掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性

采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1．5×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为8．0×1019cm-3,5.8cm2·v-1·s-1。薄膜的 可见光平均透过率达到了85％。     

有机衬底SnO2掺Sb透明导电膜的制备

采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyisocyanate聚酰亚胺 )胶片上制备出了性能良好的薄膜 ,薄膜相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 13cm2 /VS ,载流子浓度为 15 .5× 10 19cm-3 ,薄膜的电阻率有最小值 3.7× 10 -3 Ω·cm。在可见光范围内 ,样品的相对透过率为 85 %左右     

磁控溅射有机聚合物衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电性能研究

采用射频磁控溅射法在有机薄聚合物膜衬底上制备出铝掺杂的氧化锌 (ZnO :Al)透明导电膜 ,对薄膜的低温制备 (2 5～ 180℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备薄膜为多晶膜 ,具有纯氧化锌的纤锌矿结构和 (0 0 2 )择优取向。制备薄膜在可见光区透过率达到 74 % ,最低电阻率为 8.5× 10 -4Ω·cm。     

透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究

ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。     

类金刚石和厚有机膜促进水蒸气滴状冷凝传热的实验研究

为了寻找适宜的表面处理技术制备能长期地维持滴状冷凝传热型态 ,实验研究了垂直黄铜管外类金刚石和含氟有机薄膜水蒸气常压下冷凝传热特性。两种表面均能促进水蒸气的滴状冷凝型态 ,但类金刚石表面上液滴形状较扁 ,脱落频率不高 ,而有机膜表面的液滴形状、大小以及脱落频率均优于类金刚石表面。在管内冷却水雷诺数为 1 .0× 1 0 4～ 2 .0× 1 0 5时 ,类金刚石和含氟有机薄膜表面的热流密度和冷凝传热系数分别为 4 85～ 80 7k W/ m2 和 1 8～ 2 3k W/ ( m2 · K)、1 71～ 330 k W/ m2 和 4 .8～ 7.2 k W/ ( m2 · K)。含氟有机薄膜表面表现了优良的涂层结合强度 ,寿命实验已经持续了近 1 0个月。     

射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd_2SnO_4薄膜

在Ar+O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度和衬底温度,最低电阻率为2.89×10~(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率为95％。用X射线衍射测量了不同衬底温度下薄膜的结构。     

蒸镀ITO薄膜及其光电特性的研究

本文报道了采用石墨舟蒸发In_2O_3和SnO_2混合物(W_t=10％),获得了电阻率为3×10~(-4)Ω·cm、在可见光范围内透过率大干95％的ITO薄膜。用它制作部分次品多晶硅电池的抗反射膜,其短路电流密度与没有抗反射膜的同样电池相比,提高90.4％,开路电压提高10mV左右。     

溶胶凝胶法制备SnO2:Sb膜的光学电学性能

以金属无机盐SnCl2 ·2H2 O和SbCl3 为原料 ,用溶胶凝胶浸渍法制备掺锑SnO2 透明导电薄膜 ,并对其电学参数(如方块电阻、霍尔迁移率、载流子浓度和类型 )和光学参数 (如透射反射率、光学能隙 )进行测试分析。XPS分析确定薄膜中掺杂锑离子主要以Sb5+ 形式存在。薄膜的方块电阻最低可达 85Ω/□ ,霍尔迁移率在 2 .5～ 3.6cm2 V-1s-1,膜厚约1μm时可见光透射率约为 85 % ,反射率低于 15 %。     

电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究

用电子束加热蒸发法制成0.1—1μ厚的ZnIn_2Se_4薄膜。确定了最佳成膜工艺条件,通过不同气氛的热处理可控制材料的导电类型。典型膜的电阻率是4.35×10~(-1)Ω-cm,Hall迁移率是106cm~2·V~(-1)·S~(-1),载流子浓度是1.36×10~(17)cm~(-3),禁带宽度为2.23eV。讨论了膜的电阻率、透光率随热处理气氛的变化规律,初步探讨了ZnIn_2Se_4膜的导电机理,并对制作n-ZnIn_2Se_4-p-Si光伏器件作了尝试。     

TiO2纳晶多孔薄膜固态太阳电池

该文报导了用交联聚醚聚氨酯 (PEU)凝胶网络型高分子和以聚硅氧烷为基础含有聚氧化乙烯 (PEO)内增塑链的凝胶网络高分子为电解质的TiO2 纳晶固态太阳电池的制备及性能。在所研究的 3种固体电解质 (SPE 1,SPE 2及SPE 3)中 ,具有低交联度、高盐 (KI)含量的凝胶网络型高分子电解质 (SPE 2 ) ,其离子导电性最佳 ,可以与液体电解质相比 (σ =2 1× 10 -3S·cm-1) ,由此构成的固态电池具有最好的光电化学性能。改进凝胶网络高分子电解质的结构组成以及优化TiO2 纳晶多孔薄膜 /高分子凝胶的界面可以进一步改善固态电池的性能 ,提高转换效率。