FP-FLR结终端结构的模拟分析

用边界元素法开发成功了高压结终端通用模拟器ＢＲＥＡＫ,利用该软件对浮置金属场板与浮置场限环的复合终端结构进行了仿真计算,并与用ＴＭＡ ＭＥＤＩＣＩ４．０的仿真结果进行了比较,仿真结果与实验符合较好。     

一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析

绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)本身不具有反向阻断能力,因此在电路中通常与二极管组合使用。为降低使用成本,减小寄生电感,续流二极管与IGBT通过工艺集成在同一芯片上,由此提出了具有反向阻断能力的逆阻型IGBT。针对常规逆阻IGBT终端面积大的问题,提出了一种改进型复合终端结构,采用双掺杂场限环,在P型场限环旁边引入N型轻掺杂区。改进结构减小了耗尽区横向扩展速率,增强器件可靠性,节省终端面积占用并提高了终端效率。     

横向功率器件及其结终端保护技术

横向功率器件及其结终端保护技术ＬａｔｅｒａｌＰｏｗｅｒＤｅｖｉｃｅｓａｎｄＴｈｅｉｒＪｕｎｃｔｉｏｎＴｅｒｍｉｎａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ西安交通大学唐本奇高玉民罗晋生（西安７１００４９）１前言横向功率器件及其结终端保护技术的发展，并不完全等同...     

高压平面结终端结构参数的优化方法分析

对目前所采用的各种高压平面结终端结构的优化设计方法进行了分析比较，总结了其一般规律，给出了优化设计方法的流程图，并对终端结构的发展提出了自己的看法。     

特大功率晶闸管结终端技术对阻断电压的影响

在此通过计算机仿真方法对影响特大功率晶闸管阻断电压的结终端技术进行仿真分析,并对仿真结论进行试验验证,证实了具有双负斜角结构的特大功率晶闸管,其结终端技术的负斜角角度和造型深度对结终端空间电荷区的扩展和电场分布有重要影响,从而影响阻断电压。只有负斜角角度和造型深度都在优化值时,才能获得兼具高可靠性和高稳定性的晶闸管最高阻断电压。     

高压XLPE电缆户外终端密封性能研究

高压电缆户外终端密封不良会导致漏油或终端击穿故障,为了保证户外终端具有良好的密封性能,进行3个方面的理论设计和试验:上下法兰通过O形密封圈进行密封,为了防止密封圈接触空气老化,密封圈外部涂抹硅密封胶;密封部位的绝缘带通过绝缘带与绝缘油相容性试验选择;进行复合套管的内压力试验和品红溶液浸透试验证明其生产工艺和理论计算能保...     

锅炉结渣机理及防结渣技术措施研究

对锅炉结渣机理进行了探讨,提出了锅炉结渣机理方框图,并概括出了影响锅炉结渣的最重要的三个因素。对解决韶关发电厂２００ＭＷ锅炉结渣问题给出了应采取的技术措施。     

4 H-SiC PiN功率二极管dV/dt可靠性机理研究

碳化硅(SiC)功率开关高速和高功率的特点,使其在脉冲功率系统中面临着比硅(Si)器件更严苛的高dV/dt可靠性问题。实验发现高dV/dt应力会导致4H-SiC PiN功率二极管击穿特性永久退化。仿真结果表明：高dV/dt应力下器件终端区与主结交界处存在较强电场集中,致使雪崩提前发生,进而导致局部温度升高造成永久损伤。该电场集中是由于高dV/dt应力下（JTE）区耗尽不充分所致,提出对JTE区进行高浓度补偿掺杂来提高铝(Al)原子的电离率,进而改善脉冲应力下JTE耗尽不充分问题。仿真证明该方法可以有效降低脉冲应力下主结边缘处的电场集中,6×10²⁰ cm^–3的磷（P）原子补偿掺杂使得器件的抗dV/dt能力提升约30%,而静态特性不受影响。该研究为提升JTE终端SiC功率器件dV/dt可靠性提供了思路。     

电力移动收费终端技术研究

供电服务是电力行业追求的目标,电费收取过程是供电服务的主要环节和窗口。针对电力移动收费终端展开技术研究,结合网络通讯技术、应用软件技术等,创新电力收费方式,从电力移动收费终端采用的技术及其研究的背景、建设、应用、设计及功能等方面进行分析。     

基于HFCT局放测试技术的高压电缆终端失效检测方法研究

针对高压电缆终端因缺陷造成的运行失效问题,分析局部放电的机理,采用HFCT(高频电流传感器)的局放测试技术并结合交流变频谐振耐压的试验方式,设计了一种通过监测电缆终端在不同试验电压下的局部放电图谱,以确定电缆终端发生失效状态的检测方法。通过现场化的试验验证,有效地发现了高压电缆终端缺陷。应用该检测方法,解决了高压电缆工程竣工验收问题,可以在电缆终端竣工验收中有效地发现微小缺陷,对于提前判断高压电缆终端失效具有明显效果。可避免因终端失效造成的电缆运行故障甚至是终端头爆炸等事故。     

高压输电线路在线监测终端可靠性研究

根据云南电网监测终端测试组近三年来测试经验、技术研究及终端改进成果基础上,站在监测终端行业发展高度,对提高监测终端可靠运行能力进行了研究及总结,并经测试及挂网运行证明了其具有高可靠稳定运行能力。     

10 kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现

提出采用五区多重场限环FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,对比研究传统等间距场限环ES-FLRs(equally spaced field limiting rings)终端和五区多重场限环终端对器件击穿特性的影响。仿真结果表明,五区多重场限环终端具有更均衡的近表面电场分布,减缓电场集中,优化空间电荷区横向扩展,且击穿电压可达到14.5 kV,而等间距场限环终端击穿电压仅为7.5 kV。同时,分别对五区多重场限环终端,以及采用此终端结构的P沟道SiC IGBT进行流片验证。测试结果表明,五区多重场限环终端可以实现12.2 kV的击穿电压;P沟道SiC IGBT的击穿电压达到10 kV时,漏电流小于300 nA,并且栅源电压为-20 V,集电极正向电流为-10 A时,器件的正向导通压降为-8 V。     

掺杂层对非晶硅异质结太阳电池特性影响的研究

近非晶硅/单晶硅异质结太阳电池因其较大的技术优势而受到广泛关注,但由于器件结构较为复杂,引入了较多的界面缺陷,即使沉积的薄膜具备良好的光电特性,所制备出的器件也不一定有高的转换效率。通过对p型及n型非晶硅沉积层分别进行掺杂,根据实验结果,随着掺杂浓度的增加,非晶硅层的钝化质量逐渐降低,界面上缺陷态密度逐渐增加,且掺杂气体PH3比B2H6可更好地掺入到薄膜中。分别采用p型及n型非晶硅层制作成异质结太阳电池,通过电池特性参数可以推断出:当掺杂量足够高到可以产生足够的场效应来推动载流子运输,并且足够低到可以避免产生过多缺陷时,电池性能最佳。此外,研究还发现:n型非晶硅层更适合做电池背表面场,而p型非晶硅层更适合做电池正面。     

智能配变终端专用开关电源研究与设计

此处以智能配变终端专用开关电源作为研究对象,根据智能配变终端最新的标准要求,设计了一款专用高效率开关电源,该专用电源采用了基于填谷电路的无源功率因数校正技术和宽范围高压输入反激技术,同时针对智能配电终端严酷的输入过压测试,专用电源还额外增加了输入过压保护电路,保证了智能配变终端的稳定运行.这里通过理论分析以及实验测试,...     

管理终端接入信息的安全防护技术研究

为解决设备接入面临的各种威胁,需要在终端接入管理时采用有效的安全防护技术。文中对接入终端的统一安全管理进行研究,在设备接入网络架构中部署终端管理平台和安全防护设备,集成主流的网络安全技术,实现企业网络和业务的安全运维。     

高压电缆终端与GIS设备安装配合研究

在当前的变电站建设中,大截面电缆和小型化GIS设备的应用越来越多,GIS与电缆终端接口的施工安装矛盾也随之产生。通过深入调研当前110 kV及220 kV高压电缆终端与变电站内GIS设备配合的现实情况,提出了符合实际需求的设计、安装方案。