单芯片FRAM存储解决方案成为嵌入式设计的理想选择

选用存储器时主要考虑的指标包括安全性、使用寿命、读写速度、产品功耗和存储容量等。FRAM（铁电存储器）由于具有ROM的非易失性和RAM的随机存取特性，以及高速读写／高读写耐久性（高达1014次）和抗辐射特性，非常适合许多工业类和医疗类应用。     

DDRⅡ SRAM在超宽带雷达信号生成中的控制设计与实现

介绍了一种新型高速静态存储器——DDRⅡ SRAM（Double Data Rate）的存储器结构、端口设计,并在硬件平台上实现了存储器单时钟读写模式下不同读写时钟的控制实现。该方案实现了工程设计中动态数据的实时更新,并在超宽带雷达信号生成过程中对雷达特征数据的高速读取和实时更新验证了其可行性。     

存储器IC分类的纠结

说起存储器IC的分类,大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。RAM是Random Access Memory的缩写,翻译过来就是随机存取存储器,随机存取可以理解为能够高速读写。常见的RAM又可以分成SRAM（Static RAM：静态RAM）和DRAM（dynamicRAM：动态RAM）。     

VxWorks系统下的NVRAM To Flash驱动程序设计

NVRAM(非易失性随机存储器)因其具有读写速度快、数据非易失的特点,常用来存取重要数据。在读写速度要求不高的场合,为降低成本,可用现有的Flash存储器来代替NVRAM,这需要提供NVRAM To Flash驱动。但现有的驱动效率不高,写数据速度太慢,给使用者带来不便。基于Vx-W orks操作系统,提出一种新的NVRAM To Flash驱动程序设计方法,该方法实现了NVRAM的两个接口函数,通过减少擦除Flash次数,提高了数据读写速度。     

用软件实现DS1820的CRC校验

DS1820是采用单总线协议的数字温度传感器,其内部自带有循环冗余码CRC（Cyclic Redundancy Code）硬件发生电路,但实际使用时,许多人为了避免整个程序的复杂性,往往忽略了此功能。本文详细介绍了用两种不同的软件方法编程实现其只读存储器（ROM）和读写存储器（RAM）的CRC校验。     

半导体业界的大赢家2000年存储器市场风云回顾

2000年,对半导体市场来说是激动人心的一年。据SIA（半导体行业协会）报道：全球半导体销售首次突破2000亿美元,达到2050亿美元,比1999年增长37．1％。其中,存储器市场秉承99年发展事态,以势如破竹之势获得迅猛发展,DRAM（动态读写存储器）、Flash（闪存）、SRAM（静态随机存取存储器）、EPROM（可擦除式可编程只读存储器）、EEPROM（电可擦处可编程只读存储器）市场都有不同程度的窜升,尤以Flash市场战绩最为显赫,在全球通信行业的发展热浪的推动下获得248％的增长率。二十一世纪的今天,让我们重温二十世纪最后一年存储器行业曾经的辉煌。     

DDR SDRAM引领内存新风采

回顾20多年前，DRAM（动态读写存储器）之所以被采用为电脑存储的重要因素，其实是DRAM的性能及频宽能满足当时CPU需求所致。之后，由于CPU及系统性能的提升，DRAM的技术由Fast Page Mode（快速页面模式）DRAM，EDO DRAM（扩展数据输出）发展到同频式的SDRAM（静态随机存取存储器），PCB内存条在这个过程中其速度也由PC66，PC100提升到几年前才开始盛行的PCB内存条，从这个过程可以清楚地看出成本一直是主宰新技术取代旧技术的主要原因，而频宽则是相对主要的关键。     

基于单存储器架构的PDP图像数据处理方法

为降低PDP的成本，提高PDP图像数据处理的效率，在分析了双存储器架构图像数据处理方法的基础上，提出了一种单存储器架构的图像数据处理的方法。该方法通过压缩行场同步时间，提高数据处理速度，通过随机读写仲裁，实现一行时间内图像数据的随机读写。32英寸PDP的验证结果表明，单存储器架构使存储空间利用率提高了13．2％，时间利用效率提高了22％，并使存储器数量减少一半。     

SSD控制芯片提升效能、稳定度与延长使用寿命

慧荣科技宣布推出三款支持MLCFlash SSD（Solid State Drive）的控制芯片,分别是SM2231（PATA接口,支持双信道,读写速度为50MB／s和45MB／s）、SM2233（PATA接口,支持四信道,读写速度为100MB／s和80MB／s）及SM2240（SATA接口,支持四通道,读写速度为110MB／s和80MB／s）。     

讲解Cache

CPU的运算速度比主内存的读写速度要快得多,这是众所周知的。这样就使得CPU在访问内存时要花相当长的时间来等待内存的数据传递,造成了系统整体性能的下降。为此,在CPU与主内存之间加入了比主内存要快的Cache,以解决系统前后级数据读写速度不匹配的问题。Cache储存了主内存的映象,使CPU的速度差不多,从而大大缩短了数据读写的等待时间,系统的集体速度也自然得到提高。Cache的速度虽然快,但是成本太高,所以还不被用来替代主内存。Cache的工作原理Cache由标记存储器和数据存储器两个基本部分组成,标记存储器是用来储存Cache…     

快闪存储器及其应用

闪存采用国际上最前沿的半导体工艺技术生产,在存储密度、功耗、读写速度、数据保留与更新能力、可靠性、成本诸多方面性能独特,成为非易失性存储器产品中发展最快的一类,它与动态和静态随机存取存储器DRAM/SRAM一起,构成集成电路存储器业的三大主流产品。     

一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器

为了降低现有动态随机存取存储器（DRAM）刷新控制器基于平均刷新时间（tREFI）发送刷新指令所带来的系统性能损失,本文提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器。本设计先将刷新指令进行缓存,然后判断读写总线状态,若读写总线空闲,将缓存的刷新指令顺序发送DRAM;若读写总线处于工作状态,依据缓存中刷新指令的数目决定是否将缓存的刷新指令顺序发给DRAM。     

意法半导体（ST）非易失性存储器开发取得进展

意法半导体(STMicroelectronics)官布新型存储器开发取得重大进展，新产品被称为换相存储器(PCM)，其潜在性能优于闪存，优点包括更快的读写速度、更高的耐用性，以及向单个存储地址写入的能力。据称这项技术的内在灵活性高于目前正在应用中的其它任何非易失性存储器技术。     

意法半导体在非易失性存储器开发中取得进步

意法半导体日前宣布该公司在开发新型的可能会取代闪存的电子存储器中取得进步,这种新的技术叫做换相存储器(PCM),其潜在性能优于闪存,包括更快的读写速度、更高的耐用性以及向单个存储地址写入的能力。这项技术的内在灵活性高于目前正在应用中的其它非易失性存储器技术。     

东芝开发出大容量非易失铁电存储器

日本东芝公司日前宣布,该公司开发出容量128兆比特、数据传输速度每秒1．6吉字节的非易失铁电随机存储器（FeRAM）,创下世界非易失随机存储器容量和速度两项最高记录。本次开发的铁电随机存储器还采用与动态随机存储器（DRAM）相同的DDR2接口,从而实现了在提高系统性能的同时减少耗电量的目标。新开发的非易失铁电随机存储器将来有望用作手机等各种移动设备的主存,和笔记本、固态硬盘的缓存。     

金属-氧化物-半导体集成电路(六)

十、金属-氧化物-半导体随机存取存储器的性能目前,许多随机存取存储器都是速度、功率、封装和同步计时特性的不同结合,不久将采用大型和快速的随机存取存储器。有些新型存储器便于使用,且完全可与 5伏的双极逻辑相匹敌。其他的则需要大输入电压摆动、综合的同步计时、恢复循环以及输出端上的高速读数放大器。一方面,高速随机存取存储器要达到高速和低功率,必然引起外部的复杂性。另一方面是具有全译码、输出中间转换和读写控制逻辑的随机存取存储器。此存储器很简单,但速度和功率性能受影响。     

改进的衡疏分布存储器模型及其学习能力分析

Kanerva的衡疏分布存储器模型（SDM），由于其读写规则采用外积法，因此限制了它的应用，本文对该模型进行改进，改变了原来的读写规则，保留其衡疏分布式存储的特点，得到一个与小脑模型（CMAC）相似的新模型，但它不存在分块效应、不需要HASHING技术。理论分析和示例表明了该改进模型的合理性和有效性。     

多电平快闪存储器技术及其未来发展

多电平单元（MLC）快闪存储器是一种新兴的闪存技术,单元面积小,制造成本低,虽然MLC的多项指标都落后于单电平单元（SLC）快闪存储器,但是MLC在架构上取胜于SLC,很多厂商目前都对MLC做了很多的优化和开发,对于MLC传输速度和读写次数的问题已经有了相当多的解决方法,其多项性能逐步可以和SLC芯片相比拟,而且会节省相当多的成本。本文对多电平快闪存储器的单元结构、基本操作、可靠性问题及未来的发展作了详细介绍。     

TD-SCDMA Turbo解码器设计

文章讨论了一种用于TD—SCDMA（3GPP TDD LCR）技术的硬件Turbo解码器浮点模型，阐述了该模型的设计、架构和优化，指出这种浮点模型具有结构简单、计算速度快、读写存储器效率高以及采用了Max—log-MAP算法和步进窗口训练技术（SW—WT）的特点。     

可穿戴技术重大突破:有机纳米材料制成柔性存储器

<正>目前的可穿戴电子设备中,有机纳米材料并没有得到更广泛应用,主要是因为它们无法产生柔性、非易失、具有实用的读写速度的存储器。最近,一组国际研究人员团队的突破性研究,解决了这一问题。有机纳米材料,作为一项常规技术突破,已广泛应用于柔性电子领域,例如制成柔性逻辑电路或者显示器。但是,目前的可穿戴电子设备中,有机纳米材料并没有得到更广泛应用,主要是因为它们无法产生柔性、非易失、具有实用的读写速度的存储器。最近,一组国际研究人员团队的突破性研