安森美推出200V和250V肖特基器件

安森美半导体推出200V和250V肖特基整流器，应用于等离子／LCD电视、电源、消费类和汽车电子，把原有的肖特基势垒电压超越至200V以上。此外，还推出了两款新的SMC封装肖特基整流器。     

业内首个250V硅肖特基器件

安森美半导体推出了业内首个250V肖特基整流器，应用于等离子体／LCD电视、电源、消费类和汽车电子，把原有的肖特基势垒电压超越200V。公司为了进一步扩展其高压肖特基产品系列，还推出了两款全新的200VSMC封装肖特基整流器。     

NTST30100CTG/NTST20100CTG/ NTSB20U100CTG：肖特基整流器

安森美半导体推出新系列的100伏（V）沟槽型低正向压降肖特基整流器（LVFR），用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流，直流（DC／DC）转换器等应用。     

分立半导体

高电压肖特基整流管。MBR60100CT肖特基整流管最适合100至300W供电应用，具有100V反向电压和60A正向电流，封装形式是TO-220AB。该器件典型正向电压是0．64V，最大反向漏电流20mA，典型漏电流仅8．5mA。     

-48V 整流器配置与直流系统设置

就-48V开关电源的整流器配置、蓄电池放电终止电压、直流供电系统设置方案以及电力设备布置等事宜，阐明了观点。     

Vishay推出新型60A、100V双高压Trench MOS肖特基势垒整流器

Vishay公司.推出一款新型TrenchMOS肖特基势垒(TMBS)整流器,其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。新型V60100C采用共阴极30AX2配置,其额定电流及额定电压分别为60A及100V,该器件在30A及125°C时正向压降(每脚)为0.70V,在30A及25°C时为0.79V。专为在70W～800W的高频开关模式     

Vishay推出高功率密度、高系统效率的新款FRED Pt整流器

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出27个采用小尺寸、低高度SMPC(TO-277A)eSMP系列封装的新型4 A~10 A FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器。这些通过AEC-Q101认证的整流器具有极快和软恢复特性,以及低泄漏电流和低正向压降,可减少汽车和电信应用里的开关损耗和过耗散。这款Vishay Semiconductors FRED Pt整流器的反向电压为100V、200V     

输入电压达40V以上的降压稳压系统的设计问题及其解决办法

一般来说，我们会采用开关稳压器将不稳定的高输入电压降低为稳定的低输出电压。对于必须通过直流/直流转换降低输入电压的系统来说，采用开关稳压器可大幅提高转换效率，这方面远比线性稳压器优胜。大部分内置变压器的直流／直流转换器都采用回扫及正向的电路布局。由于这两种布局的变压器匝数比可以按照不同要求加以设定，因此可以满足大部分降压转换的要求，     

电力器件用的6H—SiC,3C—SiC和Si的比较

为了实现５０～５００Ｖ的击穿电压范围，本文详细讨论了６Ｈ－ＳｉＣ和３Ｃ－ＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性，并与Ｓｉ器件做了比较，结果表明，由于其漂移区电阻非常低，故５０００ＶＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ在室温下能够处理１００Ａ／ｃｍ＾２的导通电流密度，正向压降仅分别为３．８５和２．９５Ｖ。这些数值甚至优于Ｓｉｐｉｎ整流器和门可关断晶闸管。这     

一种新型肖特基整流管设计

在研究功率肖特基整流管的基础上,针对反向击穿电压、漏电流、抗浪涌能力的提高,采取加场限环的方法,设计并制造了一种新型结势垒肖特基整流管(Junction barrier Schottky rectifier,JBS)。通过从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行了全面设计。经测试,电参数水平正向电压VF：0.85-0.856V,反向电流IR：4-50.5uA,反向电压VR:307.5-465.2V,抗静电水平从低温退火的6-12KV提高到15KV,经高温直流老化后,可靠性电参数水平满足预期的设计要求。     

Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50VTMBS整流器

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出7个新的45V和50V器件，扩充其TMBS@TrenchMOS势垒肖特基整流器。这些高电流密度的整流器适合汽车和商业应用，具有3～8A的电流等级和低正向压降。采用薄外形表面贴装DO-221BC（SMPA）封装。     

具有亮度调节功能的高亮度LED驱动器

Maxim推出具有宽输入电压范围的高亮度（HB）LED驱动器MAX16801／MAX16802。MAX16801适合通用的交流输入（85V至265V交流电压整流输入）LED驱动器，MAX16802则适用于直流输入LED驱动器（10．8V至24VDC．采用外部偏置时输入电压可以更高）。     

Vishay新款TMBS~整流器减少功率损耗并提高效率

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出12款电流等级从6～20 A的新型45 V、60 V和100 V器件,扩大其TMBS~ Trench MOS势垒肖特基整流器。器件适合商业应用,具有极低的正向压降,采用表面贴装TO-252(DPAK)封装。今天发布的整流器在3 A下的正向电压降只有0.34 V,包括9款双芯片和3款单芯片整流器,在低压高频DC/DC转换     

高压稳压器

要将直流电压（35～40V）稳定，直流稳压器LR12是比较好的选择，这个小稳压器能对付高达100V的输入电压，而输出电压能在1．2V到88V间调整，有点缺点是输入电压至少需要超过输出电压12V。     

油电混合动力汽车动力系统中光电耦合器的应用合器的应用

在油电混合动力汽车（HEV,Hybrid．Electric Vehicles）中不管是交流／直流或是直流／直流电压转换器都足桕当关键的构建方块,如主电池的高电压大约200V～800V,混合动力汽车通常使用直流,直流转换器把电压由高电压电池升压以提供电动汽车电机动力,     

austriamicrosystems公司200mA升压DC／DC转换器

austriamicrosystems近日推出200mA升压DC／DC转换器AS1320。该款高效升压DC／DC转换器为小体积低功耗的电池驱动应朋提供了关键的3，3V固定输出电压。它采用完全集成的同步整流器，无需外部晶体管，供电电压范围在1．5到3．5V之间，转换率为90％，是电池供电的手持应用解决方案。     

服务于便携式应用的LED驱动器系列

具有电荷泵和电感两种解决方案 NCP5010提供22V的电压，可为2～5个串联白光LED供电。其能效高达84％，关机电流1μA，工作输入电压范围为2．7～5．5V；其PWM升压转换器的频率为1MHz，并集成肖特基整流器。     

300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备

为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上,使其反向击穿电压提高到了300 v以上,我们采用硅材料做为衬底,肖特基结区采用蜂房结构,终端采用两道场限环结构加一道切断环结构,所制备的肖特基二极管在正向电流10A时,正向压降仅为0.79 V;同时在施加300 V反向电压时,反向漏电流在5μA以下.     

3300 V-10 A SiC肖特基二极管北大核心CSCD

利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2。在3 300 V反向偏置电压下反向漏电流为226μA。测试同一晶圆上的pn二极管显示,设计的场限环结终端击穿电压可以达到4 000 V,达到仿真结果的95%。分析发现肖特基二极管的漏电流主要由肖特基接触的热场电子发射产生,有源区的肖特基接触线宽直接影响器件的正向电流密度和反向漏电流。设计合适的肖特基接触宽度是实现高性能器件的关键。     

3300 V-10 A SiC肖特基二极管

利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2。在3 300 V反向偏置电压下反向漏电流为226μA。测试同一晶圆上的pn二极管显示,设计的场限环结终端击穿电压可以达到4 000 V,达到仿真结果的95%。分析发现肖特基二极管的漏电流主要由肖特基接触的热场电子发射产生,有源区的肖特基接触线宽直接影响器件的正向电流密度和反向漏电流。设计合适的肖特基接触宽度是实现高性能器件的关键。