用CCWT方法确定少子的体产生寿命及表面产生速度

在MOS由非平衡深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷是恒定的,则空间电荷区宽度的瞬态特性W(t)将提供少子的体产生寿命τ及表面产生速度S的信息;用指数衰减函数比较法可以直接由W-t曲线确定τ、S,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序.     

半导体薄片少子寿命和表面复合速度的计算方法

用光电导衰退法测量半导体薄片的少子寿命时,由于表面复合的影响,通常从光照后少子衰退曲线中算得的表观寿命与实际的体寿命是相差很大的.本文给出了少子扩散方程的一种解法,计算表明,少子光电导衰退曲线用本方法解出的一次模和二次模的叠加来表示已是足够了.可以利用算得的一次模、二次模表达式从少子衰退曲线中算出表面复合速度和少子体寿命,其计算方法是比较方便的.本文还给出了一些实验和计算结果.     

脉冲MOS结构少子产生寿命的统一表征

本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的思想，应用关以样原理获得脉冲ＭＯＳ结构瞬态电容差值谱，从谱图中我们可以直接得到关于少子产生寿命信息。本文综合了众多脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的物理模型，分析了不同模型之间的精细差别。     

离子注入MOS有效少子产生寿命空间分布的确定

本文讨论了深耗尽MOS电容器的少子产生机构,提出测量有效少子产生寿命空间分布的方法。对低剂量注B的样品进行了测量,结果表明注入层比体内的有效少子产生寿命低,从Si-SiO_2界面到体内,有效少子产生寿命逐渐增大,最后到达注入离子没有穿透的体区,保持一常数。     

非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量

本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了三角波C-V技术测量非均匀掺杂MOs电容少子产生寿命的方法.该方法简单、且不需知道衬底的掺杂分布.     

用MOS电容瞬态电流-电容法直接测定少数载流子的体产生寿命分布和表面产生速度

本文提出了一种灵敏方便的MOS电容瞬态电流-电容法,即I-C法,应用它可直接从MOS电容相关的瞬态电流I-t和瞬态电容C-t曲线方便地测定出耗尽层中少数载流子的体产生寿命分布τ_g(x_d)和表面产生速度S_g等参数.文中导出和分析了MOS结构较普遍的瞬态电荷、电流和电容方程,以及界面态密度N_(ss)(E_s)、寿命τ_g(x_d)和(τ|-)_g(x_d)、S_g的计算公式.从τ_g分布的测定结果可见,MOS结构中在约3μm宽的界面层内,从体内向界面τ_g明显下降.     

非饱和C-t法确定体产生寿命和表面产生速度

本文在分析线性扫描电压下MOS电容的C-t瞬态响应基础上,提出了一种直接由测量得到的非饱和C-t曲线确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法尤其适用于长寿命测量.所测结果与阶跃电压法和饱和电容法相符.     

饱和电容法快速确定体产生寿命和表面产生速度

本文分析了线性电压扫描下MOS电容的C-t瞬态响应,在此基础上,发展了一种快速确定体产生寿命和表面产生速度的新方法.该方法实验手续和计算均较简单,适于在需要确定很多样品的体产生寿命和表面产生速度场合下应用.     

量值恒定的表面光电压法测量半导体少子扩散长度的研究

为了在保持材料完整性的基础上,对单晶硅材料的质量进行评价,设计了一种利用表面光电压测量半导体少子扩散长度的系统.系统采用斩波器、单色仪和锁相放大器来获取半导体表面光电压信息,利用表面光电压与材料的光吸收系数的关系得出半导体少子扩散长度,重点阐述了系统的测量原理及各个模块的设计与实现方法.检测结果表明,量值恒定的表面光电压法用于测量半导体少子扩散长度能达到预期的效果.     

由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度

本文指出由MOS结构栅电流和高频电容对线性电压扫描的瞬态响应,可同时测定产生寿命和表面产生速度.对一些样品进行了测试,并与饱和电容法和 dC/dV法作了比较.     

用微波光电导谱研究半导体薄片的少子扩散长度和表面复合速度

当半导体薄片同时受到微波和光照射时,通过样品的微波传输系数与光的波长有关,当光的波长连续地变化时,微波传输系数也连续地变化。本文分析了在半导体薄片中的少子扩散长度、少子寿命及表面复合速度与上述微波传输系数的变化△T之间的关系,并通过测量半导体薄片的微波光电导谱计算这些参数。研究表明,可以从微波光电导谱中的△T的峰值位置直接算出少子扩散长度。这是一种无接触、无损伤的快速测试方法,测试区域是直径为3mm的一个圆斑,样品可以在测试台上自由移动。本方法的测试结果与其它方法所得的结果是较为一致的。     

由MOS电容瞬态技术确定表面层内少子产生寿命的纵向分布

本文分析了现有确定表面层内少子产生寿命分布方法的缺点.根据MOS电容对阶跃电压和线性扫描电压瞬态响应物理过程,导出了两个关于少子寿命纵向分布的表达式.由此提出了两种确定少于产生寿命纵向分布的新方法.对一些样品进行了测量和计算.结果表明,与瞬态电流-电容法(I-C法)相比,瞬态电容法(C-t法)测试简单、精度较高;而饱和电容法(C_(St)法)计算方便.它们均可用来确定硅中少子体产生寿命在表面层内的纵向分布.     

由MOS电容瞬态技术确定表面层内少子产生寿命的纵向分布

本文分析了现有确定表面层内少子产生寿命分布方法的缺点。根据MOS电容对阶跃电压和线性扫描电压瞬态响应物理过程,导出了两个关于少子寿命纵向分布的表达式。由此提出了两种确定少子产生寿命纵向分布的新方法。对一些样品进行了测量和计算。结果表明,与瞬态电流—电容法(I—C法)相比,瞬态电容法(C—t法)测试简单、精度较高;而饱和电容法(C_(St)法)计算方便。它们均可用来确定硅中少子体产生寿命在表面层内的纵向分布。     

少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究

研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。     

有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的解及应用

本文给出了有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的一种新解法。数值计算结果表明,薄片的少子光电导衰退曲线可以用这种解的一次模和二次模之和来表示。可以使用这些结果讨论一些薄片的少子寿命和表面复合速度。     

半导体少子产生区宽度线性模型的研究

基于对半导体表面产生区宽度特点的分析，提出了与表面空间电荷区宽度呈线性关系的产生区宽度新模型。该模型形式简单，精度较高。数理统计分析结果表明，该线性模型是合理的。     

测试温度对硅少子产生寿命的影响

在硅集成电路工艺中可采用吸杂工艺来改善器件性能,而应用MOSC-t方法测试的少子产生寿命是反映吸杂工艺效果的重要参数,因此,准确地测定该项参数具有十分重要的意义.实验表明,测试温度对少子产生寿命影响甚大.为此,有的实验室规定在某一温度下测试,有的仅以c-t曲线的弛豫时间作为相对度量.不言而喻,这些做法都存在一定的缺点.本文经过对测试过程的深入分析,认定测试温度对少子产生寿命的影响来源于温度对硅中本征载流子浓度的影响.通过对不同少子产生寿命样品的测试,验证了上述分析的正确性.     

用MOS—C瞬态C—t特性求解少子寿命的几种方法

通过观测MOS电容由深耗尽到反型层的形成过程,可以测量少数载流子的寿命.其方法就是在MOS电容的栅极上加上足能使表面反型的阶梯电压.起初,多数载流子在半导体表面处于非平衡的深耗尽状态,随后,耗尽层内将产生电子空穴对.在电场的作用下,多于向体     

用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命

本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时间瞬态曲线,可确定样品中少于产生寿命。实验表明,对于同一个MOS电容样品,不同电压扫描率下得到的结果有很好的一致性,且与饱和电容法的结果相符合。