基于ZnO/金刚石/Si结构的瑞利波频散特性计算

结合声表面波的基本理论和递归刚度矩阵法,通过将瑞利波从声表面波中分离,推导出基于ZNO/金刚石/Si结构的有效介电常数数学模型。根据所建立的数学模型,采用Matlab编制出相应程序,计算得到瑞利波的相速度和机电耦合系数频散曲线。该频散曲线具有较高的精确性,能很好地反映出瑞利波的频散特性。本文从解基本的波动方程理论出发,得到了三层结构的有效介电常数数学模型,并且将其程序化,最终得到了声表面波器件设计中的两个重要参数,为多层薄膜器件的设计奠定了一定的基础。     

铌酸锂表面波器件基底最佳切割方向

为在表面波器件设计时选择基底的最佳切割方向,推导表面波压电增劲晶体声学基本方程和表面波边界条件方程,使用循环迭代法,对铌酸锂晶体最佳退耦的声弧矢yz平面计算了沿不同方向的电自由条件表面波声速与电短路条件表面波声速.在此基础上计算了机电耦合系数,并确定最大机电耦合系数的方向为基底的最佳切割方向.计算结果表明,铌酸锂晶体作为表面波器件基底的最佳切割方向为164°y切.     

正交实验法优化六方氮化硼薄膜的制备工艺

采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备了适用于声表面波(SAW)器件的氮化硼(BN)薄膜。通过正交实验法,以薄膜中六方相的纯度和取向为指标,优化了磁控溅射方法制备六方BN(h-BN)薄膜的工艺条件。利用傅里叶变换红外光(FTIR)谱和X射线衍射(XRD)谱对薄膜进行了表征,实验结果表明,溅射功率为300W、无衬底负偏压、温度为400℃和N2∶Ar=7∶8vol.%时可以制备出高纯度且高c-轴择优取向的h-BN。     

LiB3O5晶体弹性与压电性能的研究

计算并绘制了LiB3O5(简称LBO)晶体在(100)、(010)、(001)3个主晶面内慢度分布曲线,得到了声速的最大值及其方向. 探讨了LBO晶体纵向压电系数d33及机电耦合系数k33随空间方向变化的规律,分别得到了LBO晶体压电系数d33及机电耦合系数k33的最大值及其方向,并与Li2B4O7进行了比较. 结果表明,LBO晶体有作为声光器件和压电器件的潜力,并对相关器件的设计、开发及利用等方面有一定的理论指导作用.     

LGS晶体优化切型声表面波特性计算

针对La3Ga5SiO14（LGS）压电晶体的特性,利用2种边界条件下克里斯托夫方程,计算了LGS晶体典型欧拉角为切型的相速度、能流角、各项异性因子,机电耦合系数和频率温度系数等声表面波（SAW）性质。计算结果表明,对欧拉角为（90.0°,20.0°,122.2°）和（90.0°,17.5°,121.9°）等切型,LGS晶体同时具有低能流角,低温度频率系数和适中的机电耦合系数,可用于高温环境下声表面波器件制作。     

氧化铝缓冲层对ZnO薄膜性质的影响

采用反应磁控溅射的方法在石英衬底上制备了一层AI2O3薄膜,并将其作为后续ZnO薄膜生长的缓冲层.然后,采用反应磁控溅射的方法在AI2O3缓冲层上制备了ZnO薄膜.对比研究了引入Al2O3缓冲层前后,ZnO薄膜的结构和光学特性.通过引入Al2O3缓冲层,发现ZnO薄膜样品的(002)方向X射线衍射峰的半峰宽(FWHM)明显减小,光致发光谱中与缺陷相关的可见发光峰强度明显减弱,吸收光谱中的吸收边变得更加陡峭.这些结果表明引入Al2Q3缓冲层后,ZnO薄膜的结构和光学特性得到了很大改善,为制备高质量ZnO薄膜提供了参考.     

多层薄膜二次电子发射特性的理论研究

为提高硅基微通道板(silicon-based microchannel plate,Si-MCP)的增益特性,提出采用复合发射层结构取代常规的单发射层结构以改善微通道内壁的二次电子发射特性.计算了Si O2/Si、Al2O3/Si、Mg O/Si双层薄膜在不同厚度下的二次电子发射系数与初电子能量的关系曲线,并对结果进行了比对验证.该计算结果对设计制作硅基MCP具有一定参考价值.     

(110)和(002)择优取向ZnO薄膜的制备及光学性能研究

运用射频溅射法在Si和LaNiO3/Si衬底上分别制备了高度(002)和(110)取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征,发现ZnO/LaNiO3/Si薄膜的(110)取向度高达96%,ZnO/Si薄膜为(002)择优取向,两种薄膜表面均致密平整,晶粒尺寸小于80nm.光致发光结果表明,ZnO/LaNiO3/Si薄膜的光致发光峰主要为带边发射的紫外光,而ZnO/Si薄膜的光致发光峰主要为过量氧导致的缺陷引起的缺陷发光峰.因此,采用LaNiO3薄膜作为ZnO在Si衬底上生长的过渡层,能够有效抑制缺陷发光,改善ZnO薄膜的发光性能.     

V_2O_5/V/V_2O_5薄膜退火条件对其的制备及特性的影响

利用间歇通O2的方式,采用射频磁控溅射法在Si3N4衬底上制备V2O5/V/V2O5复合薄膜,研究了不同原位退火条件对薄膜阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。结果表明,经过退火处理后的V2O5/V/V2O5复合薄膜方阻值大大降低,电阻-温度曲线呈现良好的线性特性,并具有高TCR值及优良的电学稳定性。利用X射线光电子能谱(XPS)对退火后的V2O5/V/V2O5复合薄膜表面进行V、O元素分析,结果表明,V2O5/V/V2O5复合薄膜各层间的扩散效果显著影响薄膜表面不同价态V离子的含量,低价V离子会随着退火温度的升高及退火时间的延长而增多,薄膜表面对水分子的吸附也随之变强。在实验结果的基础上,利用扩散理论阐述了退火条件对V2O5/V/V2O5复合薄膜电学性能影响的机理。     

同质缓冲层温度对ZnO薄膜质量的影响

ZnO是一种宽禁带半导体,由于其优良的物理和化学性能得到越来越多的青睐,并成为了光电器件的首选材料。本文采用射频磁控溅射技术在石英衬底上溅射ZnO同质缓冲层,之后再生长ZnO薄膜。缓冲层温度分别为373、473、573和673 K,生长温度为773 K。X射线衍射结果表明ZnO薄膜为六方结构,并且是（002）择优取向。综合吸收光谱和和光致发光谱,缓冲层温度为673 K时制备的薄膜的结晶质量最好。     

水文地质参数的一种计算方法

水文地质参数的计算,在解水文地质问题(水量、水质)中十分重要,而且必须首先解决.本文给出基于有限元方法的一种行之有效的简便算法,并就某水源地实例进行了计算.     

物理试卷统计分析与评价模型

提出了一个对物理试卷的综合评价体系，以客观评价学生的实际学业水平和教学效果，促进物理教学工作改革。     

安装工程定额调整系数的计算

根据安装工程定额调整系数的计算条件及使用方法，将安装工程调整系数分为以下三类：定额子目系数；工程系数和综合系数。     

投入产出表中直接消耗系数的分配结构投入结构调整法

提出了用分配比例结构和投入比例结构调整直接消耗系数的方法,它不仅给出了分配结构或投入结构合理部门的调整法,而且也给出了分配或投入比例不合理部门的局部调整法.     

关于基点平均分值法

通过对功能评价中的基点法和平均先进分值法的分析，结合两者优点，提出一种新的功能评价方法即基点平均分值法，其基本思想是，将多个具有代表性的功能单元视为基点，计算出相应的平均成本或分值。然后以此为标准，求得其他功能的目标成本和价值系数，最后指出，每种功能评价方法所得结果都只是指示出产品或作业的改进方向，不能把它们与实际问题等同起来，否则将导致错误。     

公路桥梁地基与基础的抗震可靠度分析

鉴于地基与基础在公路桥梁整体抗震可靠度中的重要作用,过用近似概率可靠度理论,结合现行规范,全面分析了“众值烈度”地震作用下各类地基与基础的抗震可靠度水平,并推荐出目标可靠度,建议了抗震设计了的实用表达式及分项系数,供规范修订时参考。     

活塞式压缩机变工况及其计算程序

本文在简述压缩机变工况计算基本方法的基础上,探讨变工况计算程序中有关参数计算的数学模型,并提供一个能适用于各种变工况的通用计算程序。     

用于冰雪路面防滑轮胎胎面胶的研究(Ⅰ)

以天然胶、丁笨胶、1,4—顺丁胶和1,2—聚丁二烯等不同的胶种进行防滑轮胎胎面胶的配方设计,考察配方中生胶、炭黑及铁丹对胎面胶抗湿滑性的影响。在满足国家现有各项物理机械性能要求的基础上优选出了具有良好防湿滑性能的胎面胶配方。     

两种乘波前体/进气道一体化设计与性能研究

建立了由激波面推算波后流场的计算方法,设计了能够产生三道封闭圆锥激波的相交锥模型.以此为基础生成了具有三道封闭激波的乘波前体和具有一道封闭激波两道平面激波的乘波前体对比模型.分别对两种乘波前体与进气道一体化模型进行了全三维流场计算,研究了两模型在不同飞行状态下的气动性能.结果表明三道封闭激波乘波前体模型相比对比模型具有较大的气动性能优势.在进气道进口截面处边界层厚度几乎相等的情况下,流量系数提高了3.4%,总压恢复系数提高了8%,进气道进口截面流场不均匀度降低了8.8%.相比低于设计马赫数和负攻角,两模型在高于设计马赫数和正攻角有较大的封闭激波飞行范围.CFD计算结果表明,对于乘波前体设计马赫数应低于实际飞行马赫数,并且宜采用正攻角飞行.     

地震反应谱和设计反应谱差异性研究

设计反应谱是抗震设计地震荷载的表征和基础。编制了地震反应谱和地震波频谱分析程序;分析了EI Centro波、Northridge波、阪神波反应谱和频谱特性;分析了不同阻尼比对反应谱的影响;对反应谱与设计反应谱区别进行了分析。为合理选择地震波进行时程分析打下基础。