基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块

利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.     

光网络与光子集成的发展(下)

光网络体系中的有源光子集成 高速响应、低啁啾、单稳频集成光子源 半导体分布反馈(DFB)激光器作为光通信的光子源器件已占据不可替代的重要地位,然而DwDM光网络对光子源却提出更高的要求.直接调制DFB激光器受到固有张弛振荡效应的限制,响应速率难以越过5Gb/s,同时在高速率下,频移啁啾效应已比较严重,因此必须采用外调制技术,从光网络体系考虑,调制器宜结构简单并能与DFB激光器实现单片集成.     

光通信有源器件技术发展与市场前景

光有源器件在光通信领域具有十分重要的地位。随着全球光通信长途网络日趋饱和，光通信的建设重点转向城域网和接入网，光有源器件及其技术也在向模块化、集成化、多功能、灵活性、低成本方向发展。目前，光有源器件的热点技术是10G收发模块、1310nm VCSEL、无致冷直接调制10Gb／s半导体激光器、小模块化的光转发器、可调谐多波长半导体激光器、40G光调制器技术。     

产品聚焦:光学网络芯片

10 Gb/s以太网和光纤通道元件 Intel公司发布了一个五件套光元件,可以加速低成本10 Gb/s以太网和10 Gb/s光纤通道光收发器的开发。来自Intel的新型光元件包括LXT16713 10 Gb/s 1∶1时钟与数据恢复(CDR)器件。Intel是提供用于XFP光收发器和光线路卡的高性能1∶1CDR芯片的首家厂商。CDR帮助收发器精确地采样网络中的光信号。该器件是协议无关的,工作速率范围为9.95到11.1 Gb/s,而且还包括一个集成的高灵敏度限幅放大器,可以后置放大电信号。 Intel     

高速光传输用光器件的标准通过审查

为保证了核心骨干层带宽及速率的进一步升级,传送网与接入网技术工作委员会光器件工作组召开会议,审查并通过了40Gb／s和100Gb／s光模块及关键光器件标准的送审稿。包括：“光纤光栅色散补偿模块第2部分：可调色散补偿模块”、“光电（波长／模式）转换器技术要求和测试方法”、“相干光混频器技术要求”、“40G／100G可插拔光收发合一模块第1部分：硬件接口”和“小型化掺铒光纤放大器技术条件”等四项行标及一项技术报告。     

TRIQUINT发布用于40Gb／s光网络的表面贴装放大器

TriQuint半导体公司宣布推出两款驱动放大器-TGA4943-SL（40Gb／s）和TGA4956-SM（10Gb／s）。TGA4943-SL是用于下一代40Gb／s光通信网络的首款表面贴装技术（SMT）器件,这款高性能器件将可简化装配,并大幅降低功耗,使工程师能够设计出市场所需的更快、更经济的网络;TGA4956-SM是应用于10Gb／s光通信市场,尺寸更小、性能更高的驱动放大器。     

TGA4943-SL/56-SM：表面贴装放大器

TriQuint推出两款驱动放大器TGA4943-SL（40Gb／s）和TGA4956．SM（10Gb／s）。TGA4943-SL是用于下一代40Gb／s光通信网络的首款表面贴装技术（SMT）器件,这款高性能器件将简化装配,并大幅降低功耗,使工程师能够设计出市场所需的更快、更经济的网络;TGA4956-SM是应用于10Gb／s光通信市场,尺寸更小、性能更高的驱动放大器。     

仪表工具精选——安捷伦增强型全光参数分析仪可降低光器件测试成本

安捷伦科技(Agilent Technologies)最新推出一款采用重新设计、功能大大增强的全光参数分析仪，为测试和检验关键光器件提供了全内置解决方案，如10Gb／s器件和40Gb／s DWDM器件。通过把提供测试结果的速度提高10倍，新型解决方案可以帮助光网络器件工程师和制造商明显降低开发和生产成本。     

24万兆比特每秒激光器/光调制器驱动电路

一种应用于高速光纤通讯系统的激光二极管／调制器的单片集成驱动电路已开发成功。该电路的制造使用了0．2μm PHEMT工艺,它的工作信号带宽超过12GHz。在12Gb／s速率下测得了摆幅峰值为3．4V的输出信号眼图。基于实验结果,我们判断该电路的最大工作速率超过24Gb／s。该驱动器电路使用单电源-4．5V供电,功耗小于1．8W。     

业界首款用于40Gb／s光网络的表面贴装放大器

TriQuint半导体公司推出两款驱动放大器TGA4943-SL（40Gb／s）TGA4956-SM（10Gb／s）。其中TGA4943-SL是用于下一代40Gb／s光通信网络的首款表面贴装技术（SMT）器件,这款高性能器件将可简化装配,并大幅降低功耗,使工程师能够设计出市场所需的更快、更经济的网络;TGA4956-SM是应用于10Gb／s光通信市场,尺寸更小、性能更高的驱动放大器。     

光模块部署的现状和未来发展

手捡起任何一本电信业杂志，总能发现一、二 篇有关光模块的报道。有的是关于某家电信公 司发布的新组件或新器件，有的是关于制作器件所涉及的技术难题。遗憾的是，很多文章未能解释清楚光模块的设计和应用。满足各种需求的模块当前光模块的核心都有一个基本功能，就是在电气和光传输网络之间提供接口。确实，众多线路卡供应商具有设计和交付1Gb/s以下专用链路的生产资源。而当数据速率增加至2.5Gb/s、10Gb/s、甚至40Gb/s时，显然缺乏可用的设计技术，增加了研发这类接口，使之同步增长所需的时间预算。这是促使人们不断关注…     

1．25 Gbit／s突发模式光发射机设计

本文分析了光突发交换(OBS)和无源光网络(PON)网络中突发模式光发射的关键技术，提出了采用外调制方式实现1．25Gb/s突发模式光发射机的设计方案；其核心部件为分市反馈式（DFB)半导体激光器和电吸收(EA)调制器集成器件。论证了实现突发模式光发射机的调制方式和及其主要技术指标。     

高速大容量密集波分复用光纤传输实验系统

介绍863计划光电子主题建立的光电子器件试验床（Testbed）的概况及其最近的实验结果，包括4×622Mb／s、3级EDFA级联、320km光纤传输实验，使用LiNbO_3外调制器的2．5Gb/s光纤传输实验和270Mb／s数字分量电视的光纤传输实验等，实验结果显示了国产光电子器件的突破性进展和应用开发的潜力。     

光子技术实现了光纤与硅片的集成

由半导体开发商Luxtera公司（位于美国加利福尼亚州卡尔斯巴德）推出的CMOS光子技术可提供10Gb／s的光调制速率,从而能够将高速光纤接口与采用工业标准CMOS制造工艺所生产的硅器件集成在一起。通过减少昂贵Ⅲ-Ⅴ半导体的用量,该技术可为计算机和通信设备OEM制造商提供光纤通信的性能优势,并使成本和设备复杂性显著下降。     

LiNbO3衬底上电子束蒸发集成光学钛薄膜

钛扩散铌酸锂（Ｔｉ－ＬｉＮｂＯ３）光波导是最基本的集成光学器件之一。文章报道了在ＬｉＮｂＯ３衬底上，用自动电子束蒸发技术淀积Ｔｉ薄膜。对各种淀积条件下的结果测试分析表明：用０．５～１．１ｎｍ／ｓ的淀积速率和２．７×１０－４Ｐａ以下的残余气压，可以得到较好的Ｔｉ薄膜。用这种Ｔｉ薄膜已研制出了光波导、薄膜偏振器、相位调制器、光开关、光耦合器和光纤陀螺芯片等集成光学器件。     

1.25Gbit/s突发模式光发射机设计

本文分析了光突发交换(OBS)和无源光网络(PON)网络中突发模式光发射的关键技术,提出了采用外调制方式实现1.25Gb/s突发模式光发射机的设计方案;其核心部件为分布反馈式(DFB)半导体激光器和电吸收(EA)调制器集成器件.论证了实现突发模式光发射机的调制方式和及其主要技术指标.     

全硅基电光调制器研究动向和发展趋势

硅光子学在近几年迅猛发展,各国重要的研究机构和产业部门纷纷加入竞争,不断刷新各种器件的性能指标记录。全硅基电光调制器作为该领域中极其重要的研究方向之一,受到国内外同行的广泛关注。随着全硅基电光调制器研究工作的积累和深入,高速率(大于等于50 Gbit/s)、低功耗(小于等于40 f J/bit)和小尺寸(小于等于100 mm2)等关键性能逐步提升。目前,调制速率的最新研究结果已突破了60 Gbit/s并向更高目标迈进,未来在极低功耗和规模集成等方面还将出现较大突破,适应巨容量光通信、高密度光互连、大数据光传感等应用技术的需要。     

WTD两科研项目荣获湖北省2004年度科学技术进步奖

最近．从湖北省科学技术厅获悉．由烽火科技武汉电信器件有限公司(WTD)承担的“10Gb／s光收发模块(Transponder)“、“单纤双向光电器件“两科研项目分别获湖北省2004年度科技进步二等奖和三等奖。其中，10Gb／s光收发模块(Transponder)是国家“863“项目，单纤双向光电器件是WTD自立项目。     

微环形调制器使得芯片大小的光连接成为可能

无晶圆公司Luxtera（Carlsbad,CA）开发了一种旨在解决高速芯片间接口问题的技术,现已生产出半径只有30mm的可编程10Gb/s的光纤环形调制器.在同样的数据速率下,采用这种技术的器件尺寸比电驱动器小很多,工程师就可以在大批量的CMOS芯片上直接造出宽带光接口.     

光电器件及光电集成发展

1.光电器件的发展 光电子器件技术是推动光纤通信技术发展的核心技术。它经历了分立元件—组件—模块—光集成和光电集成的发展过程。在第一代点对点光通信系统中采用的主要光器件有半导体激光器、光纤、,连接器和光检测器。随着光电器件性能的提高及新功能光电器件的商用化,第二代大容量光通信系统也已得到广泛应用。在第二代光通信系统中除了第一代系统的光电器件外,还加进了合/分波器、光放大器、低速光开关和外调制器等。