纳米尺度的Ag（TCNQ）薄膜的电特性

研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ）在STM针尖下的电特性，观察在纳米尺度下Ag(TCNQ）从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象，阻态间的跃迁可以重复进行，其阈值电压比交叉电极“三明治”结构的情况要低得多。另外，研究了Ag(TCNQ）电存储特性，包括写入，读出和擦除特性，结果表明Ag(TCNQ）可以作为超高密度的随机存储器的材料。     

有机纳米整流器的STM研究

金属有机络合物Ag TCNQ的薄膜在STM针尖电场的作用下 ,当电压达到某一阈值后可以从高阻态跃迁至低阻态。在一定的条件下 ,在低阻态的保持时间很短 ,且高低阻态间的转换可以重复。由于它们都是有机材料 ,根据这种特性 ,提出了一种新型有机纳米整流器的设想 ,并成功地制作了输出可控的有机纳米整流器的原型。     

基于STM/AFM技术的信息存储材料研究现状及进展

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率，因而能在纳米尺度上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已经成为信息技术领域的研究热点。简要地介绍了近年来利用扫描隧道显微镜／原子力显微镜（STM／AFM）实现信息写入的纳米信息存储材料的研究进展，并进一步列举了尚待解决的问题。     

非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备

将Langmuir-Blodgett（LB）膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中．采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5m,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜．采用SEM对LB膜的表面形貌进行观测,研究了表面压对成膜质量的影响,结果表明在表面压为15mN／m时可获得密度为10^11cm^-2均匀分布的PtAu纳米颗粒单层二维阵列,可应用于非挥发性金属纳米颗粒浮栅存储器,并成功拓展了LB膜等化学方法的应用范围．     

有机纳米整流器的STM研究

金属有机络合物Ag-TCNQ的薄膜在STM针尖电场的作用下，当电压达到某一阀值后可以从高阴态跃迁至低阻态。在一定的条件下，在低阻态的保持时间很短，且高低阻间的转换可以重复。由于它们都是有机材料，根据这种特性，提出了一种新型有机纳米整流器的设想，并成功制作了输可控的有机纳米整流器的原型。     

单层聚酰亚胺LB膜的STM成象

扫描隧道显微镜(STM)被用来表征聚酰亚胺LB膜的形貌及分子排列结构。本文介绍了单层聚酰亚胺LB膜样品制备过程,所用的STM系统及STM实验。给出了该LB膜亚胺化前后的STM图象。结果表明,所制备的LB膜的聚合链排列有序,测得链间距即横向周期～7(?),纵向上所谓的“之”字型结构的周期为11(?)。这些数值与根据分子面积在理论上所预估的结果相符。     

一种可擦写可读出的有机电双稳器件

本文报道一种可连续可逆转换的有机电双稳薄膜器件,Al/TPR-1/Al/TPR-1/Al,其中TPR-1为有机分子材料,利用真空蒸发-紫外原位聚合的方法制作成膜.在器件中,两层交联的有机物中间夹一层很薄的铝膜.该器件在较低电压(＜3V)作用时呈现高阻状态,阻值大于108Ω;而在较高电压(约5V)作用时,则为低阻态,阻值约为105Ω.两种状态的电阻值比为103～105.高低阻态均可通过一个较小的电压(1V)读出,并且低阻态可以用反向电压"擦除",回到高阻.     

纳米巨磁电阻材料的电化学制备及其应用

巨磁电阻材料大多采用物理法制备．与溅射法、分子束外延等方法相比,电化学法具有设备简单、成本低廉、低温操作、过程可控等优势,是制备巨磁电阻材料的良好途径．为此,针对国内外巨磁电阻材料的研究状况,结合多年来本研究室在该领域的研究工作,介绍了一维纳米多层线、二维纳米金属多层膜、自旋阀和颗粒膜等巨磁电阻材料的电化学制备方法、表征及磁电阻性能．简述了巨磁电阻材料在超高灵敏度微型传感器、巨磁电阻磁盘、读出磁头、磁随机存储器和磁电子器件等方面的应用,并对发展前景和研究方向进行了展望．[编者按]     

一种超高密度存储材料的四极质谱分析

三乙胺-四氰-p-醌二甲烷(TEA(TCNQ)2)单晶样品是一种可以用来进行超高密度信息存储研究的有机复合物材料.在扫描隧道显微镜(STM)针尖和TEA(TCNQ)2样品间加电压脉冲,可以在TEA(TCNQ)2样品表面形成规则排列的直径为纳米级孔洞阵列.为了阐明孔洞形成的机理,使用四极质谱计对其进行了残气分析.在负高压脉冲刻蚀TEA(TCNQ)2样品,测量到放出气体为TEA的86u主峰,证实了STM脉冲刻蚀形成的孔洞阵列主要是由于TEA(TCNQ)2气化分解的结果.测量TEA(TCNQ)2样品在不同热处理温度时的放气质谱,发现TEA(TCNQ)2样品在110℃时大量放出TEA气体.     

扫描隧道显微镜的一种新模式

本文提出了扫描隧道显微镜(STM))在高隧道电压区(Fowler-Nordheim区)工作的一种新模式——恒流和极大电导率(CCMC)模式。分析和计算表明,由此得到的CCMC图象能给出不依赖于表面功函数变化及表面局域态密度结构的表面形貌图,同时还能给出表面局域功函数分布图。最后对CCMC图象的分辨率和适用范围作了讨论。