TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻

P通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP采用SO-8封装,可容许比其他SO-8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。     

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前．Vishay宣布推出新型20V和30V p-通道TrenchFET功率MOSFET-Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

Vishay Siliconix推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology．Inc推出新型20V和30VP通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。新器件采用SO-8封装,具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

Si7137DP：P通道TrenchFET MOSFET

Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP,该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装,具有1．9mΩ（在10V时）、2．5mΩ（在4．5V时）和3．9mΩ（在2．5V时）的超低导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。     

Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。     

低导通电阻20V MicroFET MOSFET

FDM A6023P Z T是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严格要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。它具有出色的热阻，能提供优异的功率耗散，并可减少传导损耗。     

超低导通电阻MOSFET

SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET,两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装,具有极低的导通电阻,以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM,优值系数）。     

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFETGenIIIP沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

VishayIntertechnology，Inc．宣布，扩充其采用超小PowerPAK0SC-70封装的‰nchFET@GenIIIP沟道功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixMOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2x2mm，在-4．5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V（12VVGS和20VVGS）器件中最低的。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优     

Vishay推出业界最薄的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET

日前，VishayIntertechnology．Inc推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20VP通道TrenchFET功率MOSFETSi8441DB，该器件采用MICROFOOT芯片级封装，具有此类器件中业界最薄及最低导通电阻。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET荣获《电子技术应用》杂志“中国优秀电子产品”奖

宾夕法尼亚、MALVERN Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布,其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET荣获专业媒体《电子技术应用》（AET）的＂中国优秀电子产品＂奖。在采用SO-8或PowerPAK SO-8封装的60V器件中,SiR662DP 60 V N沟道功率MOSFET具有业内最低的导通电阻,以及60 V器件中最低的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数（FOM）。     

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。     

Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。     

新型20V p通道TrenchFET第三代功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP,该20V p通道MOSFET采用SO-8封装,具备业内最低的导通电阻。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

采用PowerPAK 1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出采用PowerPAK1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET—Si7625DN。在这种电压等级和3．3mm-3．3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。     

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET~ Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,扩充其采用超小PowerPAK~ SC-70封装的TrenchFET~ Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2×2 mm,在-4.5 V和-10 V栅极驱动下的导通电阻是-12 V、-20 V和-30 V(12 V VGS和20 V VGS)器件中最低的。