离子辅助淀积介质保护膜

热蒸发或溅射制得的光学透明介质膜,由于它的渗透和不稳定,使其在许多应用上受到限制。本文报导了由离子束辅助淀积的介质保护膜,与通常淀积技术制得的薄膜相比具有相当大的改进。这一结论能用离子辅助淀积薄膜的填充密度比通常蒸镀方法获得的松散柱状微细结构膜层的填充密度大来解释。另外,金属膜层用离子轰击获得相当稳定的结构,并大大改善了膜层的附着力。基底表面的光洁度影响了这些膜层的抗化学腐蚀能力。     

离子辅助淀积技术及其在光学薄膜中的应用

本文介绍了离子辅助淀积技术中用的离子枪结构、特点以及在塑料透镜上镀氟化镁、各种氧化物材料及多层膜过程中应用离子辅助淀积技术获得优质的薄膜。     

离子辅助淀积防护介质膜

实验淀积膜所用设备的结构图示于图1。由扩散泵浦真空系统产生的基本压力为10~(-4)Pa。用电子束蒸发器淀积薄膜。25mm直径BK7抛光玻璃试验衬底装在蒸发料源上方420mm处,可用Kanfman离子枪以34°入射再辐照。膜淀积的光学控制是由透射或反射光完成。采用离子束进行辅助淀积的所有试样,所用氩离子能量为700eV,离子束电流密度为150mAm(-2)(像法拉弟帽所测的那样)。并设想将离子束能量或电流最佳化。通过淀积光透过率约为5％的对溶剂灵敏的银和铝膜来制备试样(这透过率对     

离子辅助镀膜技术及其应用

离子辅助淀积技术对于改进光学薄膜的性质、改善薄膜的微结构、应力状态与表面形貌具有良好效果,从而得到许多具有新机能的薄膜。本文讲述丁离子辅助镀膜的实验装置,说明了使用此工艺镀制ZrO_2,薄膜样品的参数,并给出了光学特性测量、牢固度测量、表面形貌与划痕的实验结果。     

中红外薄膜的离子辅助淀积

本文研究了用离子束辅助淀积的中红外ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＹｂＦ３，ＢａＦ２，ＢａＦ２＋ＣａＦ２（６：４）膜在３．８μｍ波长处光学特履和其它性能，用透射电镜和光电子能谱仪研究了这些单层膜微结构和化学计量比。实验发现离子束辅助淀积膜层填充密度增加，附着力增强，机械强和环境稳定性得到明显改善。用离子束辅助淀积的中红外反射膜在３．８μｍ波长反射率大于０．９９４。     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型.该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期.模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程.     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在 U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 .该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响 ,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下 ,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期 .模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合 ,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程 .     

离子辅助淀积光学薄膜:低能和高能离子的轰击

研究了在光学元件上的氧离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜层与离子能量(30-500电子伏特)和离子流密度(0-300微安/厘米~2)的关系。证实了低能和高能离子轰击场能改善SiO_2膜的化学配比,而在低能情况其改善略为大些。对于TiO_2膜,低能轰击能改善化学配比,而高能轰击反而导致明显不利。在高能离子辅助淀积的SiO_2薄膜中氢含量减少到1/10。在低温基片上(50-100℃)制备了牢固的膜层。讨论了膜层的内应力特性。     

用于光学涂层的离子辅助反应淀积工艺

主要介绍几种离子化制备薄膜的方法，其目的是评述用于制备低损耗光学涂层的低能反应工艺和等离子体工艺的优劣。     

离子束辅助淀积薄膜

本文叙述了淀积薄膜时助以离子轰击的电子束蒸镀工艺对薄膜特性的某些影响。薄膜置于潮湿大气中,由于吸潮性的减低,而使SiO_2、TiO_2和ZrO_2薄膜的填充密度明显增加。在ZrO_2-SiO_2多层干涉滤光片中,其峰值透过率波长的变化,从不用离子辅助所淀积膜的8毫微米减到用离子束辅助淀积膜的不到1毫微米。     

走向工业应用的离子辅助光学镀膜技术

介绍一种新型等离子体辅助镀膜技术,使用该技术可使高质量的光学镀膜大量生产。该技术核心是无栅等离子体源（ＧＩＳ）。ＧＩＳ可以产生大面积的均匀等离子体。直径大于１０００ｍｍ。等离子体离子流强度高达０．５ｍＡ／ｃｍ＾２,离子流能量２０－２００ｅＶ,并能激活反应气体Ｏ２及蒸发原子,用ＧＩＳ进行的等离子体离子辅助镀膜这一技术,现正用于生产高质量的光学薄膜。     

薄膜的离子束辅助淀积

本文报导一些介质膜在电子枪源蒸发过程中用离子轰击后光学特性的变化,目的是提高膜的聚集密度,从而减小其对潮气的吸附,以便提高其稳定性。     

离子辅助淀积SiO_2和TiO_2膜的特性

用同Ebert研制成的类似的氧离子源研究了SiO_2和TiO_2膜的反应淀积。这离子源通过直流气体放电产生负氧离子,然后用石墨出孔把锥形负离子束引向衬底。此源在400V放电电压下产生1.26mA的离子流。淀积所用原料是由电阻加热舟蒸发的SiO和TiO。测得TiO_2膜的光学常数表明,提高离子流就降低了膜的吸收常数,提高了膜的折射率。借助红外衰减全反射率测量研究SiO_2膜的化学配比、潮气含量及悬挂键。这些测量指出,离子流提高时,SiO_2膜的化学配比接近SiO_2。     

在锗基底上采用离子辅助淀积的宽带减反射膜

在220℃温度的锗基底上,采用或未采用离子辅助淀积片镀制了五种宽带减反射膜.在这些膜上进行1.06μm波长、0.1μm脉冲的激光损伤阈值的测量.在氩离子轰击下淀积的锗膜显示出较高的激光损伤阈值,所以,锗基底上的减反射膜具有更强的牢固度.     

离子镀膜技术

离子镀膜的术语是D.M.Mattox在1964年发表论文时最初使用的,这种技术比用湿式镀膜法所获得的膜有更好的耐热性及耐蚀性.因此这种镀膜的概念给人们留下了极深刻的印象,这种技术就是在气体放电中进行蒸发,它的基础在于真空技术.以前的真空蒸发是以求出真空室内的真空度,基片表面的清净度,基片温度,基片表面的晶体结构与蒸发膜的结晶性的关系的外延问题作为主要研究对象,而在离子镀膜     

离子镀膜技术

与热扩散、外延晶体生长或电镀、电解研磨,化学腐蚀等热反应和化学反应的方法相比,先使元素和化合物离化然后在真空或低压范围内加以利用的方法正受到重视,这是一种物理的方法,包括离子注入、溅射、离子镀膜、离子腐蚀等于式工艺。离化的目的有的在于利用负电压加速使离子增加动能,有的在于由于离化使物质化学活泼性增加而容易发生化学反应。可以说,利用上述之中一个效应或同时利用两个效应,都能有效运用物体本身的性质。     

87D淀积技术

87D1 复合栅离子源的性能测试及进一步探讨陈兴一季一勤(航天部8358所) 离子源主要性能指标为:外型尺寸、工作真空度、有效束径、束流密度、束流不均匀度、束流能量、束入射角,连续工作时间。电源系统主要技术指标包括阳极电源、灯丝电源、栅极电源、中和器电源、耦合电源等。测试离子源性能时,距离子源枪口150mm垂直于轴线的平面上,放置φ1.2cm的法拉第检测筒。该筒沿平面作径向移动,在10kΩ电阻两端用DT-890型数字型万用表测量离子流通过     

不同能量的离子束辅助淀积的光学薄膜

本文以TiO_2薄膜为例,研究并分析了不同能量的离子束辅助淀积的薄膜的光学性能、激光破坏阈值及微结构。