基于自适应测量步长的激光调阻控制策略

针对0603型片式电阻在不同位置的阻值变化率不同,提出了基于自适应测量步长的激光调阻控制策略。这种调阻控制策略可根据当前阻值与目标值的偏差百分比自适应选择测量步长。经过实验分析,与固定测量步长的控制策略相比,这种控制策略不仅能够保证激光修调精度也能提高激光修调效率。为了使这种控制策略能够广泛应用于不同电阻型号的激光修调,介绍了自适应测量步长控制策略的建模过程,在不了解刻蚀路径对阻值变化率的影响时可建模之后再应用这种控制策略。     

片式电阻激光微调过程中的调阻精度控制

提出了一种基于激光刻蚀路径的修调电阻精度控制方法。该方法通过动态确定L型调阻图形的横、纵向切割长度实现对调阻精度的控制。存保证阻值测量精度的条件下,应用该法在0．1Ω～100MΩ的薄膜电阻阻值进行修调,调阻精度可达到1％。     

高速高精度D／A转换电路的激光动态修调

本文介绍了激光修调原理、动态修调实现的方法，并以修调ＳＤＡ１２１０（１２位Ｄ／Ａ转换电路）为例，说明Ｄ／Ａ转换电路动态修调程序设计的方法、技巧以及应注意的问题。     

基于电阻网络修调的高精度基准源

针对高精度集成电路系统,工艺条件导致的误差需要通过修调弥补。基于 0.18 μm CMOS 工艺设计了一种针对片上基准源的修调电路,通过调整数字输入信号,对电阻网络修调电路进行控制,通过重配置输出级电阻比例,从而达到对基准源电压的调整。基准源采用改进的 Neuteboom 带隙电路,在 5 V 电源电压的工艺条件下进行仿真测试,在-40～125 ℃温度范围内,实现了 2.98×10^-6/℃的温度系数。通过电阻网络修调的基准电压变化范围为 2.3840～2.5154 V,电压修调步长为 2 m V。     

一种片后数字修调技术及其应用

介绍了一种片后数字修调(Trim)技术。传统的修调技术一般是利用熔吹、激光或E2PROM对电路进行修正。该技术提出了一种可反复的修调方案,并可对电阻、电容等各种元器件进行调整,可广泛应用于一些要求出色动态特性的场合。设计中,将其应用于一个收发芯片的有源滤波器电路,实现了对滤波器截止频率的片后调整。     

一种适用于DC/DC控制器的测试及修调电路设计

采用0.25μm BCD商用工艺,设计了一种适用于DC/DC控制器的测试及修调电路.该电路基于引脚功能复用的思路,通过对特定引脚施加特定信号,在不影响控制器正常工作时的引脚信号状态的情况下,既能够在圆片级或封装后实现内部信号的读取以及参数指标的修调,又能够克服封装寄生效应对高电压精度以及大电流测试的影响,具有测试操作简单、测试成本低廉、测试范围广泛等优点.该电路缓解了传统PAD扎针加压方案在熔丝数量较多时突出的面积问题;解决了传统激光切割方案需要昂贵激光修调设备及编写ATE程序的成本问题;改善了两种传统修调方案均只能在圆片级测试,不适合高精度、大电流测试的应用问题.该电路内部结构包括寄存器时钟及数据输入电路、测试及修调使能电路、测试及修调阵列电路、测试数据输出电路.仿真结果表明,在DC/DC控制器开环状态下,通过配置特定端口的数据位,能够通过测试电路实现振荡器输出振荡信号等内部典型信号的输出,实现关键指标导通电阻的测试,通过修调电路实现关键参数基准电压精度的修调.     

基于ASL1000的Bandgap Trim设计及其算法研究

在芯片生产过程中,由于工艺的影响,带隙基准电压V_(BG)会存在偏差。在芯片测试阶段,需要对V_(BG)进行trim修调,使其满足芯片参数要求。简要分析了带隙基准电压误差的来源,提出了一种E-Fuse修调电路,通过程序中的代码控制修调电阻的大小,使V_(BG)满足要求。同时,在该修调电路的基础上,采用了一种新型算法,使得测试芯片V_(BG)的时间缩短了近558 ms,减少了测试时间,降低了测试成本。     

多管芯并行测试的熔丝修调方法探索

随着熔丝在电路设计中的应用普及,测试环节对熔丝修调的要求也越来越高,对测试人员提出了更大挑战。修调熔丝的目的是为了获得更精确的电压、频率或其他特性。为了提高测试效率,需要在多管芯并行测试的情况下,提高熔丝修调的准确性和修调速度。文章介绍了常见的熔丝特性及典型熔丝类集成电路在多管芯并行测试情况下的熔丝修调方法,并进一步研究了降低修调环节对测试系统资源的占用、提高修调效率、简化测试程序等几个方面的优化方法。     

激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响

该文分析了激光修调对CrSi薄膜电阻稳定性的影响,获得了对CrSi薄膜电阻进行激光修调的优化方法.实验结果表明,150 ℃储存48 h,可完全消除激光修调带来的影响,使CrSi薄膜电阻温度系数降到了20×10-6/℃,提高了CrSi薄膜电阻网络的稳定性,从而为研制高性能模拟集成电路打下坚实的基础.     

激光修调厚膜电阻机理浅析

本文着重讨论激光修调厚膜电阻时，激光机的输出功率、Ｑ－开关速率、光斑直径、尖刻尺寸以及所选择的修调图形对厚膜电阻的影响。     

激光修调工艺

采用先进的激光工艺,对硅上集成电路进行修调(trimming)时,不需要物理接触,可以大大减少电路上pad的数目;同时,激光修调工艺可以实现对电路中的薄膜电阻阻值高精密的调整,等等,半导体集成电路制造商可以大大提高产品的成品率、实现更多以及更高精度的电路功能、获得更高的利润回馈。现在,全球超过70%的模拟电路半导体公司正在采用基于激光的修调工艺(trimming)和融丝(link-blowing)工艺,来提高集成电路的性能和缩短新产品的上市周期,以获得更高的利润空间。全球有超过700台GSI集团公司的硅上集成电路激光修调系统(如图1)在运转。首先,通过…     

采用双R-2R电阻网络结构的12位电压型D/A转换器

介绍了采用双R-2R电阻网络结构实现12位电压输出型D/A转换器的设计及激光修调方案.重点分析了运放失调电压对双R-2R电阻网络结构D/A转换器线性误差的影响,并与其他常见的实现双极性电压输出的R-2R电阻网络结构进行比较,给出了理论估计和仿真结果.采用双R-2R电阻网络实现的12位D/A转换器芯片(不包括运放)在带CrSi电阻的8μm CMOS工艺上流片和修调测试.电阻网络芯片和运放芯片采用厚膜混合工艺组装,实现电压输出D/A转换器功能.测试结果显示,设计的电路达到了预期目标.     

不同波长激光电阻修调的对比研究

微电子线路的被动或主动元件的激光修调技术，经过二十多年的实践已经发展成一项成熟技术了。在生产精确的混合信号、线性和被动网络方面，该项技术已成为必要工序。由于市场要求器件的尺寸更小、性能更高，因此在大多数情况下必须用激光来精确修调电路。同时，被修调的元件尺寸越来越小，公差越来越严格，也推动了激光修调技术走向更高水平。传统的1m激光波长产生的光斑尺寸及其热影响区域（HAZ），可能不够小，不足以维持电阻的稳定性，也难以使阻值温度系数（TCR）的漂移和改变降到最小。 本文研究了用更短波长的激光进行电阻修调，并将结果与传统的1m波长的修调技术作了比较。     

不用激光修调的高速12位D／A转换器

传统的集成12位D/A转换器要求用精密的薄膜电阻网络和电阻的激光修调技术。本文介绍的分段设计技术只需要采用常规的高速双极数字IC工艺,采用扩散电阻方法,不需要微调技术,就能保证其D/A的单调性。它比用激光修调的R—2R薄膜电阻网络结构的12位D/A转换器具有更均匀的台阶尺寸,其电阻的精度要求也比后者放宽了8倍;由于内部采用了ECL电路的结构形式,工作速度快,其建立时间在80～100ns。     

微电子工业中的一种新型激光调修技术

新型激光调修技术与常规的CMOS处理方法完全兼容。用这种方法既可以调修模拟器件，也可以调修模拟和数字混合的微电子器件。该方法是用一束激光烧熔硅体，使两个p-n结二极管之间形成电连接而产生一个电阻器件。在自动设备系统中，1s内就可生产出这种激光扩散电阻，其阻值范围从100Ω到几MΩ，激光的重复调修过程可使电阻精度达到50ppm。用这种方法也可做出温度系数接近0的电阻。本文主要阐述生产这种电阻的方法、主要器件和有关处理方式的关键点。     

基于厚膜混合集成电路的激光调阻工艺研究

激光调阻具有高精度、高效率等特点,是目前厚膜混合集成电路最为常用的电阻修调方法。为了实现厚膜混合集成电路中精度电阻的制作,文章对激光调阻工艺进行了系统研究,内容包括探针卡焊接组装、调阻程序编制以及工艺试验研究。通过进行试验验证,选用L型调阻路径,调阻精度已达到±0.5%,满足设计要求。     

L波段五位数字移相器的宽带自动修调

以 L 波段五位数字移相器的宽带自动修调为例 ,介绍了激光自动修调系统的组成和工作过程 ,讨论了移相器的可修调设计和修调算法的设计。激光自动修调技术可用于多种微波电路 ,可以缩短调试时间 ,降低生产成本 ,满足大批量生产的要求。     

采用熔丝修调技术的高精度电流舵D/A转换器

高精度D/A转换器的实际精度往往低于理论上的精度。针对这个长期困扰的难题,在设计16位D/A转换器的过程中,提出了一种熔丝修调技术,即通过修调电流源输出端的电流,有效地减小电流源失配和有限输出阻抗对D/A转换器的DNL和INL的影响,大幅度提高D/A转换器的精度。基于0.18 μm CMOS 工艺的测试结果表明:在采用熔丝修调技术前,该电路的DNL和INL分别为－0.72~9.07 LSB和－5.55~18.1 LSB;在采用熔丝修调技术后,该电路的DNL和INL分别为－3.95~0.70 LSB和1.94~8.06 LSB。当输入信号频率为102 MHz、采样频率为500 MHz时,SFDR达到82.16 dBc,完全满足D/A转换器高精度的要求。     

可修调的高阶曲率补偿基准电压源

设计了一款带有误差放大器和电阻修调电路的分段曲率补偿基准电压源。通过分段电流补偿降低了温度系数;采用数字修调网络和熔丝修调网络,减小了电阻随机误差;采用误差放大器提高了电源抑制比,使基准电压精度得到显著提高。电路基于XFAB 0.35 μm高压CMOS工艺设计,仿真结果显示,在-40 ℃~125 ℃的温度范围内和多种工艺角下,当输出基准电压为3.0875 V时,温度系数为4.1×10-6/℃,低频电源抑制比达到-70 dB。该电路的性能指标大大优于同类型产品,是一款适用于汽车电子芯片的高精度电压基准源。     

一种基于标准工艺的熔丝修调电路设计

为了减小芯片生产过程对集成电路的影响,使生产芯片参数符合设计要求,分析现有修调技术特点,提出了一种基于标准工艺的金属熔丝修调电路,并成功应用到一个开关电源芯片中。其结构简单,成本低,可在标准工艺线上实现;在节约电路版图面积的同时,减小了电路的功耗。基于TSMC 0.5μm BCD工艺,通过Hspice仿真工具验证了电路功能的正确性,并完成电路版图设计,满足修调要求。