低本底反康普顿高纯锗γ谱仪

本文介绍的谱仪采用铅-石蜡-铅为主的复合物质屏蔽。HPGe探测器对~(60)Co的1332keV γ射线的相对效率为25％,能量分辨率好于1.75keV。在阱型反符合屏蔽下,系统对放在HPGe端面的~(137)Cs点状薄膜源的峰康比可达800:1;测量时间1000min,置信度95％时,对~(137)Cs点源探测灵敏度好于5.6mBq;谱议在100—2000keV能区内的积分本底好于8.7±0.1次/min,与无反符合屏蔽时相比,压缩倍数为6.6。     

一套低本底反康普顿高纯锗γ谱仪研制过程中若干技术问题的解决方法

本文重点介绍了一套反康普顿低本底高纯锗（ＨＰＧｅ）γ谱仪研制过程中，针对遇到的一些技术问题所采取的解决方法和措施。主要包括屏蔽室的加工改造、主探头升降装置的设计、工作稳定性的改进、反符合系统的调试及谱仪刻度和样品测量等。谱仪主要技术指标为：能量分辨率ＦＷＨＭ＝１．７７ｋｅＶ（１３３２．５ｋｅＶ），峰康比６９４：１（６６２ｋｅＶ），康普顿积分抑制系数３．８（￣（１３７）Ｃｓ５０～５９５ｋｅＶ），相对探测效率３８．３％（１３３２．５ｋｅＶ），系统本底０．３９ｓ￣（－１）（５０～２０１４ｋｅＶ），连续４８ｈ运行，零点稳定，１３３２．５ｋｅＶ增益漂移小于０．０７％。     

2 高纯锗γ谱仪对土壤效率刻度的蒙特卡罗计算

便携式高纯锗γ谱仪用于核应急工作，为了能更充分地利用该谱仪，对其进行了实验室谱仪改装，将谱仪探头从铅室的顶端置入。改装后可使用谱仪进行实验室分析工作，在发生辐射事故时可很容易地将谱仪从铅室取下来，携带到现场进行测量。     

高纯锗γ探测器面源效率函数及其应用研究

给出了高纯锗(HPGe)γ探测器面源效率随高度变化的经验函数,并提出了利用体标准源和遗传算法确定面源效率函数参数的方法.对已知双层模拟样品中的226Ra、232Th和40K进行了分析,结果与已知数据吻合,表明利用面源效率函数对其中放射性核素为一维非均匀分布的样品进行非破坏性分析是可行的.     

一套低本底反康普顿高纯锗γ谱仪研制过程中若干技术问题…

本文重点介绍了一套反康普顿低本底高纯锗（ＨＰＧｅ）γ谱仪研制过程中，针对遇到的一些技术问题所采取的解决方法和措施。主要包括屏蔽室的加工改造、主探头升降装置的设计、工作稳定性的改进、反符合系统的调试及谱仪刻度和样品测量等。谱仪主要技术指标为：能量分辨率ＦＷＨＭ＝１．７７ｋｅＶ（１３３２．５ｋｅＶ），峰康比６９４：１（６６２ｋｅＶ），康普顿积分抑制系数３．８（＾１３７Ｃｓ５０￣５９５ｋｅＶ），相对探测     

食品样品密度差异对HPGe γ谱仪测量结果的影响

样品与标准源质量密度往往不一致。添加等量的放射性核素~(232)Th,制备6个密度梯次分布的食品样品,用高纯锗(HPGe)γ谱仪对~(232)Th子体各谱线分别进行能谱分析,用全能峰面积净计数率比计算样品的相对自吸收校正系数。再用无源效率刻度软件Gammaclib对这6个密度样品进行建模仿真,拟合出各谱线效率,用效率比计算样品的相对自吸收校正系数。两种方法结果表明,食品样品与标准源的密度差异会对实验结果产生影响,需要进行自吸收校正。     

蒙特卡罗方法计算高纯锗γ谱仪对面源的探测效率和符合相加修正

本工作使用蒙特卡罗方法，借助于EGS4软件包，通过自编用户程序，研究γ谱仪对面源的效率刻度和符合相加修正。该程序在擦拭与气溶胶样品的实际测量中，可解决缺少标准效率刻度源问题，并使得符合相加修正计算简单实用。     

实验室高纯锗γ谱仪的“稳谱法”研究

“峰漂”是影响γ谱仪测量准确度的重要因素.文中详细介绍了“天然放射性核素特征峰稳谱法”,采用天然放射性核素K-40的特征峰识别“峰漂”,并使用该峰对谱仪进行矫正.该方法具有操作简单、识峰快捷、实时准确矫正等优点,适合于实验室工艺系统样品γ核素测量.     

用高纯锗γ谱仪和放射化学法分析环境样品中137Cs的对比研究

环境样品中¹³⁷Cs的分析方法主要有高纯锗γ能谱法和化学分离后进行β计数的放射化学法。本文对这两种方法的测定结果进行对比。结果表明,二者具有可比性,放射化学法探测限低,更灵敏;而高纯锗γ能谱法具有耗时短、回收率高的优点,这对于应急监测具有重要作用。     

伴生放射性铁矿中放射性核素的γ能谱测量影响因素研究

利用无源效率刻度软件Angle 3.0模拟分析了铁矿石组分、装样密度及装样高度对探测效率的影响,并用掺铁标准源进行了验证。结果表明,铁元素对低能区探测效率影响显著,在组分未知时,238U的测定采用1001 keV比63.3 keV好。装样时,装样高度保持一致。装样密度与探测效率呈线性关系,在样品与标准源密度不一致的情况下,可以通过密度修正计算效率。     

γ能谱法测量分析废包壳中铀和钚含量技术研究

核电站运行产生的乏燃料,在进行水法后处理时,通过剪切、溶解、共去污、分离、纯化等工序提取其中的铀、钚及其他核素。乏燃料组件经剪切溶解后,溶解液进入后续化工工艺进行处理,燃料元件棒的包壳则保留在溶解器中,称为废包壳,其是水法后处理工艺高放废物的主要来源之一,因设施运行中核材料生产过程的衡算与控制要求,以及废物处理处置的技术需要,需分析其中的铀和钚的含量。本文建立了γ能谱法间接分析废包壳中铀钚含量的方法,采用分段扫描的方式对包壳桶进行分层测量,分析了每层废包壳中¹³⁷Cs的含量,再利用经燃耗模型计算所得的¹³⁷Cs与核材料含量的比值,间接获得了铀和钚含量。该方法充分利用了核材料裂变的物理规律,建立了典型裂变产物与铀和钚含量之间的关系,并通过分段测量分析获得基础数据后间接获得铀和钚的含量,在废包壳测量分析、乏燃料组件燃耗测量分析中均可应用,可为设施运行、核材料衡算、废物管理等提供技术支撑。     

高纯锗γ谱仪对放射性标准土壤的探测效率刻度

通过测量放在样品盒内压实后8个不同高度的土壤标准物质，得到HGPe γ 谱仪的γ射线能量-效率曲线，并用蒙特卡罗程序MCNP进行相应计算，结果表明，实际测量值与蒙特卡罗方法计算值符合得较好。     

基于HPGeγ谱仪的土壤样品分析

使用宽能超低本底HPGeγ谱仪,分别采用无源效率刻度曲线法和相对测量比较法对土壤样品中226Ra、232Th、40K、238U的放射性活度进行了测量。通过对计算结果的对比分析得出:在150 keV以上的中高能区无源效率刻度方法与传统相对比较法对相同样品的测量分析结果具有很好的一致性,在无标准源可依或现场测量分析等情况下,无源效率刻度方法是一种比较理想的效率刻度方法。     

高纯锗探测器无源效率刻度的锗晶体尺寸自动调整方法

本发明涉及辐射测量技术领域,具体涉及一种用于高纯锗探测器无源效率刻度的锗晶体尺寸自动调整方法。该方法在一个测量位置处获得多个不同E能量的γ射线全能峰探测效率测量值,然后依据探测产品说明书中晶体的原始尺寸,进行蒙特卡罗模拟计算,获得相应的各E能量γ射线全能峰探测效率计算值;对效率计算值与测量值进行误差分析,通过蒙特卡罗计算获得当前晶体尺寸下,晶体尺寸T、R和L对E能量γ射线的效率影响公式;设定计算效率期望改变百分比,建立方程组,求解获得新晶体尺寸,如此循环得到最终结果。本发明可以自动、快速、准确地确定高纯锗晶体及其灵敏区尺寸,从而为高纯锗探测器实现快速蒙特卡罗无源效率刻度提供了有效保证。     

TeO_2晶体材料的纯度和低本底γ测量

CUORE是测量中微子质量和性质的实验装置,本文介绍我们在其探测单元生长过程中,控制其放射性污染的测量方法和技术,为控制污染所采取的具体方法和技术,包括本底的γ射线测量,原料所含的微量元素的纯度测量,γ射线的检测,以及为γ射线检测所进行的探测器的探测效率的实验和模拟计算。