Si-Al-K掺杂钼丝研究综述

简要介绍了近年来Si、Al、K掺杂对钼丝再结晶温度的提高和高温力学性能的改善方面的研究,同时综合分析了Si、Al、K掺杂对钼的作用机理.     

Si-Al-K掺杂对钼丝组织性能的影响

对纯钼及不同掺杂量的Si、Al、K掺杂钼的组织和性能进行了研究.利用金相显微镜观察了热分析以后的组织形貌,用透射电镜观察了烧结坯的精细结构.将掺杂钼在不同温度退火后测试其硬度,并对比分析了纯钼和掺杂钼的高温拉伸性能.发现经过加热到1600℃热分析以后,掺杂钼的晶粒比纯钼细小,而且掺杂量愈大,晶粒的长径比愈大;烧结态纯钼中没有第二相粒子存在,而掺杂钼的晶粒和晶界上分布着掺杂颗粒.掺杂样加热到一定的温度时硬度值都显著下降,随着掺杂含量的增加,硬度最小值出现的温度随之升高;掺杂钼条的高温抗拉强度和屈服强度都明显高于纯钼,并且随着实验温度的提高,强度的提高幅度增大.     

复合掺杂钼丝的组织和性能研究

用SEM、DSC等研究了掺杂钼丝的再结晶温度、组织和性能。结果表明掺杂提高了丝材的再结晶温度,改善了再结晶后的组织和性能。在本实验条件下,复合掺杂1.9×10-4K和1.2×10-3La2O3的钼合金丝的综合性能最好。     

掺杂La对钼丝组织和性能的影响

用粉末冶金工艺先制取掺杂稀土La的钼坯,再经旋锻、拉拔制成掺杂钼丝.通过力学性能实验和SEM观测,对掺杂钼丝与纯钼丝的性能和组织结构进行对比分析.结果表明,由于稀土元素La与Mo中的氧结合形成细小弥散分布的La2O3质点,强化了显微组织,使其再结晶温度较纯钼丝提高500℃左右,室温脆性显著改善,高温加工性能和室温弯折性能大幅提高.所研制的掺杂钼丝是制造高温加热元件和耐高温结构元件理想的材料.     

Al-K-Si掺杂残留量及其对钼丝再结晶温度的影响

测试分析了不同掺杂量的材料经过还原和烧结后获得的Si、Al、K残留量,并对不同Si、Al、K掺杂量的钼丝的再结晶行为进行了研究.结果证明元素残留量随掺杂量的增加而增加,通过拟合得到了二者之间的数学关系.通过热分析发现,掺杂钼丝的再结晶温度比纯钼丝提高了550～600 ℃,而且再结晶温度随Si、Al、K掺杂含量的增加而升高.     

钼掺杂镧钙锶锰氧化物的化学价态和电子结构

采用传统固相法分别利用不同价态的MoO3和MoO2原料制备了Mo掺杂Mn位的La0.7Sr0.15Ca0.15-MnO3材料,主要利用光电子能谱和X射线吸收谱研究了过渡金属元素的电子结构特征和化学价态的不同。结果表明:用两种价态的Mo原料制备的钙钛矿锰氧化物体系的Mo离子价态表现不同,MoO2制备的材料体系价态偏低。同时,该变化还引起了Mn离子电子结构变化以及氧原子轨道能级与周围配位原子能级杂化强度的不同,这些内在电子结构的不同将成为材料表现出不同物理属性的可能原因。     

Si-Al-K掺杂钼加工工艺过程中掺杂元素的变化研究

以拉丝用MoO2、KOH、硅酸、Al（NO3）39H2O为原料,采用不同的掺杂配比进行相同工艺下的掺杂、还原和烧结实验,剖析和讨论了加工工艺过程中掺杂成分Si、Al、K的变化情况及其原因,同时也分析了氧含量随加工工艺的变化情况及其与掺杂元素含量之间的关系．结果表明,Si、Al、K含量在还原和烧结后都显著降低,最后只残留极少部分,其残留量随着原始掺杂含量的增加而增加;随着掺杂总合量的增加,还原和烧结后的O含量依次增加．     

铋钼复合氧化物的研究进展

综述了多种铋钼复合氧化物的制备方法:固相反应法、沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法以及喷雾干燥法等,分析了这些方法的优缺点。同时综述了铋钼复合氧化物在氧化反应催化、光催化、电解质材料等领域的应用以及材料的结构、形貌对于其性能的影响。针对铋钼复合氧化物不同的应用领域提出了制备技术、材料组分和结构与形貌的发展方向。     

关于钼丝炉的测温问题

在毛主席无产阶级革命科研路线的指引下,重庆灯泡厂的工人、技术人员和重庆仪表材料研究所的科研小分队以三结合的方式,在该厂灯丝定型用的钼丝炉上,试验成功用钨铼热电偶作为炉温显示及控制的传感元件,经过半年来的使用,取得了良好的效     

大单重钼丝研制

本文介绍了烧结钼棒(方条)经孔型轧制开坯,再经旋锻、拉伸等加工,生产出大单重铝丝的生产工艺与控制要点,分析了轧制钼棒、丝材的组织与性能,生产实践证明,与旋锻开坯工艺比较,该工艺不仅可生产大单重、大规格的钼粗丝,而且改善了钼的加工性能,提高了铝中丝、细丝的金属成材率,有效地提高了产品质量.     

固体氧化物燃料电池复合掺杂材料研究进展

概述了中温固体氧化物燃料电池要件使用的新型复合掺杂材料研究及制备进展,采用差示扫描量热法（DSC）,热重法（TG）与变温度X射线衍射对La1-xSrxMn1-yCoyO3,La1-x-zSrxCaZmN1-YCoyO3复合掺杂钙钛矿结构氧化的固相烧结合成过程进行了研究,提出了一些将来应重点研究的问题。     

钴基氧化物热电材料掺杂研究进展

氧化物热电材料是近年研究的热点之一,钴氧化物因具有优良的高温稳定性、抗氧化性、低成本和易于大规模生产等优点而受到人们的广泛关注,被认为是很有使用价值的热电材料,很多学者在此方面进行了大量的研究。详细介绍了元素掺杂对热电性能的影响,从物理机制上分析了掺杂元素的半径和价态对Ca3Co4O9和NaxCo2O4热电性能的影响,为热电材料的进一步研究提供了依据。     

银掺杂的半导体氧化物二氧化碳传感器研究

报道了银掺杂的半导体氧化物CuO-BaTiO_3对CO_2的敏感特性。分析了Ag掺杂量对CuO-BaTiO_3灵敏度的影响。Ag掺杂量不仅影响CuO-BaTiO_3对CO_2是的灵敏度和工作温度,还影响材料在空气中的电阻值。通过适当量的Ag掺杂提高了CuO-BaTiO_3的化学活性,增强了对CO_2的吸附和反应,使传感器对CO_2的灵敏度提高。银掺杂的CuO-BaTiO_3传感器对CO_2的检测范围为1.0×10~(-4)到10％,最小检测浓度为1.0×10~(-4)。还对银掺杂后的稳定性进行了分析。     

Sn掺杂Bi-Sr-Co-O层状氧化物的热电性能

采用固相烧结法制备了掺Sn的层状热电氧化物Bi2-y SnySr2Co2O9-δ(y=0、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10).XRD结果表明Bi-Sr-Co-O氧化物样品存在一定程度的织构.Seebeck系数为正,说明该氧化物为p型半导体.掺Sn后电导率和热导率均增大.对于Seebeck系数和功率因子,存在着掺Sn量的最优值,即Bi1.96 Sn0.04Sr2CO2O9-δ.掺Sn样品的最高ZT值比未掺Sn样品提高了约2倍.     

ODS钢中纳米氧化物颗粒成分与结构研究

采用透射电镜和层析原子探针(APT)分析了9Cr-ODS钢中纳米氧化物颗粒成分和结构。研究发现,氧化物颗粒成分与其大小有一定的关系,可将其归纳为3类:(1)氧化物5nm,m(Y)∶m(Ti)1,可能是非整比化合物;(2)5~10 nm氧化物尺寸40nm,m(Y)∶m(Ti)≈1,可能是Y2Ti2O7;(3)氧化物40 nm,为TiO2。Cr在氧化物周围偏析形成壳状结构。     

钛氧化物的蒸发特性

试验以Ti2O3、Ti3O5和TiO2作为初始膜料，在ZZS7OO—6／G型真空镀膜机上采用O^2-离子束辅助蒸发制备氧化钛薄膜。用XRD检测方法确定各种膜料和薄膜的相成分，并全面的分析了各种膜料的蒸发特性和薄膜；用分光光度计测量薄膜的透射率，并分析薄膜的光学性能。试验表明，在采用Ti2O3、Ti3O5和TiO2作为蒸发制备氧化钛薄膜时，在钛的氧化物中存在Ti3O5固态同一蒸发相；各种膜料在蒸发时，发生分解，熔池中的物质的成分逐渐转变并晟终完全成同一蒸发相成分。     

Co掺杂钙钛矿锰氧化物La0.8Sr0.2MnO3电磁特性研究

采用传统的高温固相反应法制备了La_0.8Sr_0.2Mn_1-xCo_xO₃(x = 0, 0.1, 0.3)多晶样品。系统研究了Co掺杂量对La_0.8Sr_0.2MnO₃(LSMO)多晶样品的类Griffiths相、磁熵变、临界行为和电输运性质的影响。研究结果表明: 制备的多晶样品均具有菱形对称结构; 三样品在低温磁转变温度(T_C2)以上均存在类Griffiths相; La_0.8Sr_0.2Mn_1-xCo_xO₃(x = 0, 0.1, 0.3)样品外加磁场为7 T的最大磁熵变ΔS_max分别为-2.28、-2.05和-2.75 J/(kg·K), Co元素的掺杂使得ΔS_max先减小后增大; 母相的临界行为与平均场模型拟合得最好, 掺杂后样品的临界行为和3D海森伯模型拟合最好; 母相为半导体材料, Co元素掺杂量达到0.1时在低温磁转变温度(T_C2)附近出现金属绝缘体转变; 高温区三样品的导电方式均满足小极化子模型。     

Co掺杂CeO2稀磁氧化物陶瓷和纳米颗粒的铁磁性能

分别采用固相烧结法及激光液相烧蚀(LAL)技术,成功制备出Co掺杂CeO_2稀磁氧化物陶瓷块体和纳米颗粒。XRD和SEM研究发现所制备的材料具有良好的结晶性和形貌。Co掺杂CeO_2稀磁氧化物陶瓷块体和纳米颗粒均为多晶立方结构,与纯立方相的CeO_2结构相同,说明Co掺杂未形成其他结构和杂相。磁性测量表明固相烧结法和激光烧蚀液相法制备的Co掺杂CeO_2样品均具有较高的室温铁磁性,且远高于文献中报道的结果。将陶瓷块材经激光烧蚀成纳米颗粒后,纳米颗粒的铁磁性与陶瓷块材保持一致。这说明激光烧蚀法制备的纳米材料可以很好地保持母材的特性,是一种很好的纳米颗粒制备方法。根据XRD和SEM研究结果,笔者认为Co掺杂CeO_2陶瓷块材及纳米颗粒的室温铁磁性是内禀性质;磁性产生的机理源于氧空位诱导的铁磁性耦合。     

稀土掺杂锰氧化物的电致电阻效应

用固相烧结法制备Nd0.67Sr0.33MnOy（y=2.85）多晶样品。样品输运性质表现出自旋相关电致电阻特征。对含量低于化学计量y=3.0样品，当温度高于某一特征温度时，电阻变化符合线性欧姆定律；但低于这一特征温度时，电阻大小与负载电流或电压有关，I-V曲线偏离线性规律；在绝缘体．导体相转变点附近，样品电阻随负载电流或电压增大而迅速减小，表现出巨大电致电阻效应。这种自旋相关的电致电阻行为与氧含量和界面有很大关系。