S波段20W脉冲耿氏振荡器

本文描述了脉冲耿氏二极管、微波电路、脉冲调制器的结构和设计原则;给出了脉冲耿氏振荡器研制结果:在3--4GHz范围内,最大脉冲功率为20W,最大效率为5%,工作比1%。     

一种新颖的毫米波集成功率合成器

本文介绍一种结构新颖的毫米波Ｅ面混合集成功率合成器及其设计方法。功率合成器电路由鳍线和Ｅ面线构成,输出端口为标准矩形波导。具有结构紧凑、调试简便的优点。采用两耿氏管,在Ｋａ波段,６３０ＭＨｚ的机械调谐带宽内连续波输出功率大于２００ｍＷ,最大输出功率为２９３ｍＷ。     

耿氏二极管的几种失效模式及其机理分析

介绍了耿氏二极管的工作原理及其基本结构,通过外观检查、电特性测试、环境试验、内部目检、X射线及扫描电镜(SEM)检查等失效分析手段和方法,针对耿氏二极管在使用过程中较常出现的短路、开路及管帽脱落等失效模式及失效机理进行了分析和讨论,并根据上述几种失效模式对应的机理,指出了避免失效的一些措施,对该器件的制造商和使用者具有一定的参考价值.     

一种应用于太赫兹频段的平面In0.53Ga0.47As耿氏二极管

介绍了一种InP衬底上的平面In0.53Ga0.47As耿氏二极管的设计、制作和测试方法。为了提高器件的输出功率,使用Advanced Design System 2011仿真软件设计了50 ?共面波导馈电结构作为器件电极,减少测试功率损耗;同时在版图设计时加大了金属电极面积,改善器件的散热效果。测试结果表明,当所加电压为4.4 V时,沟道长度和宽度分别为2 μm和120 μm器件的基波振荡频率为168.3 GHz,输出功率为-5.21 dBm。这种高功率平面结构耿氏二极管在太赫兹频段具有巨大的应用潜力。     

晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响

由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文中提出的参数提取方法分别提取了InN在不同晶向上的FMCT模型参数。为了将InN材料的各向异性特性应用于耿氏(Gunn)二极管的制作,使用Silvaco-atlas半导体仿真软件对纤锌矿InN n⁺ⁿⁿ⁺和n⁺ⁿ-nn⁺两种结构的耿氏二极管进行数值仿真,对沿两个晶向上制作的InN耿氏二极管的输出特性进行了比较。结果表明:InN耿氏二极管沿Γ-A方向比沿Γ-M方向获得的频率和转化效率更高。InN材料沿Γ-A方向更适合制作耿氏二极管,该研究为制作InN耿氏二极管提供了参考。     

K波段耿氏二极管高次谐波振荡器的开发

据《信学技报》(日)2009年109(109)期报道,日本佐贺大学研究了耿氏二极管高次谐波振荡器的低噪声技术。新开发的振荡器由slot line谐振器、耿氏二极管和微带线构成。通过平面电路设计使电路简易化和小型化,振荡器由原来的圆形改变为方形。4只耿管在偏压9 V、偏流230 mA测试时,高次谐波18.75     

X波段脉冲耿氏振荡器

文章描述了X波段脉冲耿氏二极管、微波电路、脉冲调制器结构和设计原理以及脉冲耿振荡器的研制结果:在9～10GHz范围内,脉冲功率一般值为5～9W,最佳值10.8W,最大效率为5.5%,最大工作比为1%.     

Ku波段脉冲耿氏振荡器

文章描述了脉冲耿氏管、微波电路和脉冲调制器的结构和设计原则;给出了Ku波段脉冲耿氏振荡器的研制结果:在13～15GHz范围内,脉冲功率大于5W,工作比≤1％,最大效率为5％。     

半导体器件

Y90-62009-407 0003760耿氏二极管的基本原理与制造=The Gunn-diode:fun-damentals and fabrication[会,英]/van Zyl,R.& Per-old,W.//Proceedings of the 1998 South African Sympo-sium on Communications and Signal Processing(COM-SIG’98).—407～412(PC)简单介绍了耿氏二极管。讨论了耿氏振荡的基本原理,并通过相关模拟予以说明。给出了典型的空腔耿氏二极管模拟。介绍了低功率耿氏二极管制造过程。参6N2000-06366 0003761电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM98-210～222(信学技报,Vol.98,No.652)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—1999.03.—89P.(L)本文集为 MOS 器件技术、SOI 衬底与器件技术专     

耿氏管的合金金属及正面反面工艺的研究

介绍了一种实现低成本、高功率、高散热性能耿氏管的工艺制备流程,利用分子束外延生长技术（MBE）在高掺杂的InP衬底上生长n n+型的一致性掺杂外延结构,在外延结构正面利用电子束蒸发Ge/Au/Ni/Au作为器件阴极和电镀金制备作为散热层,背面通过化学湿法腐蚀形成台面（MESA）。在不同的温度下进行了退火对比实验,研究了阴极合金形成良好欧姆接触的温度条件。结果表明:退火温度为450 ℃时形成的金属电极的接触效果最好。关于耿氏管的正面反面制备工艺简便易行,利用Ge/Au/Ni/Au制备金属电极得到了良好的欧姆接触性能,用氯基溶液进行了湿法腐蚀实验得到了较好的垂直台面（MESA）。该制备方法有望实现优良性能的耿氏器件。     

毫米波鳍线-微带振荡器

本文介绍一种结构新颖,具有机械调谐功能的毫米波混合集成振荡器及其设计方法。振荡器由鳍线和微带线构成,以微带线作为输出端口。通过短路活塞的调节,振荡器有3.0CHz以上的机械调谐带宽,带内输出功率大于70mW。     

Ka频段鳍线电调振荡器

介绍了一种由鳍线、耿氏器件和梁式引线变容管构成的混合集成电调振荡器电路及其设计方法．给出的ＶＣＯ电路结构简单,利用其等效电路模型,可方便地对振荡器在所需工作频率上的电调带宽进行优化设计．经优化设计的电调振荡器性能的测试结果为：在３４．９３ＧＨｚ的频率处,具有１．２ＧＨｚ的电调带宽,带内功率输出为２０．６５±０．５２ｄＢｍ．     

六毫米波段注入锁定振荡器

本文描述一种六毫米波段注入锁定振荡器.该振荡器由耿管振荡器、环行器、锁相参考源组成,耿管振荡器采用背腔式稳频和谐振帽电路结构,输出端经环行器与高稳定度锁相源连接.注锁振荡器的输出功率大于60mW,振荡频率为46.1GHz,偏离载频10kHz处,单边带(SSB)相位噪声≤-71.7dBc/Hz,杂波≤-40dB.     

新型偏置电路高稳定毫米波振荡器的研究

本文介绍了一种采用新型纵杆离心式偏置电路结构波导耿氏振荡器的设计过程和实验结果，研究结果表明，振荡器的频率稳定度可以明显提高，输出功率大，该振荡器结构简单，加工方便，成本低，抗震能力，可靠性高，具有较大的实用价值。     

Progress in Group Ⅲ nitride semiconductor electronic devices

Recently there has been a rapid domestic development in groupⅢnitride semiconductor electronic materials and devices.This paper reviews the important progress in GaN-based wide bandgap microelectronic materials and devices in the Key Program of the National Natural Science Foundation of China,which focuses on the research of the fundamental physical mechanisms of group III nitride semiconductor electronic materials and devices with the aim to enhance the crystal quality and electric performance of GaN-based electronic materials, develop new GaN heterostructures,and eventually achieve high performance GaN microwave power devices.Some remarkable progresses achieved in the program will be introduced,including those in GaN high electron mobility transistors(HEMTs) and metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors(MOSHEMTs) with novel high-k gate insulators,and material growth,defect analysis and material properties of InAlN/GaN heterostructures and HEMT fabrication,and quantum transport and spintronic properties of GaN-based heterostructures,and highelectric -field electron transport properties of GaN material and GaN Gunn devices used in terahertz sources.