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X波段宽带单片低噪声放大器 总被引:12,自引:1,他引:12
从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9~14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9~14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9~14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。 相似文献
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1~6GHz宽带低噪声放大器的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
该放大器采用负反馈的设计原理,利用EESOF进行CAD设计,选用噪声较小增益较高的日本FUJITU公司的GaAs晶体管(FHX14型)。通过主调试,解决了研制中两个难题,即多级级联与稳定性和可靠性难题,从而使该放大器达到满意的性能指标。 相似文献
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基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计 总被引:1,自引:1,他引:0
讨论了超高频(UHF)波段宽带、高增益低噪声放大器的设计方法及设计过程,阐述了器件的选择、电路形式和元件初值的确定。利用高级设计系统(Advanced Design System,ADS)进行优化,并给出优化后的仿真结果。设计低噪声放大器,还要考虑结构和工艺。给出主要技术指标的测试结果,与仿真结果比较一致。结果表明,基于ADS软件仿真设计地低噪声放大器性能好、成本低、体积小、成品率高。 相似文献
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低噪声微波放大器是决定雷达接收机灵敏度的关键因素,而宽频带特性又是电子侦察和电磁兼容测量的关键特性。针对上述要求,研制了工作在3-6GHz的C波段低噪声宽带放大器。该场放经某基地使用,证明性能良好,满足军方要求。 相似文献
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1.9GHz0.18μm CMOS低噪声放大器的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
针对1.9GHzPHS和DECT无线接入系统的应用,提出了一种可工作于1.2V电压的基于源级电感负反馈共源共栅结构而改进的CMOS低噪声放大器,并对其电路结构、噪声及线性特性等主要性能进行分析。并与传统的低噪声放大器进行对比,该电路采用两级放大结构,通过加入电容和电感负反馈可以分别实现低功耗约束下的噪声优化和高的线性度。采用TSMC0.18μm CMOS工艺模型设计与验证,实验结果表明:该低噪声放大器能很好满足要求,且具有1.4dB的噪声系数和好的线性度,输入1dB压缩点-7.8dBm,增益11dB,功耗11mW。 相似文献
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通过一个符合性能指标的,用于射频接收系统的CMOS低噪声放大性能的设计,讨论了深亚微米MOSFET的噪声情况,并在满足增旋和功耗的前提下,对低噪声放大噪声性能进行分析和优化,该LNA工作在2.5GHz电源电压,直流功耗为25mW,能够提供19dB的增益(S21),而噪声系数仅为2.5dB,同时输入匹配良好,S11为-45dB,整个电路只采用了一个片外电感使电路保持谐振,此设计结果证明CMOS工艺在射频集成电路设计领域具有可观的潜力。 相似文献
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介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5~6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0.8dB,输出P-1≥10dBm,噪声系数NF≤1.0dB,输入驻波比≤1.2:1,输出驻波比≤1.2:1. 相似文献
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设计了一种应用于DVB-S标准的数字电视调谐器的宽带放大器.采用电阻负反馈输入匹配结构,把交流反馈和直流偏置结合在一起,在噪声、增益和线性度方面达到了很好的性能,满足射频电视调谐器的应用需要.此低噪声放大器有约2.5 GHz的3 dB带宽,大于20 dB的电压增益,输入匹配优于-14 dB,噪声系数低于3.3 dB,IIP3在2.5 dBm之上.此LNA的输入匹配、线性度、噪声性能作了较为详细的讨论. 相似文献
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对微带型幅度均衡器进行了理论分析和计算机仿真。微带型均衡器由微带谐振器上加载电阻构成,电阻的引入有效地展宽了频带。通过优化支节的长度、宽带和电阻的阻值,得到满足要求的均衡器。利用这种均衡器,对采用两级毫米波宽带MMIC的放大器进行了增益修正,使增益平坦度得到有效改善,同时对噪声的影响也较小。采用幅度均衡器最终实现的低噪声放大器在频率范围26.5~40 GHz内,增益为26.5~28.5 dB,增益平坦度优于±1.5 dB,噪声小于3.3dB,输入输出端口驻波小于2.0,输出1 dB压缩点功率大于10 dBm。 相似文献
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这里首先简单介绍了低噪声放大器(LNA)电路的设计理论,然后介绍了数字对讲机中LNA的设计指标。基于这些指标,使用了HP公司提供的芯片AT-41511,详细阐述了基于ADS仿真的适用于数字对讲机中LNA的主要设计步骤。最后在ADS仿真软件下通过s参数及谐波平衡仿真得到设计出的LNA的各项性能参数,在400-470MHz频率范围内噪声系数小于0.8dB,带内增益大于15dB。仿真结果表明,该设计的LNA可以完全满足所给的性能指标要求。 相似文献
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低噪声放大器(LNA)在射频系统中是作为接收端的前端,其增益、噪声、非线性、匹配等性能对整个接收机至关重要。随着现代通信电子技术的发展,迫切需要低噪声、高增益、低偏置、小体积的射频放大器。我们利用Ansoft的设计软件designer,设计了用于1.5GHz的低噪声放大器,器件选用Philip公司的BFG425W双极晶体管,文章主要从共发LNA电路的噪声分析入手,通过对电路的分析与仿真,对其参数进行了优化,最后提出了几点改进的措施。 相似文献
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An optimum design of a low noise amplifier (LNA) in S-band working at 2-4 GHz is described. Choosing FHC40LG high electronic mobility transistor (HEMT), the noise figure of the designed amplifier simulated by Microwave Office is no more than 1.5 dB, meanwhile the gain is no less than 20 dB in the given bandwidth. The simulated results agree with the performance of the transistor itself well in consideration of its own minimum noise figure (0.3 dB) and associated gain (15.5 dB). Simultaneously, the stability factor of the designed amplifier is no less than 1 in the given bandwidth. 相似文献