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本文论述非接触式半导体P/N型判别方法。把红外光脉冲照射在半导体单晶的样片上,以产生光电动势,利用P型半导体和N型半导体所产生的光电动势的极性不同,可以判别其导电型号。 相似文献
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导电陶瓷是近年来出现的一种新型材料,其应用前景受到了人们的普遍关注。本文主要介绍用电火花线切割方法加工导电陶瓷的机理、工艺和参数。 相似文献
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BaPbO3系导电陶瓷不仅具有象金属一样的导电性,而且还具有正温度系数特性。如果在BaPbO3中添加适量的稀土化物Y2O3,可以制备成BaPbO3-Y2O3系导电陶瓷,其性能与BaPbO3的相比有明显的改善。本文主要研究BaPbO3和BaPbO3-Y2O3系导电陶瓷的导电性和导电机制。 相似文献
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ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征 总被引:7,自引:0,他引:7
本文利用化学共沉淀法分别制得Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Al(OH)3、Mg(OH)2以及Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Sb(OH)3、Bi(OH)3、Sn(OH)4、Co(OH)3、MnO(OH)2两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ZnO及相应的添加剂陶瓷复合粉体.TEM分析结果表明:两种陶瓷复合粉体的粒径均小于100nm.利用前者,通过添加适当的Al2O3和MgO,制备出了电阻率约10~2000Ω·cm,V-I特性较好的ZnO线性陶瓷电阻.利用后者,通过适当的杂质配比,在100 相似文献
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Oppolpzer曾用TEM这观察到BaTiO_3半导体陶瓷的孪晶,认为它会伴生异常晶粒长大。但是有关孪晶和孪晶界的结构细节以及形成机制尚不清楚。本文用高分辩电镜(HREM)和透射电镜(TEM)进一步研究了它们的孪晶,得到如下四点结果。1.BaTiO_3的大部分孪晶均为{111)孪晶,其晶界为共格倾斜(70°)孪晶界。图1是[110]方向孪晶的晶格像,图中用粗黑线示意镜面对称的(001)晶格(3.9A),与之垂直的为(110)晶格(2.8A),它相应于左右(指标化示意)上角的衍射结 相似文献
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本文对热敏、压敏、湿敏、气敏及晶界层电容器等五类半导体陶瓷的基本原理,主要陶瓷材料进行了简要叙述,对半导体陶瓷现状及发展趋势进行了分析探讨,针对共性问题提出了某些看法和建议。 相似文献
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银/导电陶瓷复合电极浆料导电性的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
采用银和导电陶瓷(LaNiO3和LaFe0.25Ni0.75O3)作复合电极浆料,并研究了复合电极浆料的导电性与导电陶瓷比例及种类的关系。结果发现,复合电极浆料的电阻率随导电陶瓷比例的增加而增大,当LaNiO3和LaFe0.25Ni0.75O3两种导电陶瓷的质量分数<15%时,两种复合浆料的导电性均变化不大。SEM观测显示,复合电极浆料制成的电极有很好的烧成表面。 相似文献
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氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算 总被引:27,自引:0,他引:27
以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 .该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题 相似文献
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湿敏半导体陶瓷阻–湿特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
定量分析了多孔半导体陶瓷低湿度范围内的湿敏机理,通过理论推导,得出电阻与相对湿度关系的解析表达式。湿度较低时,半导体陶瓷中起主要作用的是电子电导。假定吸附表面态由吸附氧离子构成,表面态吸附水分子后,向体内发射电子,用统计理论对这一过程进行推演,得出了阻–湿关系表达式。结果表明:在低湿度区(x<10%),表达式与文献提供的TiO2材料的实验数据吻合良好。 相似文献
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锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率 总被引:5,自引:0,他引:5
归纳总结了锑掺杂二氧化锡(ATO)的导电机理。晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49%(质量百分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.217×104(Ω·cm)-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1506×104(Ω·cm)-1。 相似文献
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利用湿化学方法,以碳酸钾和钼酸为原料,聚乙二醇为分散剂和螯合剂,制备了K0.9Mo6O17前驱体。在碳粉保护环境及500℃温度下对所得前驱体进行煅烧后,获得了K0.9Mo6O17粉体。最后,利用此粉体制得了导电陶瓷。借助差示扫描量热仪、XRD、SEM、电化学测试系统等仪器研究了材料的相组成、微观结构及导电性。结果表明,K0.9Mo6O17粉体和陶瓷体均具有单斜晶系结构;该多晶K0.9Mo6O17陶瓷材料的室温电导率达到了0.1S/cm,且其电导率随着温度的升高而升高。利用电子跃迁和晶体场理论对K0.9Mo6O17陶瓷的导电机理进行了分析。 相似文献
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