在分子束外延P型HgCdTe薄膜上制造长波红外平面光电二极管

本文介绍了分子束外延生长ＨｇＣｄＴｅ外延层以及利用平面工艺技术制制敏感波长为８μｍ－１０μｍ的小型ｐ－ｎ结的结果,在分子束外延过程中,生长动态,组分和表面粗糙度是利用内在高能电子衍射计和椭圆对称计在原位控制的。小面积光敏二极管（５０×７０μｍ）是利用平面工艺技术和阳极氧化物薄膜下的退火技术而制造出来的,Ｖ－Ｉ,光谱响应以及噪声特性的测量结果表明,在用发子束外延技术生长的碲镉汞外延层上制造的光电二极     

用于红外探测的HgCdTe光电二极管：述评（上）

1959年,英国皇家雷达科学研究院发表了第一份关于将半金属HgTe和宽带隙半导体CdTe合成为半导体合金HgCdTe的报告.这篇富有创造力的论文报告了HgCdTe在12μm以下波长上的光导和光伏响应,并保守地认为,这种材料有希望成为本征红外探测器的制作材料.     

用于红外探测的HgCdTe光电二极管：述评（下）

3光伏HgCdTe 从20世纪60年代后期开始,常规的n型HgCdTe光导体被用于许多星载仪器,如需要截止波长长达20μm的多光谱辐射计和需要对重要的15μm大气CO2波段具有高灵敏度的大气探测仪.人们充分认识到,对于遥感仪器来说,光伏HgCdTe较之光导HgCdTe具有许多优点,例如,1/f噪声非常小;无偏压功率;阻抗非常大,可以与低噪声硅CMOS多路传输器相匹配,从而实现大型二维混成焦平面列阵;结构通用性好,适用于具有密集元件的二维列阵;线性度较好,为10x～100x;具有直流耦合功能,这可以用来测量总的入射光子通量;背景限红外光导D*极限较高,为√2.在过去的10年中,一些高级星载多光谱仪器已经利用光伏HgCdTe的优点获得了前所未有的灵敏度和光谱分辨率.     

论碲镉汞光电二极管的暗电流

对于工作在1—30岬波段的各种红外光电探测器来说,碲镉汞（Mercury Cadmium Telluride,MCT）已经成为最重要的一种半导体材料。为了获得最优的性能,MCT探测器的暗电流必须降至最小。主要根据近年来的部分英文文献,从基本概念入手,介绍了有关MCT光电二极管暗电流研究的发展情况,并讨论了对于MCT光电二极管暗电流有关问题的理解和体会。     

HgCdTe光电二极管阵列的噪声等效温差特性

本文计算用于探测8～12μm波段辐射的Hg_(1-x)Cd_xTe光电二极管线列的噪声等效温差(NETD)。用材料性能作为参数,给出光电二极管的暗电流、信号和背景的光电流对光电二极管的截止波长及工作温度的依赖关系,并计算NETD与这些参数的关系。当非平衡载流子寿命和体掺杂级作为参数时,根据Hg_(1-x)Cd_xTe的克分子组分来确定NETD的最佳数值。获得了光电二极管的最适宜的截止波长和工作温度。对于现行技术和77K的焦平面温度来说,证明了实例系统的最适宜的截止波长是在9.5～10.5μm范围内。     

论碲镉汞光电二极管的暗电流(下)

对于工作在1～30 μm波段的各种红外光电探测器来说,碲镉汞(MercuryCadmium Telluride,MCT)已经成为最重要的一种半导体材料.为了获得最优的性能,MCT探测器的暗电流必须降至最小.主要根据近年来的部分英文文献,从基本概念入手,介绍了有关MCT光电二极管暗电流研究的发展情况,并讨论了对于MCT光电二极管暗电流有关问题的理解和体会.     

γ射线辐照对中波HgCdTe光导器件性能的影响

对中波ＨｇＣｄＴｅ光电导器件用不同剂量的γ射线进行辐照，测量了其辐照前后的响应光谱、体电阻和响应率、探测率的变化，实验发现γ辐照使其峰值波长和截止波长向短波方向稍许移动；器件体电阻上升；而其响应率和探测率都有不同程度的改善。     

碲镉汞雪崩光电二极管在激光雷达上的应用

首先简要介绍激光雷达的主要军事应用、激光雷达对接收器的性能需求及激光雷达接收器的现状,综述碲镉汞材料特点、碲镉汞雪崩光电二极管探测器特点,与现有激光雷达接收器相比碲镉汞雪崩光电二极管作为激光雷达接收器的优势及制备技术;综述国外碲镉汞雪崩光电二极管用于激光雷达接收器的发展现状;最后分析我国发展用于激光雷达接收器的碲镉汞雪崩光电二极管可行性。     

表面固定电荷对Hg1—xCdxTe光导探测器性能的影响

研究了表面固定电荷密度对ＨｇＣｄＴｅ光导探测器性能的影响，计算结果表明，表面固定电荷对器件的性能有着重要的影响，选择合适的钝化工艺，控制表面固定电荷密度，可以优化器件性能     

短波紫外光照射对n型碲镉汞探测器的影响

用波长以１８４９和２５３７为主的短波紫外光对经阳极氧化的光电导器件进行一定时间的照射，结果表明，器件探测率和响应率显著提高．     

Hg1—xCdxTe的远红外透射光谱与晶格振动

采用傅里叶变换红外光谱仪，在４．２～３００Ｋ、２０～３５０ｃｍ－１范围测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的远红外透射光谱，研究了剩余射线吸收带两侧样品的吸收行为．除了单声子及双声子模外，还观察到杂质能级和由杂质导致的振动模     

用室温红外透射谱研究Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜的组份分布

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布，并与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）测量结果进行了比较     

n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式，推测多声子无辐射复合起着决定性作用     

Hg_（1－x）Cd_xTe液相外延薄膜的光致发光

用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光．当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动，这是由于外延薄膜纵向组份不均匀引起的     

用迁移率和载流子浓度研究碲镉汞中的深能级

获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率 载子浓度与温度的关系，可以得到关于深能级的重要依据。     

Hg1—xCdxTe深缺陷能级研究

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.4)p~+n光伏二极管中的缺陷能级.通过改变注入脉冲条件,获得2个电子陷阱和2个空穴陷阱,电子陷阱的能级位置分别为E(0.06)和E(0.15),空穴陷阱的能级位置分别为H(0.075)和H(0.29).这些深能级的浓度约为浅能级浓度的百分之几.通过改变注入脉冲的宽度,测量了这些能级的多子俘获截面,根据这些深能级的特征参数,估算了器件的少子寿命和零偏压的动态电阻与面积的乘积,并讨论了一些缺陷能级的本质.     

碲镉汞体材料的显微Raman光谱

利用Raman显微镜测量了ACRT-Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别出了碲镉汞的基本光学振动模,由此证明了碲镉汞按品格振动的分类方法属于二模混晶;识别出了一个来源于类HgTe的TO1模+LO1模的二级Raman散射峰;观察到了碲镉汞体材料中两个新的Raman散射峰,分别位于662 cm-1和749 cm-1;观察到了碲镉汞基本光学振动模的TO1模与LO1模的Raman散射强度比的变化,指出该现象是由于Raman散射几何配置不同引起的.     

Hg1—xCdxTe光导探测器的电学参量分析

测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器中电阻率与温度及磁场强度的关系．在Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）测量中,发现了表面电子的浓度在１．２～５５Ｋ的范围内没有变化．一个包括体电子和两类表面电子的三带模型被用来分析电阻率随温度变化的关系,由此得到的电学参数与实验及ＳｄＨ测量获得的结果非常符合