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将硅光电负阻器件与发光二极管封装在一起,利用硅光电负阻器件的双稳和自锁特性,制成了一种新型的非线性阈值可调光传感器。研究表明,该光传感器不仅可实现对信号的光电耦合,还可实现设定阈值,比较判断和输出驱动等一系列信号处理功能;同时它结构简单,调整方便。 相似文献
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硅光电负阻器件的构成原理与分类 总被引:1,自引:0,他引:1
郭维廉 《固体电子学研究与进展》2002,22(1):120-126
将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法 相似文献
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光电负阻晶体管的初步研究 总被引:11,自引:1,他引:11
本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管,首次给出了完整的等效电路,并以此等效电路为基础,用PSPICE电路模拟程序,对PLBT的Iph-VcE特性进行了模拟。模拟结果与从PLBT实验性器件实测的Iph-VCE特性吻合得很好,初步研究还表明,此器件除了作为光探测器外,还具有光生振荡和光控调频等功能。 相似文献
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硅光学双稳态(SOB)器件 总被引:6,自引:1,他引:6
利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管(PNEGIT)或光电“∧”双极晶体管(PLBT)两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT(或PLBT)作为光的输入器件,以其驱动一发光管(LED)作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率(Pout)-输入光功率(Pin)特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。 相似文献
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提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型. 相似文献
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本文阐述了通过多媒体手段,在"通信电子线路"课程正弦波振荡器章节的教学中导入演示实验的方法,加深了学生对课本知识的理解。学生在经历课程实验时可以有机地联结新旧知识,理论联系实际,以及在工程上经历发现问题、分析问题和解决问题的过程。视觉教学素材信息量大,也可提高课堂教学效率。 相似文献
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研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性.器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜,中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin-2-ylidene)-malononitrile(HPYM)有机薄膜.器件起始状态为非导通态,在大气环境下,可用正、反向电场进行信号的写入和擦除,表现为极性记忆特性.通过自然氧化的方法在底电极Al表面形成一层Al2O3薄膜层后,可使器件在不同的正向电压脉冲作用下达到不同的导电态,具有一定的多重态存储特性.同时,研究了不同的电极组合对器件电性能的影响,并通过紫外-可见吸收光谱以及喇曼光谱对器件界面进行表征. 相似文献
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研究了一种金属/有机物/金属夹层结构有机薄膜器件的可逆电双稳特性.器件的阳极和阴极分别为真空热蒸发沉积的Ag和Al薄膜,中间介质层为真空热蒸发沉积的2-(hexahydropyrimidin-2-ylidene)-malononitrile(HPYM)有机薄膜.器件起始状态为非导通态,在大气环境下,可用正、反向电场进行信号的写入和擦除,表现为极性记忆特性.通过自然氧化的方法在底电极Al表面形成一层Al2O3薄膜层后,可使器件在不同的正向电压脉冲作用下达到不同的导电态,具有一定的多重态存储特性.同时,研究了不同的电极组合对器件电性能的影响,并通过紫外-可见吸收光谱以及喇曼光谱对器件界面进行表征. 相似文献