高稳定·宽温单片(或独石)电容器用介质陶瓷材料

利用介质陶瓷材料制造的高稳定、宽温单片(或独石)电容器,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中。在对介质陶瓷材料组分理论、控制温度工艺研究,以及BaTiO3-MgO3-Nb2O5系材料组分重组的分析的基础上,通过改进研磨工艺,控制煅烧温度等方法,研制出了工作温度范围宽、低损耗、介电常数ε可通过调整、性能稳定性电容器介质陶瓷材料。     

高Q值、高稳定微波介质陶瓷材料制作方法的研究

为了研制一种高Qf值、高稳定性的微波介质陶瓷材料,在理论分析的基础上,通过对XCaO YLa2O3 ZAl2O3WTiO2材料组分重组,结合改进工艺实验方法,使介质陶瓷材料的Qf值、稳定性得到明显改善,从而确定了生产适合高频大功率微波器件用介质陶瓷材料新工艺方法。     

高Q微波介质陶瓷材料D_3的研制

本文介绍了高Q微波介质陶瓷材料D_3的研制结果。较详细地叙述了该材料样品制备过程中各种工艺的选择及控制方法。并列出用这种工艺制备的微波介质陶瓷材料D_3的微波性能和测试方法。通过本文列举的利用D_3材料制成的10.5GHz介质谐振器滤波器和8.2GHz介质谐振器振荡器的性能指标,说明该材料在X波段、K波段制作介质谐振器振荡器、介质谐振器滤波器等方面将被广泛地采用。     

高Q微波介质陶瓷材料D3的研制

本文介绍了高Q微波介质陶瓷材料D3的研制成果。较详细地叙述了该样品制备过程中各种工艺的选择及控制方法。并列出用这种工艺制备的微波介质陶瓷材料D3的微波性能和测试方法。通过本文列举的利用D3材料制成的10．5GHz介质谐振器滤波器和8．3GHz介质谐振器振荡器的性能指标，说明该在X波、K波段制作介质谐振器振荡器、介质谐振器滤波等方面将被广播地采用。     

B_b微波介质陶瓷材料的研制

通过对Ba(Zn_(1/3)Nb)_(2/3)O_3-Ba(Zn(1/3)Ta_(2/3))O_3系统微波介质陶瓷材料的配方研究和工艺条件实验,研制出的B_b微波介质陶瓷,具有适中的介电常数,较高的无载Q值和接近0ppm/℃的谐振频率温度系数,是一种性能优良的新型微波介质陶瓷材料。     

微波陶瓷介质滤波器成型烧结工艺可靠性研究

该文从微波陶瓷材料NP37本身出发,压制标准件,通过对密度、电性能测试及内部切片形态观测验证不同成型压力、烧结设备(气氛炉和隧道炉)、烧结温度工艺下对坯体制作性能及可靠性的影响。研究表明,在成型压力2 000 kg、隧道炉1 160 ℃烧结工艺下,坯体性能及可靠性测试结果最佳。将其用于介质滤波器的坯体制作、介质滤波器坯体的切片、扫描电镜(SEM)测试、热震试验及温度冲击试验,结果验证了此成型烧结工艺可靠性较高。结果表明,通过验证标准件成型烧结工艺指导介质滤波器生产的方法能有效地提高产品可靠性。     

便携式无线通信中的陶瓷技术

重点讨论了现代无线通信中关键元器件之一滤波器的发展进程,中、高频及微波滤波器的主要类型及性能特点。低损耗、高介电常数陶瓷在RF和IF滤波器中的应用,能够实现无线设备的微型化。对制备滤波器的介质陶瓷材料的要求是:在所使用的波段内,相对介电常数r要大,可缩小介质元件的尺寸;品质因数Q要高,可获得良好的滤波特性及通讯质量;谐振频率的温度系数f接近于零或可调节,以达到整机电子回路的要求。     

微波介质陶瓷材料介电性能间的制约关系

微波介质陶瓷材料的三个主要参数相对介电常数εr、品质因数Q和谐振频率温度系数之间存在一定的关系。采用一维双原子线性振动模型,分析了微波介质陶瓷材料的εr、Q影响因素和它们之间的相互制约关系;采用Clausius-Mosotti方程,分析了谐振频率温度系数的影响因素以及它和εr之间的相互制约关系。讨论了提高高介微波介质陶瓷材料性能的途径,发现采用同电价质量较轻的离子取代,在基本不影响介电常数的情况下具有提高材料的Q·f值的可能性。     

Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷的研究进展

3G移动通信事业的迅速发展对应用于基站的微波介质谐振器陶瓷材料的Q值提出了更高的要求。Ba(Zn1/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷材料因为具有很高的Q值、接近于零的τf和适宜的εr而备受关注。介绍了Ba(Zn1/3Nb2/3)O3系列微波介质陶瓷的结构和性能、改性研究、纳米化制备工艺及Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-Ba(Co1/3Nb2/3)O3复合技术,以期对该领域其他研究者有所帮助。     

微波介质陶瓷材料综述

从使用微波介质陶瓷材料制作微波介质谐振器的角度，详细综述了微波介质陶瓷材料的特性、发展现状，讨论了提高微波介质材料性能的途径，指出了其今后的发展和应用方向。