GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

采用未掺杂的GaAs晶体进行了中子嬗变掺杂试验.热退火处理能有效地消除辐照引入的晶格损伤.辐照后的晶体经800℃在氢气气氛下处理2.5小时,掺杂浓度与预期掺杂量接近.采用电化学C-V法测定掺杂均匀性,结果表明掺杂浓度的相对标准偏差小于5％.     

GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析

本文利用1.5MeVHe~+离子的卢瑟福背散射沟道效应技术,直接观察了GaAs中子嬗变掺杂样品的辐射损伤和不同退火条件下晶格损伤的恢复情况,井通过沟道分析的结果与合尔法测定的电学参数的比较,对样品的退火效应进行了研究.     

GaAs的中子嬗变掺杂

文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程，并简要介绍了国外ＧａＡｓ的ＮＴＤ研究进展和结果。     

中子嬗变掺杂

一、引言 本征硅的电阻率很高,约为2.3×10~5欧姆厘米。为了满足各种硅器件的要求,通常需要掺杂。目前,习用的掺杂方法种类很多,但都是从外部引入杂质,就是当硅单晶从熔体中生长时掺入。这时,由于发生相变,掺入的杂质会在硅中分凝,再加上一些拉晶工艺因素的影响,使单晶硅具有杂质条纹,无论在径向和轴     

Be~+注入GaAs掺杂

本文报道了在气体离子源中Be~+束流的引出,比较了Be~+注入GaAs的常规炉子热退火与红外快速退火行为,给出了Be~+注入GaAs和InGaAs形成的pn结特性。实验表明,用Be~+注入化合物半导体可作为制作器件的一种有效方法。     

高掺杂沟道GaAs MESFET

如果沟道厚度α不按照L/α》1的公式减薄,FET的栅长L缩短到亚微米范围就会引起负短沟道效应。为保持阈值电压不变,必须增加沟道掺杂浓度N_D～1/α~2。本文通过数值模拟和实验表明,掺杂浓度达到1.3×10~(18)cm~(-3)也能成功地用于制作GaAsMESFET。为了消除短沟道效应,同时使跨导截止频率达到最大值,计算了最佳掺杂浓度,发现计算结果与实验结果非常一致。在概述设计规则以后指出:“简单的”设计规则——用于分立MESFET,尤其是用于集成电路设计——将在亚微米范围仍然有效。     

GaAs平面掺杂势垒二极管

二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压.而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器.设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材料结构,并采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)方法对其进行外延生长.对PDB二极管的物理模型进行了理论分析.通过模拟计算和实验分析了本征层厚度和p层的面电荷密度对PDB二极管I-V特性的影响.通过实验设计优化了材料结构参数,测试了其I-V特性,使PDB二极管的开启电压降低到了0.06 V,将此样品应用到定向检波器中测得检波灵敏度为20～ 25 mV/mW.     

掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL2和位错密度分布

测量比较了掺Si和未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度和位错密度分布。结果表明,掺Si样品中EL2浓度径向分布和位错密度径向分布分别为M形和W形,而未掺杂样品中两者均为W形。讨论了两者间不同对应关系的机理。     

δ掺杂GaAs超晶格的辐射跃迁

低温下观察了弱耦合δ掺杂ＧａＡｓ超晶格的辐射复合发光．实验结果表明：除观察到基态的复合发光外,还观察到激发态的复合发光．基于有效质量近似理论,计算了能带结构和发光光谱,理论结果与实验结果符合得很好．     

磷化铟材料的中子嬗变掺杂

文章介绍了磷化铟中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点、原理和退火过程，并简要介绍了国外的研究情况和取得的研究结果。     

直拉硅单晶的中子嬗变掺杂

本文研究了直拉硅单晶(CASi)中子嬗变掺杂(NTD)的可行性、径向电阻率均匀性以及NTDCZSi内吸除效应的机理,证明了NTDCZSi是半导体器件的优良的新衬底材料.     

GaAs外延层掺杂分布的研究

本文讨论了气流的稳定性与外延层纵向浓度分布的关系,不同掺杂的衬底对外延层界面区的影响以及消除不良影响的方法.本文还研究了不同的生长工艺对外延层纵向浓度分布的影响.     

非有意掺杂LECSI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ中ＥＬ２浓度及其分布的变化，为了分析这一变化，还检测了位错和Ａｓ沉淀的分布，在实验结果基础上，对ＥＬ２分布不均匀性的起源和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理进行了讨论。     

C掺杂GaAs外延层光学特性分析

对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.     

几种掺杂浓度的GaAs表面Si-δ掺杂结构研究

本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动，而后达到饱和．用简单的三角势模型，在理论上计算了面掺杂浓度２．４×１０１４ｃｍ－２时，半Ｖ－形势阱中子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验结果相一致．     

GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量

以硅作为砷化镓分子束外延（MBE）生长中的n型掺杂剂，为了确定硅的掺杂浓度，在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层，每一层中进行不同浓度的Si掺杂，然后用电化学C—V的方法确定各层中的载流子浓度，一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面，使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。     

变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征

确定阴极材料的光子吸收系数,是开展变掺杂GaAs光电阴极光电发射性能理论研究的重要条件之一。分析了变掺杂阴极的结构特点,提出了材料等效光子吸收系数的概念,并给出了等效光子吸收系数的计算方法。设计了变掺杂阴极样品并进行了阴极Cs、O激活实验,理论计算了材料的等效光子吸收系数并对激活后的阴极量子效率进行了拟合仿真,拟合曲线同实验曲线非常一致,证明了该计算方法的有效性。     

硅的中子嬗变掺杂及其应用

本文叙述了FZ硅及CZ硅的中子嬗变法的原理、方法及其在功率元件、敏感元件、集成电路中的应用.介绍了该法的优越性及存在的问题,展望了该法的未来.     

不掺杂半绝缘GaAs的补偿机制

用红外局域模方法测定了8个不同的不掺杂半绝缘GaAs样品的含碳(C_(As))量,发现碳浓度均小于5.20×10~(14)cm~3。由1.1μm红外吸收测量和400K霍尔系数测量推算出样品的净受主浓度N_A-No,结果表明所有样品的净受主浓度均大于碳浓度,对于切自晶体下半部的样品,差别可达一个数量级。因此,这些受主必定是碳以外的其他杂质缺陷造成的,其中硼(B_(As))可能是主要因素。