CdTe薄膜的制备及其光电性能的研究

介绍利用真空化合法合成的碲化镉(CdTe)材料制备的CdTe薄膜结构,电学,光学性能的分析研究结果.将离子注入技术引进到CdTe薄膜的改性研究中,实验发现,离子注入可以改善材料的结晶情况以及光学和电学性能.有可能利用CdTe粉末材料一次制作适合于廉价薄膜太阳光电池的优质的p型CdTe薄膜.     

真空蒸发制备ZnTe薄膜性能

利用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得ZnTe薄膜，在室温下利用Zn和Te单质制备ZnTe薄膜成膜困难且性能起伏不定，通过对不同工艺条件的比较选择，发现在衬底温度大于90℃时制备的样品是一种性能稳定具有良好光学特性的薄膜，提高衬底温度后,ZnTe薄膜具有沿[002]晶向择优取向，并由灰黑色不透明变成砖红色透明，透过率在可见光范围内明显升高。     

染料敏化纳米薄膜太阳电池的新型对电极研究

研究了用金属基板和塑料薄膜制作的4种新型对电极和由这些对电极构成的染料敏化纳米薄膜太阳电池的性能。由不锈钢、镍片和导电聚合物膜为基材的对电极构成的太阳电池的光电转换效率近5％；不锈钢对电极可以通过降低内阻来改善大面积染料敏化纳米薄膜太阳电池的光电转换效率。此外,测试了这些金属基板和塑料薄膜在电解质溶液中的耐腐蚀性和稳定性；考察了由不锈钢和导电聚合物膜对电极构成的染料敏化纳米薄膜太阳电池的长期性能稳定性,并提出了改善这些新型对电极的长期性能稳定性的途径。     

浸渍提拉法制备TiO_2薄膜及其光催化性能的研究

以钛酸四异丙酯为原料配制成胶体 ,在玻璃管表面制备了 Ti O2 薄膜光催化剂。用该催化剂光催化降解四氯乙烯 ,并进行薄膜厚度与光解率关系以及催化剂寿命实验。结果表明 ,其光催化效率接近 Ti O2 粉末悬浮体系 ,薄膜以厚度 60 0— 80 0 nm为宜 ,使用 10 0 h,Ti O2 薄膜的光催化活性没有减弱 ,可连续使用     

浸渍提拉法制备TiO2薄膜及其光催化性能的研究

以钛酸四异丙酯为原料配制成胶体,在玻璃管表面制备了TiO2薄膜光催化剂,用该催化剂光催化降解四氯乙烯,并进行薄膜厚度与光解率关系以及催化剂寿命实验,结果表明,其光催化剂效率接近TiO2粉末悬浮体系,薄膜以厚度600－800nm为宜,使用10h,TiO2薄膜光催化活性没有减弱,可连续使用。     

新型介孔碳/金属薄板对电极染料敏化太阳电池的光电性能

采用金属薄板为基材及高催化活性的介孔碳为催化材料,构建出低廉的新型对电极,考察了相应染料敏化太阳电池(DSC)的光电性能。结果表明,不锈钢304或316为基材时,能获得效率优于FTO基底介孔碳对电极且稳定性较佳的器件。特别是不锈钢316,与FTO相比,效率从5.68%增加到6.36%,增幅为12%。阻抗分析揭示,方块电阻的急剧下降是效率改善的主要原因。镍为基材时,器件具有与Pt/FTO对电极相近的效率,然而镍被电解质缓慢地择优溶解削弱了部分碳膜与基底的结合,导致稳定性下降。铝合金为基材时,铝向碳膜中扩散覆盖了部分碳颗粒表面的活性点,导致器件的效率低于1%。     

Sol-gel法制备共掺杂ZnO∶Al/N/F薄膜的性能研究

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上旋涂制备出Al、N、F三掺杂Zn O薄膜(Zn O∶Al/N/F),分别研究溶胶浓度和掺杂浓度对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、可见分光光度计、双电测四探针电阻率测试仪进行测试与分析。结果表明:制备出的Zn O∶Al/N/F薄膜致密均匀,平整光滑,为高结晶质量的(002)C轴择优取向;当溶胶浓度为0.75 mol/L、掺杂浓度为0.90at%时,薄膜在可见光范围内(390~780 nm)的平均透过率可达87.9%,掺杂浓度为1.05at%时电阻率最小,为0.23Ω·cm。     

磁控溅射法制备Si1−xGex/B多层薄膜及其热电性能研究

本文通过磁控溅射法制备了一种独特的SiGe/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 s;当退火温度为650℃时,薄膜的致密性最好,且在此温度下具有较高的Seebeck系数,最大值为6.75 × 10−4 V/K,电阻率最小值为1.6 × 10−5 Ω•m,其功率因子最大值为0.026 W/(m?K2)。     

磁控溅射Sn/Cu/ZnS预置层后硫化法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其性能研究

采用磁控溅射法制备Sn/Cu/ZnS金属预置层,结合硫化热处理制备Cu_2ZnSnS_4薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)和霍尔测试系统等一系列测试方法对样品结构、各组分含量、表面形貌、光学带隙及电学性能进行表征及计算。研究结果表明Sn/Cu/ZnS金属预置层经490和540℃硫化热处理后的薄膜均为单一Cu_2ZnSnS_4相,其中,540℃硫化热处理后的薄膜结晶度较高,且薄膜表面平整致密,禁带宽度约为1.58 eV,呈现P型导电。     

真空蒸发制备Zn(S,Se)薄膜及其性能研究

利用真空蒸发技术在ZnS粉末中掺入不同比例的Se粉末作为源材料,选择合适的工艺条件在玻璃衬底上获得了性能稳定的Zn(S,Se)薄膜,薄膜为纤锌矿结构,具有沿[002]晶向的择优取向。Zn(S,Se)薄膜为n型材料呈高阻状态,在可见光范围内具有良好的透过率。随Se成分的增加薄膜由无色透明变为橘黄色透明,吸收限向长波方向移动。     

用水溶液常压蒸发热解法制备SnO_2薄膜及其性能研究

本文报道了一种制备SnO_2透明导电薄膜的新方法——水溶液常压蒸发热解法并研究了该薄膜的性能。这种方法比喷涂热解法还要简单,而且可蒸镀在任意形状的表面上。测试表明,本法制备的SnO_2薄膜与喷涂热解法一样,在形成薄膜过程中也形成缺氧的SnO_(2-x)结构,因此具有n型半导体性质。SnO_2薄膜在可见光范围内具有减反射及透光性能;在红外光范围内具有反射及降低发射率的性能。     

ZnWO4薄膜的制备及其在染料敏化太阳电池中的光电性能

采用浸渍-提拉法制备ZnWO_4薄膜,研究其在染料敏化太阳电池(DSSCs)中的光电性能。使用XRD、SEM、UV-vis、EIS及I-V对Zn WO4薄膜的结构及光电性能进行表征。结果表明:制备的ZnWO_4薄膜具有较好的结晶性能,属黑钨矿型结构;薄膜颗粒均匀;为直接带隙半导体材料,带隙为2.85eV;由ZnWO_4薄膜组装的DSSCs的短路电流密度、开路电压及光电转换效率的值分别为0.15mA/cm~2、627mV及0.038%。     

电化学制备GaAs薄膜工艺及性能研究

在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上，以SnO2导电玻璃作为阴极衬底材料，从简单盐水溶液中，按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了化学计量比趋近于1的GaAs薄膜。并对薄膜的性能进行了一些测定。实验结果表明采用电化学方法制备化合物半导体GaAs薄膜的可行性及薄膜性能质量改善提高的一些途径。为后续研究及最终获得可以利用的材料打下了基础。     

石墨/炭黑/氧化铁黑对水泥基复合材料热学性能的影响

研究了石墨、炭黑、氧化铁黑单掺及复掺对水泥基复合材料导热性能和吸热性能的影响。实验结果表明,3种物质都能提高水泥的导热系数和吸热性能,石墨、炭黑、氧化铁黑掺量分别为20%、16%和8%时,可将空白样的导热系数由0.159W/(m·K)分别提高至0.238W/(m·K)、0.253W/(m·K)和0.203W/(m·K),吸热平均温度分别提高3.5℃、3.6℃和2.4℃,导热系数随物质总量的增大而增大。正交实验的结果优于单掺实验。正交实验中,当石墨分数为15%,炭黑分数16%,氧化铁黑分数为3%时,复合材料的吸热性能最优。试样平均温度比空白样提高了8.3℃。     

稀土元素(Gd,Y)掺杂CdS薄膜的制备及其性能研究

采用化学水浴法两次沉积CdS,结合电子束真空蒸发法在两层CdS之间引入稀土层,制备含有不同厚度稀土Gd、Y掺杂层的CdS多晶薄膜。利用XRD、SEM、EDX、UV-VIS透射光谱和霍尔效应测试仪对薄膜的晶型、表面形貌、化学组成、光学及电学性能进行研究。结果表明:未掺杂的薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为n型。含有稀土Gd(Y)掺杂层的CdS多晶薄膜为立方相和六方相的混合结构,导电类型仍为n型,薄膜的均匀性和致密性得到改善,薄膜中Cd和S的原子比更接近CdS的化学计量比,稀土掺杂可提高CdS薄膜在可见光范围内的透过率,使薄膜载流子浓度增大、导电性能明显增强。     

NiS基对电极染料敏化太阳电池性能的研究

分别以纳米氧化镍和镍盐为原料,合成硫化镍(NiS)纳米材料,将其掺入聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT-PSS)溶液中,作为对电极材料制备DSCs.研究不同对电极材料的染料敏化太阳电池的光电性能.结果表明,2种合成方法制备的电极材料,都可有效提升器件性能,其中水热法合成NiS制作的NiS/PEDOT...