量子阱半导体激光器概述

本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——阈值电流密度随量子阱的数目变化的情况。     

单量子阱半导体激光器的调谐特性

本文根据量子理论的薛定谔方程，推导出在有限深势阱条件下载流子满足的能量本征值方程，并给出理论计算结果，为设计用于泵浦固体激光器的激光二极管提供了理论依据。     

半导体多量子阱激光器的波导模式分析

本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果.     

量子阱半导体激光器发展动态

综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流，降低α参数和线宽的重要性。     

大功率半导体量子阱激光器及其应用

本文综述了量子阱应变层异质结构的大功率半导体激光器的优化特性，阐述了大功率激光器的一些重要应用，比如用８０８ｎｍ波长的大功率激光器可作为泵浦光源代替庞大的氙灯泵浦系统，还可以用作激光核反应的前级大功率激光漂；大功率半导体激光器发射的波长可以精确地控制在９８０ｎｍ，并能高效率地耗合到光纤中去，有很高的泵浦效率，从而半导体激光泵浦的光纤放大器为光通信技术的发展作了突破性贡献，大功率半导体激光器还在军工     

量子阱激光器速率方程数值解稳定性研究

用数学严格地证明了在引入了对数增益关系以及增益饱和因子后,描述半导体激光器系统的方程组仍有唯一的稳态解.以近年来研究较热的GaN多量子阱激光器为例对其进行了动态特性的数值模拟.计算结果表明载流子和光子数最终都将趋于稳定,这与理论证明的结果相一致.     

GaN基量子阱激光器极化相关增益饱和特性的理论计算

通过计算GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的极化相关增益和增益饱和特性作了理论上的计算与分析,具体计算并给出了TE和TM模的增益谱和自饱和系数的曲线,分析了能带结构和载流子面密度对增益和增益饱和特性的影响。     

一种新型超高速多量子阱半导体激光器

报道了一种主要用作超高速光纤通信光时分复用(OTDM)系统的新型光源,即10GHz的被动外腔式锁模多量子阱半导体激光器,其具有脉冲宽度为2.9ps,波长调谐范围为1.53～1.57μm(40nm),输出光波长可精确稳定在1.55μm,锁模光脉冲的重复频率为10GHz,平均输出光功率为1mW及较小的时间抖动性(<0.6ps)等优点。     

InGaAs（P）应变多量子阱激光器的理论分析与优化设计

本文从理论上分析计算并给出了ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）应变多量子阱激光器的优化设计参数，考虑到多量子阱阱区的注入不均匀性，提出了一种新的分析和设计方法。对于激射波长为１．５５微米的１．５％压缩应变多量子阱激光器，最佳的阱数为四个，最佳腔长为５００微为左右．     

Transient Thermal Analysis of Ridge Waveguide InAsP／InGaAsP MQW Lasers Operating in Pulse Driving Conditions

The transient thermal characteristics of the ridge waveguide InAsP/lnGaAsP MQW lasers, especially in various pulse driving conditions, have been simulated by using FEM. The temperature at the active core of the laser versus the time has been calculated as well as pulse width dependence of the apparent thermal resistance. The results show that the thermal characteristics of the lasers are related to both the thermal conductivity and the specific heat of the materials.     

瞬态碰撞激发X射线激光研究进展

瞬态碰撞激发X射线激光由于其所需驱动能量低、效率高和容易台式化等优点,极大地推动了X射线激光的发展。比较详细地总结了这一研究领域取得的突破性进展,并讨论了开展瞬态碰撞激发X射线激光的关键问题。     

红外焦平面器件对不同波长激光辐照的响应特性研究

为了有效地干扰红外焦平面探测器,需要研究在不同波长激光的辐照下该探测器的响应情况。本文采用四种波长的激光进行辐照实验。研究结果表明,探测器像元很容易达到饱和状态,器件的响应与光谱响应曲线基本吻合。结果验证了干扰效果与光谱响应曲线之间的关系,为中红外激光干扰提供了实验依据。最后对红外焦平面器件对波段内激光的响应机制进行了简要分析。     

量子点激光器瞬态响应及调制特性分析

基于二能级系统建立量子点激光器的载流子-光子速率方程模型,分析量子点激光器的瞬态响应和调制特性,获得其动态特性.同时分析了注入电流对量子点激光器输出光子密度的影响,随着注入电流的增大,激光器光电延迟时间缩短,弛豫过程缩短,弛豫振荡频率增大,且输出光子峰值和稳态功率增加,适当增加注入电流可拓宽量子点激光器调制带宽.通过小信号调制分析,发现量子点激光器上限调制频率比普通激光器高一个数量级,证明了其具有良好的高频调制特性.     

InGaAs／InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究

报道了利用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术生长高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果．宽而激光器实现了室温脉冲受激发射．激射波长为１．４９μｍ，在腔长为２０００μｍ时，最低阈值电流密度为０．３０ｋＡｃｍ－２．最大脉冲光输出峰值功率达５００ｍＷ以上．同时，从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系，并与ＬＰ－ＭＯＶＰＥ生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较．     

AlGaInP大功率半导体激光器的漏电分析

对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器，在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流，严重影响器件的正常工作. 本文通过测试AlGaInP大功率压应变量子阱激光器的阈值电流和外微分量子效率随温度的变化，拟合出有源区电子的有效势垒高度，并与理论模拟结果进行了比较，讨论了p型限制层掺杂浓度的分布对势垒高度的影响.     

半导体微腔激光器中的自发辐射耦合增强效应

针对半导体微腔激光器的结构特点,以及腔量子电动力学中自发辐射增强效应,采用光增益与载流子密度的对数关系,引入增益饱和项和非辐射复合项的贡献,指出即便是对于理想的封闭微腔,由于非辐射衰减速率的影响,光输出并不随泵浦线性变化。结合频谱和相图分析,给出了自发辐射耦合因子与微腔激光器的辐射阈值、开关延迟时间、驰豫振荡频率和光输出等参量关系的仿真结果,这对于微腔激光器的理论研究和优化器件结构有所裨益。