谈谈氰酸酯树脂的改性

通过总结氰酸酯树脂改性的各种方法，阐述了热固性树脂、热塑性树指、橡胶弹性体、晶须等改性氰酸酯的研究现状及优缺点，并展望了氰酸酯树脂的研究方向。     

氰酸酯树脂的研究进展及其在印制电路工业的应用

介绍氰酸酯树脂(CE)的发展史、合成办法、性能、改性体系及其在印制电路工业的应用。展望CE的发展方向。CE是近年来发展起来的一种新型高分子材料,具有极低的介质损耗正切值,优异的耐湿热性能和力学强度,是一种有广泛应用前景和强劲市场竞争力的材料。     

氰酸酯树脂的改性及其反应机理的研究

本文介绍了目前氰酸酯（CE）树脂的几种改性途径及其反应机理．包括热同性树脂、热塑性树脂、橡胶弹性体、晶须及含不饱和双键的化合物等改性方法．其中主要阐述了环氧（EP）树脂和双马来酰亚胺（BMI）树脂改性CE的机理及共聚体系的性能。     

氰酸酯／玻纤布覆铜板

概述氰酸酯的简要概况及性能,介绍HF-3氰酸酯树脂/玻璃纤维布覆铜板层压板的制作工艺配方、过程及技术参数。     

氰酸酯树脂的结构与性能

概述高频印制电路板基材,氰酸酯树脂系列的结构与性能。     

氰酸酯树脂在高性能印刷电路板的应用研究进展

氰酸酯树脂是一种含三嗪环网状结构的高性能树脂，该结构赋予它优异的力学性能和电学性能，广泛应用于高性能印刷电路板，文章中还展望了氰酸酯的发展前景。     

印制电路板用双酚A型氰酸酯树脂

国产双酚A型氰酸酯树脂研制成功,目前通过了部级技术鉴定,于2000年年底批量投产。 专家认为,该树脂是目前制作印制电路板最理想的基体树脂,可替代目前通用的FR—4环氧树脂,满足微波信号传输向GHz方向发展的趋势。在通讯技术日新月异发展的今天,氰酸酯树脂这种新型电介质材料,必将获得越来越多的应用,产生越来越多的社会与经济效益。 双酚A型氰酸酯树脂是由双酚A与溴化氰或氯化氰反应,通过二步法合     

氰酸酯树脂的结构与性能

概述高频印制电路板基材和氰酸酯树脂系列的结构与性能。     

双马-三嗪树脂在CCL中的应用

介绍了双马-三嗪树脂（BT）的发展概况和性能特点，通过对固化反应机理的评述认为，双马-三嗪树脂在固化时主要形成互穿网络结构（IPN）聚合物，这种IPN结构限制了固化树脂的耐热性能。为了提高双马-三嗪树脂的性能，开发出具有自主知识产权的新产品，需要重点研究解决好树脂的熔、溶工艺性，以及在氰酸酯与双马来酰亚胺两种单体树脂间实现化学共聚途径等问题。     

氰酸酯树脂的研究进展及其在印制电路工业的应用

介绍氰酸酯树脂(CE)的发展史、合成办法、性能、改性体系及其在印制电路工业的应用。展望CE的发展方向。CE是近年来发展起来的一种新型高分子材料，具有极低的介质损耗正切值，优异的耐湿热性能和力掌强度，是一种有广泛应用前景和强劲市场竞争力的材料。     

丙烯酸树脂/钛酸钡纳米复合材料的研究

采用原位聚合的方法制备了丙烯酸树脂/BaTiO_3纳米复合材料,用SEM分析其表面形貌。研究了该复合材料与聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基膜复合的电性能,并探讨了PET基膜和涂层对复合薄膜整体电性能的影响。初步制备出了具备高介电常数、高击穿、低损耗的复合薄膜。为工业化低成本生产高储能密度电容器提供了新的思路。     

氰酸酯型覆铜板催化体系的研究

氰酸酯（CE）具有优异的介电性能、耐热性、低吸湿性和良好的加工性,被广泛应用于低介电高速覆铜板（CCL）。研究了过渡金属离子与第二元催化剂共催化氰酸酯环氧体系的固化反应历程,以及第二元催化剂对板材的介电性能等的影响。结果表明第二元催化剂与过度金属离子有明显的协效催化作用,体系反应温度大幅度降低,同时覆铜板介电性能明显提高。     

高频覆铜板及半固化片研制开发

随着电子信息技术的迅猛发展,电子产品通信频率越来越高。信息处理和信息传播的高速化,要求覆铜板有更高的高频特性、更低的介电常数和介质损耗。本文主要介绍以改性氰酸酯树脂为基础,选用低介电常数树脂和低介电常数的玻纤布研制开发出高频覆铜板及半固化片。     

PLCT系列热释电薄膜的最新研究进展

热释电红外探测器广泛应用于辐射测温，红外光谱测量，安全警戒，红外热成像等领域。掺杂钛酸铅薄膜是性能优异，应用广泛的热释电薄膜，文章主要介绍了镧，钙双掺的钛酸铅薄膜的性能。比较了不同组分的PCT、PLT、PLCT铁电材料的制备方法、结晶性、铁电性、介电性及热释电性能与分组的关系，并对PLT系列热释电薄膜材料的应用前景作了探讨。     

PNW对PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;随着PNW含量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大;研究了室温下PNW含量对介电性能和压电性能的影响,实验表明,随着PNW含量的增加,介电常数rε、机电耦合系数kp和压电常数d33先增加,PNW含量为0.02 mol时分别达到最大值,然后降低;随着PNW含量的增加,介电损耗tanδ一直增加,机械品质因数Qm和居里温度TC始终降低。PNW含量为0.02 mol的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其性能为:rε=2 138,tanδ=0.005 8,kp=0.61,Qm=1 275,d33=380 pC/N和TC=205℃。     

（Na1／2Bi1／2）TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能

研究了（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Ｓｒ＾２＋的引入对ＮＢＴ材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度ＴＦＡ（１８０℃）以及居里温度ＴＣ（３００℃）的影响都不大,但却较大幅度地降低了ＮＢＴ材料的高顽场,从而使极化相对容易。（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ－ＳｒＴｉＯ３二元系的压电性能参数ｄ３３和ｋｔ分别达到１００ｐＣ／Ｎ和０．４５。     

共聚尼龙/PZT复合材料的压电和介电性能研究

以共聚尼龙为基体,采用简单的热压工艺制备了0-3型共聚尼龙/PZT压电复合材料,研究了所制复合材料的介电和压电性能.结果表明:以共聚尼龙为聚合物基体可以制备出具有优良介电和压电性能的新型聚合物/PZT复合材料;在共聚尼龙的体积分数为0.20时,复合材料的压电常数和相对介电常数都达到最大值,分别为55 pC/N和155.     

（Bi2O3、ZnO）对（Zr0．8Sn0．2）TiO4介电性能的影响

采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其烧结可降低至1175℃;各种材料配方均能烧结出致密的陶瓷.陶瓷的介电常数随着Bi2O3含量的增大而略有增大,但增加幅度较小;而材料的介电损耗则随Bi2O3含量的增大而增加,且增大幅度较大.当w(ZnO)=1%、w(Bi2O3)=3%时,可在1190℃获得致密的陶瓷,在测试频率1 MHz下,介电常数约41,介电损耗为1.5×10-4,其综合微波介电性能最佳.     

卷积码识别算法浅述

本文介绍了信道编码识别技术的发展概况,给出了常规识别算法、基于校验矩阵识别算法和基于欧几里德识别算法三种卷积码识别算法的工作原理,对比分析了三种算法的性能.     

压电马达用压电陶瓷的研究

采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷 (PZN- PMS- PZT- r Mn O2 )。考察了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷的介电性能和压电性能的影响 ,即室温介电常数 ε、介电损耗 tanδ、居里温度 Tc、机电耦合系数 kp、压电常数 d33和机械品质因数 Qm。随着 Mn含量的增加 ,ε和 tanδ均减小 ;由于内偏置场的影响 ,居里温度 Tc随锰含量的增加而增加。kp 和 d33随 Mn含量的增加而减小 ;而 Qm 表现出较复杂的变化规律 ,随 Mn含量的增加 Qm先增加 ,当 r=0 .2 %时 ,达到最大值 10 0 0 ,当 r>0 .2 %时 ,Qm 下降。实验结果表明 :当 r=0 .2 %的锰掺杂压电陶瓷比较适合制作压电马达 ,其压电性能为 ε=12 0 0、tanδ=0 .0 0 4、Tc=349°C、kp=0 .6 0、d33=380 p C/ N和 Qm=10 0 0