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《电气时代》2015,(7)
<正>《电力半导体新器件及其制造技术》作者:王彩琳编著机械工业出版社ISBN:978-7-111-47572-9定价:99.00元本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、GTO的门极硬驱动、IGCT的透明阳极和波状基区、功率MOSFET的超结及IGBT的电子注入增强(IE)等新技术进行了详细介绍。 相似文献
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电力电子器件及其应用的现状和发展 总被引:27,自引:0,他引:27
电力电子是现代科学、工业和国防的重要支撑技术,功率器件是电力电子技术的核心和基础,其应用是电力电子技术发展的驱动力。该文对现代电力电子器件,特别是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件及当前电力电子应用装置/系统的诸多热点问题(绿色能源应用、电动汽车、LED照明)的现状和发展前景进行简要的综述。 相似文献
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功率磁性元件广泛用于电力电子装置中,它担负着磁能的传递、储存以及滤波和电气隔离等功能,采用磁集成技术可以有效地减小磁性元件的体积和损耗,提高功率密度和工作效率,改善输出纹波。本文综述了磁集成的概念、分析方法及其在电力电子中的应用。 相似文献
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混合封装电力电子集成模块内电磁干扰的屏蔽 总被引:3,自引:1,他引:3
混合封装有源电力电子集成模块(IPEM)是目前中功率范围内电力电子集成的主要方式。然而,IGBT与控制和驱动电路高密度地集成在一起,电磁干扰是非常重要的问题。研究发现,在IGBT开关瞬态,一个仅仅在直流母线和开关器件之间流动的高频环流是功率电路对控制和驱动电路产生电磁干扰的主要原因。为了抑制这个高频环流的影响,研究了在模块内施加平面电磁屏蔽层的作用和实际效果。结果证明,在模块内设计屏蔽层是改善模块内EMC,提高模块可靠性的有效和必要手段。 相似文献
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IGBT的驱动与保护电路研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对电力电子功率器件IGBT的开关特性、驱动波形、功率、布线、隔离等方面的要求和保护方法进行了分析和讨论 ,介绍了IGBT的几种基本驱动电路和一种典型的集成驱动电路的应用 相似文献
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IGBT的驱动与保护电路研究 总被引:7,自引:0,他引:7
对电力电子功率器件IGBT的开关特性、驱动波形、功率、布线、隔离等方面的要求和保护方法进行了分析和讨论,介绍了IGBT的几种基本驱动电路和一种典型的集成驱动电路的应用。 相似文献
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3 PEBB(电力电子模组) PEBB[5]是一种范围很宽的概念,它把功率器件、门极驱动器和其他元件成功地集成在模组里,具有确定的功能和接口,服务于多种应用.结果,它使电力电子系统的应用和维修的成本、耗损、重量、外形尺寸显著减小,还降低了工程造价和工作量. 相似文献
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《智能电网》2016,(7)
未来智能电网的发展中将大量采用电力电子装置来实现新能源接入、高压直流输电以及电能质量的改善等。电力电子装置的核心元件是功率半导体器件。传统硅基功率半导体器件(如IGBT、功率MOSFET等)的发展已接近其物理极限,而新一代宽禁带半导体器件(特别是碳化硅功率器件)的优异性能正可以满足未来智能电网对高效率、高性能电力电子装置的需求。为了准确地了解并评估碳化硅功率器件对智能电网中电力电子装置效率的影响,本文对1 200 V级碳化硅MOSFET的动静态特性进行了系统完整的测试和分析,并将其功率损耗特性与相同功率等级的硅基MOSFET进行了实验测试与对比。结果表明,采用碳化硅MOSFET可以大幅度减小电力电子装置的功率损耗,特别是器件的通态损耗。相比于采用硅基MOSFET的电力电子变换器,采用碳化硅功率器件的装置其器件损耗可以减少60%以上。最后,本文对碳化硅功率器件在未来智能电网中的应用进行了展望。 相似文献