共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
2.
液晶微波通信器件所用的液晶材料都是高双折射率(Δn)液晶化合物组合而成,这些化合物的熔点大多较高,使得液晶组合物的低温共熔点较高,不利于微波通信器件的发展。本文合成了8种侧乙基三苯二炔类液晶化合物,将其按照一定的比例配置成低温共熔点在-46℃的液晶组合物MA,并以此为液晶母体,将其与另外几种液晶混合,采用矩形谐振腔微扰法测试液晶组合物在微波频段(11~35 GHz)的介电性能,得到了在18 GHz时的介电常数值(Δεr)为0.954,最大介电损耗(tanδεr max)为0.008 6,可满足微波用低熔点液晶材料的性能要求。 相似文献
3.
4.
本文介绍了一种低功耗全彩透反射型液晶显示器。该液晶显示器利用高双折射率(Δn)胆甾相液晶(Ch-LC),并在透射区域的顶部设置了一块影像增强反射层(IER)。高双折射率(Δn)胆甾相液晶能够反射宽波段的光而显示白色图像。采用传统的彩色滤光膜方法就可以显示全彩色图像。此外,在透射区顶部的IER为透射光和反射光提供了相似的光路。在任何环境下,透射区与反射区总是显示相同的图像颜色,因而大大提高了全彩色透反射型胆甾相液晶显示器显示图像的质量。 相似文献
5.
《液晶与显示》2021,(9)
近年来液晶在微波通信器件上的研究发展迅速,而液晶材料的介电损耗成为制约其发展的主要因素。异硫氰三联苯类化合物是一种结构稳定的低粘度、高双折射率液晶化合物,适于作为微波用液晶材料组分。本文通过偶联法合成了4种含氟三联苯异硫氰酸酯液晶化合物nPGUS(n=2~5),通过IR、~1H NMR、~(13)C NMR、~(19)F NMR确认化合物结构正确;差热分析(DSC)结果显示,它们都具有宽温向列相液晶态和相对较低的熔点,其中5PGUS的向列相温度范围达到101.8℃,熔点只有57.4℃;通过矩形谐振腔微扰法测试分析了它们在高频下的介电性能,将它们与母体液晶混合后,在18GHz时的介电常数值(Δε_r)为0.95,最大介电损耗为(tanδε_(r-max))0.007 63,相位调制系数(τ)0.265,可满足微波用向列相液晶材料性能要求。 相似文献
6.
7.
随着液晶显示器件向低盒厚,轻薄化,高可靠性方向发展的需求,设计开发具有高双折射率、高介电各项异性、高清亮点、高可靠性的单体液晶顺应了发展的趋势。四联苯类液晶可以用于提升液晶的使用温度范围、提高液晶的折射率,并显著提高液晶的可靠性,是近年来混合液晶设计常用的一类单体材料。本文设计、合成、评测了一类末端四氟的四联苯液晶单体,并且考察了在液晶组合物中的应用,相对于常见单体,该系列单体的折射率大于0.3,介电大于20,清亮点高于200℃,同时使紫外后电阻率提升68%~107%,并改善VHR的表现,通过气质联用、核磁氢谱、差热分析等分析方法对结构进行了表征,并对性能参数与液晶分子结构之间的关系进行了初步分析探讨。 相似文献
8.
基于严格耦合波理论设计了一种以液晶为低折射率材料的Si-SiO2复合高对比光栅,该光栅适合用于实现液晶可调谐功能的垂直腔面发射半导体激光器件。当940nm的TM偏振光入射时,通过优化参数可得到宽带(Δλ=256nm)高反射率(R>99%)且具有偏振稳定性的光栅结构,满足垂直腔面发射半导体激光器顶部腔面反射镜要求。液晶折射率的改变不会影响光栅的性能,未来有望将高对比光栅或混合光栅与液晶可调谐垂直腔面发射半导体激光器相结合,实现可调谐半导体激光器。 相似文献
9.
显示及光通讯用的高△n液晶 总被引:1,自引:0,他引:1
高双折射率(△n)液晶常用于彩色顺序式微显示、高亮度胆甾相显示、高对比度PDLC及高速光通讯。本文对△n>0.4、光吸收弱、光和热稳定性好的液晶,从液晶分子结构进行评述。 相似文献
10.
11.
A simple noise model of a microwave MESFET (MODFET, HEMT, etc.) is described and verified at room and cryogenic temperatures. Closed-form expressions for the minimum noise temperature, the optimum generator impedance, the noise conductance, and the generator-impedance-minimizing noise measure are given in terms of the frequency, the elements of a FET equivalent circuit, and the equivalent temperatures of intrinsic gate resistance and drain conductance to be determined from noise measurements. These equivalent temperatures are demonstrated in the case of a Fujitsu FHR01FH MODFET to be independent of frequency in the frequency range in which 1/f noise is negligible. Thus, the model allows prediction of noise parameters for a broad frequency range from a single frequency noise parameter measurement. The relationships between this approach and other relevant studies are established 相似文献
12.
13.
14.
15.
"杀手锏"、"产业链"问题及创新与发展策略 总被引:17,自引:1,他引:16
随着3G的演进与宽带多媒体业务的发展,用户需求、市场运营模式已发生了本质改变,在这种多方依赖、共赢合作的环境中,必须处理好技术驱动与市场驱动关系,以及“杀手锏”和“产业链”问题,企业才能作出正确的战略决策,在激烈的市场竞争中取得成功。本针对这些情况,并结合中国国情,介绍了应关注的新技术,重点论述“杀手锏”、“产业链”问题及持续发展与不断创新关系的一些策略考虑。 相似文献
16.
17.
18.
21世纪是人类历史的一个蓬勃发展的时代。在信息高速发展的今天,科学技术迅速发展,带动了人类社会的进步,但是同时也带来了人类的生存危机。人类应该正确看待科学技术,使科学造福于人类,而不成为祸害。 相似文献
19.
20.
Vapor-phase etching of (111), (111), (110) GaAs and (111), (111) GaP wafer in H2 + HBr or H2 + PBr3 gas mixtures has been conducted. The results of two cases, with liquid-forming metal (gold) layers or without coatings, are compared. Etching rates as a function of temperature in the range of 600? to 950? C were measured in Arrhenius coordinates. For both materials and for different gas environments, low-, medium- and high-temperature regions are distinguished, the activation energies in the low-temperature region (below about 650?c) being quite different for the two cases. The kinetic results are correlated with morphological changes arising from temperature variations. Some conclusions are made about the mechanisms of chemical vaporization in various temperature regions. The vaporization mechanisms have much in common with those for AII - BVI compounds. 相似文献