材料制备工艺

Y2002-63306-583 0309530金属有机汽相选择区域外延制备 InGaAsP/InP Mach-Zehnder 干涉仪光学放大器开关=Fabrication of In-GaAsP/InP Mach-Zehnder roterferometer optical amplifi-er switches by metalorganic vapor phase selective areaepitaxy[会,英]/Futakuchi,N.& Song,X.L.//2001IEEE Internanonal Conference on Indium Phosphide andRelated Materials.—583～586(E)     

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IELDVD060:9322:29630-53 0600555 电介质故障感应式晶体外延:超薄门电路电介质普遍的故障缺陷=Dielectric-breakdown-induced epitaxy:a universal breakdown defect in ultrathin gate dielectrics [会,英]／Ranjan,R．／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium on the．-53-56(A) 0600556 光电器件用BexZn1-xTe合金特性及分子束外延生长 =Molecular-beam epitaxy growth and properties of     

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0603408 共沉淀法制备MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg和Cu)厚膜的硫化物传感特性=Sulfide-sensing characteristics for MFe2O4(M=Zn,Cd,Mg and Cu)thick film prepared by co-precipitation method[刊,英]／C．Xiangfeng and Z． chenmou／／Electronics Letters．-2003,96(3)．-504-508(E)     

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0014476香草醛改性壳聚糖制备的研究[刊]/吴根//河北科技大学学报.—2000,21(2).—73～77(L)C_(60)与金刚石薄膜成核关系的研究(见0014215)sol-gel 法制备纳米碳化硅晶须的研究(见0014200)薄水铝石制备实验的改进(见0014194)     

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Y2002-63084-341 0212820硅与镀掺杂 MBE 生长 GaAs 中的补偿=Compensationin MBE-grown GaAs doped with silicon and beryllium     

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0608920沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响〔刊,中〕/申雁鸣//强激光与粒子束.—2005,17(12).—1812-1816(E)0608921超高压制备n型PbTe的性能与分析〔刊,中〕/张丽丽//电源技术.—2005,29(11).—758-761(D)0608922双核铜配合物[Cu2(Ophen)2]·2H2O(Hophen=2-羟基-1,10-啉菲咯啉)的水热合成和晶体结构〔刊,中〕/胡长文//北京理工大学学报.—2005,25(12).—1103-1105,1112(L)0608923超薄层Si OxNy栅介质薄膜的制备与研究进展〔刊,中〕/张弘//河北大学学报(自然科学版).—2005,25(6).—673-679(L)0608924阳极氧化工艺对氧化铝模板孔径的…     

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0314340三元石墨插层化合物的合成与表征[刊]/任慧//北京理工大学学报.—2003,23(2).—248～251(L)0314341新型脱除 SO_2催化剂的研究[刊]/陈实//北京理工大学学报.—2003,23(2).—245～247,259(L)     

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Y2002-63209-52 0312060采用非选择外延的高性能0.25μm SiGe和SiGe:CHBT(学生论文)=High performance 0.25μm SiGe andSiGe:C HBTs using non-selective epitexy(student pa-     

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0622971两亲性聚乳酸嵌段共聚物的制备受性能研究[刊,中]/刘健//北京化工大学学报(自然科学版)．—2006,33 (3)．—52-55(C) 0622972 TiO_2/SiO_2复合粉体的制备及催化性能的研究[刊,中]/封娜//合肥工业大学学报(自然科学版)．—2006,29(6)．—651-654(C) 0622973从高铅碲渣中浸出碲的热力学分析及实验[刊,中]/马玉天//中南大学学报(自然科学版)．—2006,37(3)．—498-504(L) 0622974高纯纳米α-Fe_2O_3粉体的制备及表征[刊,中]/阳征会//中南大学学报(自然科学版)．—2006,37(3)．—487- 492(L) 0622975具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备[刊,中]/盖红星//功能材料与器件学报．—2006,12(3)．—207-210(G)应用金属有机化合物气相演积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR。三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有     

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0217413纳米 ZnO 薄膜制备及液态源掺杂[刊]/李健//真空科学与技术学报.—2002,22(2).—149～152(L) 0217414各向异性胶体基底表面的分形凝聚体[刊]/钱昌吉//真空科学与技术学报.—2002,22(2).—107～111(L)对各向异性胶体基底表面的分枝状金原子凝聚体的生长机制进行了研究。沉积在无规杂质区域的熔融玻璃表面的金原子先形成网状结构的薄膜,然后逐渐演变成分枝状凝聚体。根据这一实验结果,建立了各     

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0319792采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶体GaN[刊]/邵庆辉//真空科学与技术.—2003,23(2).—120～122(L)随着多晶 GaN 材料发光研究的不断深入,大面积、价格低廉的多晶 GaN 基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以共自身特有的优势,成为生长多晶 GaN 材料的较为理想的衬     

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0620004国外铁基复合材料的发展及应用[刊,中]／高跃岗／／合肥工业大学学报(自然科学版)．-2006,29(4)．-431- 436(C)铁基复合材料的制备和应用是提高钢铁材料性能的重要研究方向。文章按照时间顺序总结了国外铁基复合材料的发展和应用状况,详述了粉末冶金法、高温自蔓延烧结法、铸造法及铸渗法工艺的发展历史及其适用的增强体、基体材料和应用范围。参34     

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9913221Zn:Fe:LiNbO_3晶体的生长及位相共轭效应的研究[刊]/徐衍岭//压电与声光.—1999,21(2).—127～130(L)在 LiNbO_3中掺进 ZnO 和 Fe_2O_3生长出 Zn:Fe:     

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9904617横向固相外延生长及其影响因素的研究[刊]/罗南林 //半导体技术.—1998,23(5).—51～53(DC)9904618SiC 晶体生长和应用[刊]/邓志杰//半导体技术.—1998,23(5).—13～17(DC)     

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9915150应用于 EEPROM 的超薄 SiO_2 TDDB 特性的研究[刊]/薛刚//微电子学.—1999,29(3).—187～189,199(A)MM-HEMT 材料的分子束外延生长研究(见9915085)ZnO 薄膜的 MBE 制备与结构分析(见9914896)P-Si(111)上溅射生长 ZnO 薄膜的结构特性(见9914892)     

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Y2000-62422-108 0103751用于单栅极和双栅极 MOS 场效应晶体管的选择外延生长多层绝缘体上硅岛技术=Multi-layer SOI islandtechnology by selective epitaxial growth for single-gateand double-gate MOSFETs[会,英]/Pae,S.& Denton,     

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Y98-61403-1 9907398Skutterudite 晶体结构工艺的改进=Skutterudites:anupdate[会,英]/Fleurial,J.-P.& Caillat,T.//199716th International Conference on Thermoelectrics.—1～11(AG)     

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Y2000-62067-112 0009386三族氮化物在 MOVPE 系统中的生长特性=Propertiesof Group Ⅲ Nitrides grown in production type MOVPEsystems[会,英]/Protzmann,H.& Schoen,O.//1998IEEE International Conference on Optoelectronic and Mi-croelectronic Materials and Devices.—112～115(EC)     

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Y2000-62068-3 0005790晶体生长(收录论文7篇)=Ⅰ:crystal growth[会,英]//1998 IEEE Semiconducting and Insulating Materi-als Conference.—3～36(UC)收入本部分的论文题目有:GaN 晶体的高压溶液生长及其物理特性,利用高温汽相外延生长 GaN 和AlGaN 的方法,半绝缘砷化镓圆片的高分辨率 EL2和     

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9917146新型a一S;:H三脉冲准分子激光晶化法的研究〔刊〕/昊春亚刀电子学报.一1999,27(7)一79一81(A)多晶材料晶粒生长的Monte Carlo计算机模拟方法:模拟正常晶粒生长(见9917901)多晶材料晶粒生长的Monte Carlo计算机模拟方法:模拟异常晶粒生长(见9917900)zn:Fe:LINbO;晶体外泵浦位相共扼激光器(见9917041)自蔓延高温合成法制备陶瓷内衬管(见9916998)硅外延S坑缺陷的研究(见9916740)m族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析(2)(见9916736)材料制备工艺~~…