基础上,键价模型和化学键方法都被应用于定量或定性的研究铌酸锂晶体的物理性质,例如介电性质(包括折射指数n0和二阶非线性光学系数dij)、居里温度Tc和自发极化率Ps.在前期工作中提出的Nb5+位依赖Li+位敏感的模型已成功地应用于铌酸锂晶体多种物理性质的研究.结果显示,其物理性质对晶体组成有强烈的依赖性.＃Nb5+位对于铌酸锂晶体的机械性质具有很强的影响;而Li+位也与晶体的介电性质密切相关,同时Li+位也是对+1～+5价不同掺杂剂敏感的晶格位置.     

钽铌酸锂晶体的介电谱研究

研究了钽铌酸锂(LiTa_xNb_(1-x)O_3,x=0,0.02,0.06,0.59,0.92和1.00)晶体在室温的低频和射频介电谱。给出了它们的自由介电常数和受夹介电常数。讨论了低频介电损耗与晶体组分的关系。指出低频介电响应的测量可以作为衡量晶体质量的一种手段。     

近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展

介绍了近化学计量比铌酸锂晶体的主要生长方法及其特点,总结了近化学计量比铌酸锂晶体的主要性能,通过与同成分铌酸锂晶体的比较,指出了近化学计量比铌酸锂晶体的主要应用优势,明确了该类晶体今后的研究重点.     

铌酸锂晶体的结构与性能关系研究

在实验测定的结晶学数据基础上，键价模型和化学键方法都被应用于定量或定性的研究铌酸锂晶体的物理性质，例如介电性质（包括折射指数n0和二阶非线性光学系数dij）、居里温度Te和自发极化率Ps。在前期工作中提出的Nb^5＋位依赖Li^＋位敏感的模型已成功地应用于铌酸锂晶体多种物理性质的研究。结果显示，其物理性质对晶体组成有强烈的依赖性。Nb^5＋位对于铌酸锂晶体的机械性质具有很强的影响；而Li^＋位也与晶体的介电性质密切相关．同时Li^＋位也是对＋1～＋5价不同掺杂剂敏感的晶格位置。     

高掺锌富锂铌酸锂体抗光损伤能力的研究

以Czochralski法生长Zn(6mol%)：LiNbO3,Li/Nb=0.94,0.97,1,1.02。测试晶体的光损伤阈值。采用质子交换法制作高掺锌富锂铌酸锂晶体光波导,研究了它们的抗光损伤能力。     

双掺铈锰铌酸钾锂晶体的生长及光折变性能的研究

在铌酸钾锂(KLN)中掺进CeO2和MnCO3,采用Czchralski法首次生长CeMnKLN晶体,测试晶体的晶格常数,CeMnKLN晶体的晶格常数变小.测试晶体的吸收光谱,它的吸收边相对KLN晶体发生红移.研究晶体吸收边发生红移的原因.以二波耦合光路测试CeMnKLN晶体的指数增益系数Γ.它的指数增益系数最大值Γmax=9.2cm-1,大于KLN晶体的Γ值.