行回扫变压器最大输出功率测试原理及方法

当彩色电视机行回扫变压器在额定工作状态下工作时,在其初级线圈两端输入恒定直流电流,并且使电流方向与行回扫变压器供电电源提供的电流方向保持一致。逐惭增加恒定直流电流到达某一数值时,用示波器可以观察到行回扫变压器初级线圈电流在正向峰值附近出现非线性上升。以行回扫变压器正向峰值电流出现非线性上升临界点为标准,可得出行回扫变压器最大输出功率Pmax与电源电压Vo、电源电流Io、直流叠加电流I及行回扫变压器工作效率η的关系式为Pmax=ηVoIo TsTηVoI。     

高侧电流检测电路

图1所示精确的高侧电流检测电路没有像有些电路那样使用专用的隔离电源电压。它所选用的晶体管仅仅限制共模输入电压范围。该电路侧量一只小型电流敏感电阻器R_5两端的电压。整个电路是以Q_1和Q_2组成的高侧电流镜为中心来进行工作的。所有元器件都有一个总的功能,那就是使Q_1和Q_9的集电极电流相等。另一个使用Q_3的电流镜设定这两个集电极电流的数值。集电极电流=(V_(cc)-0.9)/(R_5+R_6)≈100μA。你最好通过分析由R_1、R_s、R_2、Q_(1B)(发射极一基极)和Q_(1A)(基极一发射极)组成的环路来计算电路的增益。如图1所示,I_s是高侧测量电流,I_1和I_2是Q_(1B)和Q_(1A)的镜电     

日光灯直流驱动器

本电路提供一种可用直流电源驱动大多数小型日光灯的方法。 初始时,Q1发射极驱动MOSFET Q2的栅极变高,使Q2导通。这时变压器初级线圈T1表现为一只电感,电流在电感中逐步斜升。当T1、Q2中通过的电流上升到0.62/R_s安培时(设计值约1A),Q3就导通。把Q1基极及Q4栅极电位拉向地电位,导致可编程单结晶体管Q4触发,这时Q4表现为一只可控硅并迅速驱动Q2的栅极为零。这时,存储在T1初级线圈中的能量便转向次级线圈,使日光灯受激。这时Q4仍维持原状,直至T1将其能量全部释放给日光灯为止。此时T1中产生的反向电流流回Q2的体二极     

新型低电压输出的线性稳压器LP2983

<正> LP2983是一种微功耗、输出低电压(≤1.2V)线性稳压器(输出固定电压有0.9、1.0V及1.2V三种),输出电流可达150mA。该器件主要特点:输出电压精度可达±1％;能接受高的峰值电流(峰值输出电流典型值250mA,短路电流典型值400mA);低功耗(在150mA输出时典型地电流I_(GND)=825μA;空载时I_(GND)=65μA);输入电压范围宽(2.2～16V);有过热、过流保护电路;工作结温范围-40～+125℃; 小尺寸SOT-23封装;有关闭控制,关闭状态时,耗电<2μA。 LP2983有A级及标准级两种输出精度标准(A级的初始精度为±1％,标准级初始精度为±1.5％)。A级精度用后缀AIM5,标准级用后缀IM5。另外,三种不同输出电压分别用后缀-0.9、-1.0及-1.2表示0.9、1.0V及1.2V。     

GaInAsP/InP DH激光器的温敏性

一、前言半导体激光器的阈值温度关系一般可表示为I_(th)(T)=I_(th)(T′)exp[(T-T′)/T_0] (1) 其中T_0为特征温度,表示激光器的阀值电流对温度的敏感性。GaAlAs/GaAs DH激光器在室温附近T_0≥120°K,而GaIn AsP/InP DH激光器在室温附近为50—70°K,当温度高于340°K时,T_0≈30°K。小     

GaAs-Al_2Ga_(1-x)As双异质结激光器的伏安特性

测量了77～300K 范围内 GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH 激光器的伏安特性。典型的正向特性曲线可用下式描写:I=I_1 I_2=I_(s_1)exp(AV) I_(s_1)exp(q/nkT V)A 和 n 是只与温度有微弱关系的参数。     

光电耦合器件在大信号AGC中的应用

小信号自动增益控制常采用改变晶体管直流工作点的方式来实现(见图1)。当信号增大时可使控制电压减小,管子直流I_c变小增益下降(反向AGC);或使控制电压增大,I_c增大增益下降(正向AGC)。以反向AGC为例,其输出随输入变化的曲线见图2。从图中可以看出管子的集电极电流取I_(c1)时比取I_(c2)时增益要大。     

脉冲气体激光器中等离子体参数的一个诊断方法与实验

本文提出了一种诊断等离子体参数的方法。首先,实测等离子体中杂质原子(例如HI)j→i能级跃迁谱线强度的时间轮廓I_(ji)(t)(测量值),然后,任意假设一个T_e(t)函数,可理论计算得到相应的I_(ji)(t)(计算值)。适当调整T_e(t),且由实测的某     

用改进的非线性电流源法分析微波振荡器的稳态响应

本文提出用改进的非线性电流源法和振荡器的振荡条件相结合,进行微波FET振荡器非线性分析的方法.非线性电流源法已经被证明为分析微波振荡器的一种行之有效的方法.但是,当电路中含有多维非线性元件时(例如FET中的I_(d5)(V_(g5),V_(d5)),以往的非线性电流源法就显得无能为力.在此,我们将对非线性电流源法进行改进,并将它运用到微波FET振荡器的非线性分析中.改进的非线性电流源法能够有效地处理含有多维非线性元件电路的分析问题,从而大大提高了非线性电流源法的分析能力和实用性,扩大了其应用范围.     

3DK20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制

本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。     

用两个晶体管代替隧道二极管

附图所示电路具有与隧道二极管相似的伏安特性,当电流I_k改变时,其峰值电流还可以在很宽的范围内变化.其具有负阻特性的解释如下:电流I_k由直流电源供给,设晶体管Q_1和Q_2相同,I_x等于I_k,V_(xy)等于V_(ky),由上述假设得到I_(B_1)和I_(B_2)相等.     

元器件与组件

小封装高电流肖特基二极管 ZHCS400肖特基二极管以SOD323形式封装,正向电流400mA时正向压降425mV。该二极管的平均电 流为1A,脉冲电流为6.75A,功耗250mW。 反向电压30V时反向漏电流为15μA,反向电流200μA的击穿电压为40V。(10000只时单价0.14美元,接     

保持自流消耗恒定的简单电路

有时候保持一个电子装置的总电流消耗恒定不变是有利的。例如,一个大型七段显示器吸收的电流,在各段均不导通时几乎为零,而在各段均导通时,则高达几百毫安。当一个装置通过很长的电缆由远处的电源供电时,如此大的电流变化可能会引起电磁干扰。图1所示电路可以使电流消耗保持恒定不变。IC_2是一个三端稳压器,它为负载R_2提供5V电压。IC_2吸收的总电流I_3=I_(LOAD)+I_4。(I_4是IC_2的静态电流,约为8mA。)IC_1是负三     

彩色多频同步显示器行激励级电路的倒推设计法 2

当加到行激励管基极的电压变为负阶跃时,Q_(401)由导通变为截止,切断了流经Q_(401)的回路电流。但变压器要维持磁通平衡,仍使初级电感线圈的电流方向不变,此时如果电路中没有阻尼电路R_(421)、C_(410),则电感线圈中的电流将与变压器的分布电容产生高频振荡,从而激起高压损坏激励管。由于存在阻尼电路,初级电流迅速经R_(421)向C_(410)。充电,使R_(421)上压降迅速增大超过电源电压V_(cc)(16.5V),在截止瞬间使V_(C401)由0.1V突升为+33V。于是,初级线圈的电压极性瞬间变为上负下正,它在次级线圈(1-2)和(2-3)感应出的电压极性也瞬间反转为上正下负,见图7c,因此,使行输出管发射结正偏而导通,产生正     

Vishay发布18款FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出18款采用TO-252AA(D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4～15 A的200 V和600 V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器。这些器件兼具极快的恢复时间、低正向压降和反向电荷,其中包括业界首个采用此种封装且正向电流大于10A的600V整流器。其发布的200 V整流器具有4 A、8 A和10 A的正向电流,600 V器件具有5 A、6 A、8 A、12 A和15 A正向电流。12 A电流的VS-12EWH06FNx-M3和15A电流的VS-15A WL06FNx-M3、VS-15EWL06FNx-M3、VS-15EWH06FNx-M3和VS-15EWX06FNx-M3在此类采用TO-252AA封装的器件当中具有最高的正向电流。4～6 A器件适用于照明应用(镇流器)中的缓冲二极管,8～15 A适用于电信和桌面电源中的PFC升压和输出二极管。由于具有高功率密度,Vishay的这些新款整流器可以取代这些应用中更大的SMD器件,例如采用TO-263AB(D2PAK)封装的整流器。     

X波段砷化镓场效应晶体管的可靠性和失效模式分析

本报告中所用符号的定义 S.F.M. 扫描电子显微镜(以下简称扫描电镜) 直流参数 I_(DSS)——饱和漏电流;源接地,在5伏漏偏压下常规测量。 g_m——跨导;漏电流随栅偏压的变化。 V_p——夹断电压;将漏电流减小到10微安所需的栅压。 V_(f1),V_(f2)——分别为0.1毫安和1毫安电流时的栅二极管正向电压。 BV_(RGS)——反偏压栅二极管击穿电压;将源和漏短路在一起,在10微     

数字显示晶体管大信号电流增益测量电路

使用晶体管时经常需要测量的参数是共发射极大信号正向电流传输比(即电流增益h_(FE))。因此,能否用一测试电路和数字频率计来测试这一参数值,看来是值得讨论的问题。然而要达到普遍适用,则辅助测试电路应当简单而价廉,必要时为经济起见,不能要求精度过高。 h_(FE)的测量 h_(FE)的精确定义是[(I_C—I_(CEO))/I_B],其中所有电流均是在某一固定集电板一发射极电压V_(CE)和某一规定的集电极电流I_C值时测出的。一种更实际     

电子断路器及其应用

断路器是一种过流保护装置,也是一种特殊的开关。它串接在电源与负载电路之间,检测负载电流I_(LOAD),当负载电流超过额定电流(阈值电流)或发生短路时,断路器快速动作切断电源使电路得以保护,如图1所示。     

新颖应用电路·实用电路集

图1所示的数字控制振荡器可用作开关电容滤波器的钟频信号源,而其价格不到1美元.工作时,节点A(施密特触发器倒相器IC_(2A)的输入端)的电压在滞后门限之间振荡.数/模转换器IC_1,通过控制进入引脚4(I_0)的电流(这一电流确定电容C_1的充电速率)调定振荡频率.     

电子稳压及稳流器(六)

三、直流稳压器的设计一般使用的稳压器,有固定式及可调式二种,前者主要供给某一电子仪器或设备所专用,其输出电压及电流基本上甚小变化;后者要求在相当大的范围内改变输出电压及电流,并能保持一定的稳定度. 关于设计稳压器的具体指标为:1.最大负载电流I_(OM)及最小负载电流I_(om)(这里角注M表示最大值,m表示最小值,以下同);2.最大输出电压E_(OM)及最小输出电压E_(om);3.输入电压E_i及其变化范围士δ%;