从含锗富集物中提炼锗的工艺方法探讨

含锗富 集物用 普通的方 法蒸馏 ,锗的直收 率非常 低,只有３ ０ ％ ～４０ ％ 。我 们经过多 种工艺试验,找到 了一种 提炼锗的 工艺方 法,使锗的 直收率 达到７５ ％ 以上 。     

含锗氧化锌烟尘综合回收锗锌工艺

针对某厂含锗氧化锌烟尘锗含量较高的特性,研究拟定了酸浸一丹宁沉锗－净化－碳铵沉锌的工艺生产锗精矿与碱式碳酸锌产品,经生产验证,此法具有流程短、易操作,收率高,产品质量好等优点,能合理有效地综合回收烟尘中的锗锌等有价金属。     

Distribution of Ge Self-Assembled Quantum Dots on Six Ge1- x Buffer Layers

The effect of buried misfit dislocation on the distribution of Ge self-assembled quantum dots (SAQDs) grown on a relaxed SiGe buffer layer was investigated. The strain field of arrays of buried dislocations in a relaxed SiGe buffer layer provided preferential nucleation sites for quantum dots. Burgers vector analysis using plan-view transmission electron microscopy (TEM) verified that the preferential nucleation sites of Ge SAQDs depended on the Burgers vector direction of corresponding dislocations. The measurement of the lateral distance between SAQDs and dislocations together with crosssection TEM observation clarified that the location of SAQDs was at the intersection of the dislocation slip plane and the top surface. The misfit strain should be an additional factor governing the uniformity in size, shape and distribution of Ge SAQDs.     

株冶从铟锗置换渣中提取锗的技术进步

介绍了株冶近几年来从湿法炼锌的铟锗置换中提取锗的技术进步。重点介绍了对锗萃取剂中Ｐ２０４与煤油的最佳配比和高温除硫的研究     

Small area deposition of Ge on Ge or GaAs substrates via the disproportionation of GeI2

Metallurgical and Materials Transactions B - The low temperature GeI2 disproportionation reaction was used to grow epitaxial germanium at 350°C selectively in small areas on germanium and GaAs...     

锗纳米针状结构的制备与表征

以锗、二氧化锗为原料,铜片为沉积衬底,通过水热沉积过程制备出了锗纳米针状结构.采用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等检测手段对样品进行了分析与表征.结果表明,样品具有典型的针状特征,其长度大于10 μm,由单晶锗和无定形锗氧化物外层所组成.运用金属催化气-液-固和氧化物辅助生长机理,解释了锗纳米针状结构的形成与生长.     

GaAs/Ge太阳电池界面特性研究

采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOVPE)工艺 ,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池 ,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区 ,导致电池性能严重下降 ,而Ga和As的扩散 ,常常导致异常Ⅳ曲线 ;在GaAs外延层观察到的主要晶体缺陷是反相畴和线位错 ,通过降低生长温度和优化成核条件 ,获得了较好的界面特性 ,在n Ge衬底上获得了效率为 2 0 .2 % (AM0 ,2 5℃ ,2cm× 4cm)的GaAs电池 ,在p Ge衬底上获得了性能较好的Ge电池。