工艺参数对TiO2衰减瓷的影响

通过选择合理的工艺参数可提高TiO2衰减瓷的性能，实验表明通过在一定范围内升高温度、增加TiO2含量和添加高价态氧化物可提高TiO2衰减瓷的衰减量。     

后段无压力约束硫化工艺对导电橡胶性能的影响

导电橡胶硫化工艺会影响其性能。为了进一步优化导电橡胶的性能,系统研究了后段无压力约束硫化工艺对导电橡胶导电性能、交联密度、电磁屏蔽效能和力学性能的影响。结果表明:后段无压力约束硫化工艺可明显增加导电橡胶交联密度,从而减缓硅橡胶基体的老化,由此提高其导电和电磁屏蔽的稳定性,使其电磁屏蔽效能在750 kHz~3 GHz频段内较长时间保持在100 dB以上;尽管该工艺会使导电橡胶的硬度明显增加,柔性降低,但其仍可满足使用要求。     

各向异性导电胶膜新型填充粒子的研究

用分散聚合法合成了直径为3μm左右的聚苯乙烯核,在核表面化学镀形成带小突起的镍合金导电层,制成ACF新型填充粒子,对聚合物核做了粒径分布、比表面积测试,对核以及导电微球做了环境扫描电镜(ESEM)测试。结果表明:制备的导电微球密度小,呈单分散,镀层结构致密,镀层表面形成了近球形、锥形及其它不定形突起。这些突起可以刺穿电极的氧化膜。实践证明通过控制工艺参数实现控制镀层结构是一条可行方法。     

紫外光固化电磁屏蔽涂料的特性研究

以镀银铜粉为导电填料,以聚氨酯丙烯酸酯UV光固化树脂为基体材料,研制了UV光固化电磁屏蔽导电涂料。测试结果表明:该涂料的导电性能不但与填料含量、引发剂种类和含量有关,而且随涂层厚度的增强其电磁屏蔽效能增大。     

导电相和固化剂对铜系导电涂料性能的影响

利用IR、SEM等手段,较详细地研究了铜粉–环氧树脂体系中固化剂与铜粉的相互作用,并探讨了铜粉用量、形状对涂料导电性能的影响规律。结果表明:固化剂(最佳用量为20%左右)可以通过形成配合物的反应,有效除去铜粉表面的氧化物,极大改善涂料导电性,使填充75%铜粉的体系具有约0.2×104Ω·m的体积电阻率。应用渗流模型和导电通道理论分析铜粉的用量、形状对涂料导电性能的影响规律。     

钨粉化学镀铜对压制性能的影响

通过钨粉表面化学镀铜,使其表面包覆一层均匀的诱导铜膜,以此制备W-15Cu电子封装材料。采用扫描电镜和双对数压制方程理论分析,研究钨粉表面化学镀铜含量对钨粉压制性能的影响,结果表明钨粉表面化学镀铜可改善其压制性能,且随化学镀铜含量的增加,压制同等生坯密度的制品压力增大。     

化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响

研究了化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响及其机理。结果表明，化学镀镍以后许多样品因其绝缘电阻严重下降、介电损耗大幅度增加而失效。通过对比实验发现，这些样品的失效不是由于镀液的渗透引起的，而是与化学镀镍过程中的化学反应有关。提出了化学镀镍过程中产生的氢原子还原铌镁酸铅陶瓷的观点。经过一定温度的氧化热处理，失效样品的性能可以得到恢复。     

化学镀工艺在微电子材料中的研究和应用

简要综述了化学镀工艺在微电子材料中的应用,讨论了影响化学镀镍、铜、锡、钴和贵金属等的主要因素,阐述了化学镀微电子材料的特性、存在问题及研究动态。     

钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理

化学镀镍过程对ＰＴＣＲ及ＭＬＣＣ等元件的电性能，往往会产生负面效应，其中氢离子引起的还原作用不可忽视，其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。     

纳米二氧化硅对镀银铜粉导电性能的影响研究

文章研究了纳米SiO2作为涂料添加剂对丙烯酸树脂导电涂料导电性能的影响,测试了加入不同量纳米SiO2时涂层的体积电阻;用扫描电镜观察了导电涂层的表面及截面形貌,用XRD研究了镀银铜粉的结构特性。结果表明在镀银铜粉涂料中加入适量的纳米SiO2可以提高其导电性能,同时还观察到纳米SiO2可以加快涂料的固化速度,增加膜层与基板的结合度。     

半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜

利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构。在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进行活化。实验表明,预处理及其后的清洗工艺对选择性镀膜质量影响很大;采用丙酮或硝酸水清洗,有助于获得清晰的微型图元结构。     

PCB化学镀镍漏镀现象分析

文章阐述了不同尺寸铜盘连接状况、掩蔽作用等对漏洞的影响,发现孤立的小铜盘（0．1mm）比大尺寸的铜盘（〉0．1mm）更易发生漏镀,即漏镀易发生在小尺寸铜盘上,主要的原因与置换钯的速率不同相关。至于因掩蔽引发的漏镀现象,主要与平衡电化学势作用相关。在活化过程中,电子转移主要决定了漏镀发生与否。