超深亚微米集成电路中的互连问题--低k介质与Cu的互连集成技术

半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战,其中Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一,也是互连集成技术的解决方案之一.在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上,重点介绍和评述了低k介质和Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等Cu互连集成技术之后的可能的新一代互连集成技术和未来互连技术的发展趋势给予了评述和展望.     

超深亚微米集成电路中的互连问题--低k介质与Cu的互连集成技术

半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战,其中Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一,也是互连集成技术的解决方案之一.在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上,重点介绍和评述了低k介质和Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等Cu互连集成技术之后的可能的新一代互连集成技术和未来互连技术的发展趋势给予了评述和展望.     

StarFabric技术综述

开关互连(Switched Fabric)技术将取代并行总线技术,成为新一代信号与信息处理机系统互连的解决方案.星型结构(StarFabric)是一种交换性能和可开发性较好的开关互连技术,用之可以较快地建立起以开关网络为中心架构的高性能信号与信息处理机系统平台.介绍了当前开关互连技术的发展现状;重点研究了StarFabric开关互连技术的互连协议、工作原理、技术特点和供开发的软硬件资源;对比分析了当前主流开关互连技术,并给出了星型结构技术的应用前景及其应用选择参考.     

局域网互连技术——网桥和路由器

随着局域网的普及，局域网互连已势在必行，特别是交换式局域网和ＡＴＭ交换网的出现，为局域网互连提出了新的课题。局域网互连技术包括中继器、网桥、路由器和同关。本文着重对网桥和路由器在局域网互连中的技术实现进行分析比较，并对局域网互连技术的发展进行探讨。     

网络互连

根据3~+LAN/X.25网及我军某系统互连研究的体会,概述网络互连的几个主要问题,即互连问题的提出背景、互连要求及应考虑的问题、互连技术途径、异种网互连设计原则和规程变换技术,最后列举了网络互连的四个典型例子。     

光互连技术及其在计算机中的应用

自１９８４年国际著名的光学专家Ｊ．Ｗ．Ｇｏｏｄｍａｎ提出在ＶＬＳＩ系统中采用光互连技术以来,光互连技术已经取得很大进展,并开始代替电互连对计算机性能的提高产生影响。光互连技术已被广泛地接受为改善通信瓶颈的一种有效方法,并正在大步地走向实用。随着微光学技术、光学材料、光电子器件技术和多芯片集成技术的发展,高密度两维光互连已成为现实,这为电子计算机发展新结构开辟了新的道路。 光互连的特性 光波的属性 互连是指短距离上的信号传递,在计算机中目前的互连方式主要是印制电路板上的微带和导线。与电互连的电流信号…     

VLSI／ULSI集成电路多层金属互连技术

随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如多层复合金属化体系、Ｃｕ等新型薄膜互连材料，ＴｉＮ在互连技术中的多种用途，新的介质薄膜材料及工艺、平坦化技术等。     

当今世界PCB生产中技术新进展(续)

4.高密度互连技术(HDI) 此处所说的互连技术是指PCB内层间的互连技术。因此PCB的互连技术可分为传统的孔化电镀技术、直接电镀技术和导电胶技术等。4.1 常规的孔化电镀技术 已有30多年的历史,目前全世界6000多家的PCB厂中采用常规的孔化电镀技术仍占     

计算机网络互连技术

本文首先指出进行计算机网络互连的必要性。之后,在论述国际标准化组织(ISO)的开放系统互连参考模型(OSI/RM)的基础上,介绍了标准化的网络互连技术的概念和作用,这些网络互连技术分别为中继器、桥接器、路由器、网关。     

铜互连布线及其镶嵌技术在深亚微米IC工艺中的应用

近几年来 ,随着 VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小 ,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术 ,受到人们的广泛关注。文中介绍了基本的铜互连布线技术 ,包括单、双镶嵌工艺 ,CMP工艺 ,低介电常数材料和阻挡层材料 ,及铜互连布线的可靠性问题     

薄膜高密度互连技术及其应用

高密度互连(HDI)基片在微电子集成技术中用来缩小尺寸、减轻重量和提高电气性能。薄膜技术是获得高密度互连的最佳技术。文章介绍了薄膜高密度互连技术的概念、特点、设计与工艺考虑,并指出其主要领域的应用情况。     

微透镜阵列和自由空间光互连

日本的RWC、欧洲的ESPITⅢ等，以计算机的高速化，并行化为目标的光互连应用研究正在积极进行中。光互连方式的研究也因通道数量而在波导型光互连和自由空间光互连方面分别进行。要想利用自由空间光互连进行大规模光交换和光运算的研究也很多。本文主要讨论实现自由空间光互连所需要的光学器件技术和集成组装技术。     

VLSI芯片制备中的多层互连新技术

在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括"Cu线 低k双大马士革"多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、"Cu 双大马士革 低k"技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键技术措施.     

网络互通互连技术研究

本文介绍了开放系统互连(OSI)的概念和基本原理。讨论了与OSI有关的一系列技术,包括协议分层技术、OSI推广应用的ISP技术和互连实现的网关技术。着重分析比较了国际上流行的OSI和TCP/IP两大协议在体系、特点和网络互连应用等方面的差异。     

Cu互连及其关键工艺技术研究现状

低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时.Cu因其具有比Al及Al合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力而成为新一代互连材料.论述了Cu互连技术的工艺过程及其研究发展现状.对Cu互连技术中的阻挡层材料、电化学镀Cu技术以及化学机械抛光技术等一系列关键工艺技术进行系统的分析和讨论.     

同质和异质纳米尺度材料互连的界面冶金及结合机理研究进展

纳米科技的快速发展对组装纳米结构单元并实现具有复杂功能系统的技术提出高的要求,而纳米材料的互连是这项技术的基础,也是纳米级产品集成的基础。本文综述了纳米连接领域的最新进展,特别是各种同质和异质纳米材料之间的互连机理。首先,介绍了纳米材料的互连概念,重点论述了在同质纳米材料烧结互连、冷焊互连、辐照互连以及液相环境中的纳米互连的行为过程和连接机理,涉及零维和一维纳米材料;其次,对金属-金属和金属-非金属两种异质纳米材料的互连机理及应用进行论述;最后,针对当前同质和异质纳米材料互连研究现状,指出纳米材料互连研究面临的挑战并分析其发展前景。     

MCM芯片安装互连及其相关技术

本文重点介绍了MCM芯片安装技术、三种基本的芯片互连技术(WB、TAB和FCB)、三种关键支撑技术(凸点制作、KGD、下填充)和微型凸点焊、ACA互连倒装、导电环氧互连倒装、无凸点微焊接等芯片装连新型技术途径。     

光电互连网络

超级计算机作为第三科研方法，得到了广泛的应用。本文通过对集成电路．光技术和MPP互连网络技术发展的分析，提出以光互连与电互连结合的三层互连网络实现MPP机互连，并对光互连网终实现作详细地描述。     

计算机光互连中的信息处理技术

本文介绍了计算机光互连的分类及特点。讨论了实现光互连的物理依据和光互连的主要技术指标。分析了光学空间光调制器互连结构中的信息处理技术,光纤互连网络中的信息处理技术。在光纤互连网络技术中介绍了本研究所已取得的处理器阵列中的并行光互连处理持极同群系统光互连链路的并行接口处理技术的部分成果。     

2008年，TSV3-D封装将步入正轨

根据2006年国际半导体技术蓝图（ITRS）介绍,由于槽和孔结构深度、形状的多样化,以及清洗和化学机械抛光（CMP）引起的减薄效应,使得互连成为下一代制造技术的一大核心挑战。ITRS还提到：“传统的互连线等比例缩减技术已经不能满足性能的要求。需要确定和寻找超越铜互连和低k技术的解决方案,将会需要加速的设计、封装方法以及新型互连技术。”