溶液法制程对有机薄膜晶体管性能影响的研究

基于新型的聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作有机薄膜晶体管,通过优化聚合物半导体材料的溶剂、旋涂速度、退火温度等条件,提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明,不同溶剂溶解半导体对制成的有机薄膜晶体管的迁移率影响明显;半导体层旋涂速度过慢和退火温度过低都会降低有机薄膜晶体管的性能。当采用1,2,4-三氯苯(TCB)作为半导体溶剂,旋涂速度为3 000r/min,后烘温度为190℃时,有机薄膜晶体管的迁移率可以达到约0.5cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅降至约0.6V/dec,开关比大于106。     

基于金属电极和有机半导体层的制备工艺对有机薄膜晶体管性能的研究

基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过不同方法制备有机半导体层、栅极和漏极,以提高有机薄膜晶体管的器件性能.结果表明,有机半导体层是否图形化以及不同金属电极的制备工艺对器件的接触电阻影响明显.有机半导体层图形化后,器件的开关比有较大的提升.采用lift-off工艺,先在聚合物绝缘层材料上对光刻胶图形化,然后利用真空蒸镀法将金属电极蒸镀到绝缘层材料上,最后将器件浸泡在70℃的NMP溶液中约30 min,接触电阻约为4.8×107 Ω;采用湿刻工艺对蒸镀在绝缘层材料上的金属电极进行处理,接触电阻有明显的下降,约为3.6×106 Ω.     

有机薄膜晶体管(OTFT)的研究进展

有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,OTFT)具有工艺简单、成本低及柔韧性良好等优点,成为下一代显示技术的研究焦点.本文综述了有机薄膜晶体管的研究现状和未来的发展趋势,比较了采用不同材料的OTFT器件的性能,总结了影响OTFT性能的两大主要因素,即栅极绝缘层与有机有源层之间的界面特性和有机有源层与源/漏电极之间欧姆接触电阻的大小,并详细综述了改善OTFT性能的最新方法和研究成果.     

聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析

基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,在惰性环境下退火的器件的饱和迁移率是在空气中退火的器件的两倍多。无论退火温度是100°C低温情况还是190°C高温情况,上述结论均适用。这一结果表明退火环境对器件的影响至关重要。     

表面修饰的ZnPc薄膜晶体管性能研究

以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌(ZnPc)作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷(OTS,C18H37SiCl3)/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体管(OTFT)。实验表明,采用OTS可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度,器件的场效应迁移率提高了3.5倍,漏电流从10-9A降到10-10A,阈值电压降低了5 V,开关电流比从103增加到104。结果显示,具有OTS/SiO2双绝缘层的器件结构能有效改进OTFT的性能。     

具有无机有机双绝缘层和修饰电极的薄膜晶体管

研究了有机薄膜晶体管器件.器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰SiO2可以有效地降低栅绝缘层的表面能从而明显提高了器件的性能.器件的场效应迁移率提高了2.5倍、阈值电压降低了3 V、开关电流比从103增加到104.同时我们采用MoO3修饰铝作为器件的源漏电极,形成MoO3/Al双层电极结构.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al 电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流Ids.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的及MoO3/Al 电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

喷墨打印PVP绝缘层柔性薄膜晶体管研究

柔性电子设备的快速发展对薄膜晶体管(TFT)提出了低功耗、耐弯折和可低温制备的要求.其中,栅极绝缘层是核心材料之一.溶液法制备有机栅极绝缘层具有低成本、柔韧性强的优点,适合大面积加工.本文采用喷墨打印法实现了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)墨水的印刷成膜,采用XPS分析了不同退火温度处理的印刷PVP薄膜成分差异,并测试了PVP...     

并五苯有机薄膜晶体管电学性能研究

制作了以并五苯为半导体有源层材料的有机薄膜晶体管。用热氧化的方法制备了一层230nm的二氧化硅栅绝缘层并用原子力显微镜(AFM)分析了表面形貌。研究了器件的电学性能,得到的并五苯有机薄膜晶体管器件载流子迁移率为8.9×10-3cm2/V.s,器件的阈值电压和开关电流比分别为-8.2V和1.0×104。     

高性能顶栅结构有机薄膜晶体管

采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1.6cm2/V.s。研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异,并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因。     

旋涂法制备声表面波化学传感器膜的研究

声表面波化学传感器因高灵敏、便携而快速等优点被用来检测有毒有害气体。聚合物在声表面波敏感器件表面的旋涂技术是研究的热点。用旋涂法把溶于丙酮的氟硅氧烷聚合物溶液在声表面波器件表面制备成膜。通过网络分析仪,对在基片不同的旋涂区域和不同聚合物粘度对敏感芯片的品质因数和插入损耗的差异的分析、对比,确定环基片中心区为成膜的最佳旋涂区域,聚合物溶液增比粘度小于0.34时对成膜质量影响较小。     

有机电致发光与有机半导体的发展

有机电致发光的迅速发展也推动了有机半导体的发展本文在比较了有机半导体和无机半导体的主要特征的基础上,分别介绍了有机半导体的主要领域包括有机电致发光、有机光导、有机太阳电池、有机薄膜晶体管等的发展。     

有机发光显示技术及有机半导体

近年来有机发光显示技术及其应用的迅速发展,使人们对有机半导体材料和器件有了新的认识.有机半导体材料及器件是近期有望取得重大突破的一个十分活跃的研究领域.有机半导体材料有可能在有机电致发光、有机光电转化、有机场效应管、太阳能电池以及信息存贮器件等领域得到广泛应用,并将促进有机电子产业的进一步发展.     

有机发光显示技术及有机半导体

近年来有机发光显示技术及其应用的迅速发展,使人们对有机半导体材料和器件有了新的认识.有机半导体材料及器件是近期有望取得重大突破的一个十分活跃的研究领域.有机半导体材料有可能在有机电致发光、有机光电转化、有机场效应管、太阳能电池以及信息存贮器件等领域得到广泛应用,并将促进有机电子产业的进一步发展.     

Flexible Organic LED and Organic Thin-Film Transistor

In this paper, a plastic organic thin-film transistor (OTFT) with high mobility formed on the polymeric gate dielectrics is presented. Flexible organic LEDs (OLEDs) operated by an OTFT are fabricated with a novel lamination method and the results are also presented. Fabrication method and the performances of white (consisting of R, G, and B) OLEDs with high efficiency, stability, and good color purity are discussed.     

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法

有机电致发光器件中有机薄膜的制备方法非常重要,不同方法制备的薄膜质量不同,这直接影响着器件的效率;制备方法直接影响到产业化中的器件制备成本。根据材料的不同,有机小分子常用真空蒸镀的方法,而高分子材料常用旋涂的方法制备薄膜。随着有机电致发光器件制备工艺的发展,相继出现了其他的制备工艺,如:有机蒸汽喷印(organic vapor jet printing)、有机气相沉积(organic vapor phase deposition)、丝网印刷(screen printing)和喷墨打印(ink jet printing)技术等,这对有机电致发光显示器产业化发展具有巨大的推动作用。文章综述了这些制备方法,比较了它们的优缺点,以及这些工艺对产业化的影响。     

有机电致发光

详细介绍了有机电致发光的原理、结构和制备方法，分析了用于有机电致发光的各种材料的性能以及蓝色有机ＥＬ，最后提出了存在的问题及展望。     

Organic Networks

The topic of organic networks derives from the confluence of two distinct bodies of research that have been proceeding independently in the Media Lab for the past several years — 'Viral Networks', which focuses on the enabling technology underpinning end-to-end, grassroots communications systems, and 'Influence Networks', which encompasses ways that both first-world and third-world societies bend the technology of easy connectivity to suit their own economic, cultural and social interests. While the general method of research in the Media Laboratory (semi-autonomous groups following largely independent research tracks) implies that these two themes are somewhat segregated, their intersection carries implications and lessons in and of itself that are too strong to be ignored — hence this co-ordinated set of papers.     

Preface to the Special Issue on Semiconductor Optoelectronic Integrated Circuits

The past 20 years have witnessed the rapid growth of photonic integration circuits(PIC)technology,which has been warmly embraced by both academia and the industry.Powered by the advanced development in material growth,processing,and design capability,the PIC technology now covers multiple material platforms,including III–V(InP,GaAs),silicon,silica,lithium niobate on insulator(LNOI)polymer,etc.The integration level has evolved from a single functional device to thousands of components on-chip.The increase in the performance and the complexity of the PICs have become an energetic booster for communication and information technology.     

有机层界面对有机电致发光器件性能的影响

采用真空蒸镀的方法,制备了以ITO/2T-NATA(15 nm)/NPB(25 nm)/Alq3(30nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)为基本结构的绿光器件,实验中在NPB(25 nm)与Alq3(30 nm)有机层界面处加入周期性不同的NPB(10 nm)/Alq3(10 nm)结构的有机层.通过实验测得的数据,研究了周期性的空穴传输层与发光层结合这种特殊结构对绿光器件发光性能的影响.根据实验结果,发现在有机层界面处,加入周期不同的NPB(10 nm)/Alq3(10 nm)层虽然会提高器件的起亮电压,但会改善器件的发光效率,而对器件的发光波长与发光区域以及发光亮度影响不大.