半导体工业用干蚀刻气—CF_4

近年来,国外在集成电路生产过程中已广泛采用了等离子干蚀刻工艺。这主要是由于以往使用的湿蚀刻法存在以下问题:(1)在高温下酸会使光致抗蚀剂剥离;(2)由于各向同性腐蚀而引起钻蚀;(3)随着条宽接近亚微米,腐蚀液将因表面张力作用在光致抗蚀剂之间形成跨接,以致无法进行蚀刻等。而干蚀刻法存在以下优点:(1)一般干蚀刻气体与     

国外光致抗蚀剂(光刻胶)概况

一、光致抗蚀剂(光刻胶)概况现代光致抗蚀剂开始于本世纪五十年代初期。美国柯达公司首先引进了聚乙烯醇肉桂酸酯的生产工艺,其产品以KPR商品名称供应市场。这种性能较好的光致抗蚀剂引入到电子工业,导致了电子工业的巨大革新和日新月异的发展。现在整个微电子工业中,各种半导体器件和集成电路都是采用光致抗蚀剂制造的。     

自显影光致抗蚀剂

美国桑迪亚国家实验室开发了一种自显影光致抗蚀剂——聚硅烷共聚物。该共聚物在紫外线(波长2,500■)下光解和挥发。当在表面上涂敷聚硅烷膜,并用紫外线照射膜上的图案时,膜的遮光部分保留,曝光部分除去,得到正图像。使用它可简便而迅速地生产亚微米线宽和更高解像率的超大规模集成电路。聚硅烷抗蚀剂的热稳定性、化学稳     

日本各公司竞相开发半导体用正型光致抗蚀剂

半导体用光致抗蚀剂正处于由负型向正型的转变之中,以迎接超大规模集成电路时代的到来。在正式的超大规模集成电路制品256K 随机存取存储器的批量生产同时,各公司在光致抗蚀剂的供应方面竞争激烈。目前以64K 随机存取存储器(RAM)为中心的正型抗蚀剂的市场占有率为东京应化工业和     

光致抗蚀剂的干式显影工艺

东京应化工业公司在千叶大学药学部津田穰助教授的协助下,开发成功了完全不用显影液等药物进行的光致抗蚀剂(感光树脂)的干式显影工艺,年内将正式出售成套装置。印制集成电路和大规模集成电路用的感光树脂的干式显影达到商品化,这在世界上还是首次。光致抗蚀剂有正负两种类型,它同照相一样,是用湿式显影方式处理的。但因负型抗蚀     

光致抗蚀剂材料的研制动态

制造集成电路和大规模集成电路的工艺方法,就是把光致抗蚀剂涂敷在基片上,在它的上面按照图形照射以紫外光,然后显影成象。这就是所谓的光刻技术。近几年来,集成电路的容量越来越大。密集程度也越来越高,在一个集成电路片芯(chip)内的元件数每年以1.5～2倍的比例增加,而图形尺寸则以每年10～     

日本东洋曹达公司研制出超大规模集成电路用的负型光刻胶

东洋曹达工业公司研制成功了具有高感光度、高解像力、耐干腐性的,供超大规模集成电路用的负型光致抗蚀剂,从81年3月份起以(?)的商品牌号销售。该抗蚀剂是以聚苯乙烯为主要成份合成的,化学名为聚氯甲基苯乙烯。为了获得高解像力,光致抗蚀剂的原材料必需使用分子量分布极窄的聚合物。另     

国外电子气体供气系统洁净技术

电子气体是发展大规模、超大规模和兆位级集成电路必不可少的材料。目前国外256K DRAM(动态存取存储器)已进入成熟期,1兆位DRAM进入全盛期,4兆位DRAM已正式销售,1987年首先由日本开发成功16兆位DRAM。为适应IC(集成电路)发展对材料的需求,国外许多特种气体公司先后开发出电子级、超大规模集成电路级(VLSI)和兆位级电子气体。线宽进入亚微米级后,尘埃、金属粒子污染问题更为人们所关注。本文简介粒子污染及其洁净技术的进展。一、尘埃和金属粒子源及其对半导体器件质量的影响在用于制造半导体器件的气体中,如存     

喷砂-阳极氧化法构建分形超疏水Ti6Al4V表面及性能研究

主要采用喷砂-阳极氧化法在Ti6Al4V钛合金表面构建微纳二级复合结构,使用低表面能物质FAS-17(十七氟硅烷)修饰后可获得超疏水表面。结果显示,喷砂形成的微米级凸台与阳极氧化形成的纳米管复合结构表面的液滴接触角达到了159.8°。在空气中放置30d后,仍然具有优异的超疏水性能,并具有一定的耐盐水性能。     

中子嬗变掺杂直拉硅的一些问题

一、引言近十几年来,半导体集成电路(IC)已从中小规模跨入了大规模(LSI)时代,并正迅速向超大规模(VLSI)、超超大规模(ULSI)推进。目前已有1兆位VLSI产品。器件的迅速发展也就要求其衬底单晶硅在所有质量参数上和加工工艺技术上必须迅速提高,否则就要限制集成电路的发展。在单晶硅生长过程中,由于生长条件的制约,晶体的电阻率分布总是不均匀的,在电路工艺技术进入亚微米、微米级时代,这种衬底的不均匀性会直接影响IC     

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（<0.5μm）和亚四分之一微米级（<0.25μm）发展,对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高,研究上述材料中各种杂质的行为,控制缺陷类型及数量,提高晶体完整性,降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为,点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法,硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势,展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。     

MEMS微电子机械传感器的原理与应用

MEMS是Micro-Machined Electro Mechanical Sensor既微机电机械传感器的简称。它是一种微米级的类似于集成电路的装置和工具，现己应用与工业、汽车、国防、生命科学和日常生活。MEMS技术是从早期的汽车轮胎压力传感器到为开发气囊而进行的汽车撞毁试验以及航空电子等大冲击量检测设备而逐渐发展而来的。     

高纯气配管内壁的超平滑化

神户制钢所开发了一种内壁非常平滑的不锈钢管(细管)。管内壁的粗糙度(凹凸状况)不超过0.1微米比过去产品的平滑度提高10倍以上。作为16兆位级的下一代大规模集成电路生产线的高纯气配管用,可发挥巨大作用。     

JK—1型半自动接近式光刻机对准台的研制

集成电路的光刻除首次光刻不需要对准外,以后每次光刻都要求掩模图形与前一次光刻在硅片上的图形精确对准。对准时既要防止掩模与硅片之间的接触损伤和磨损掩模,又只允许亚微米级的对准误差。这就要     

用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械

报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械，动件和固定件同时制作。要求的掩模数减到最少。同现有的牺牲层材料相比，光致抗蚀剂作牺牲层材料具有一些优越性。首先，光致抗蚀剂能直接涂敷，能直接光刻成形。此外，用光致抗蚀剂作牺牲层材料不影响结构的厚度和材料的选择。工艺优化后，结构洁净度、固定件与基片的结合强度及牺牲层去除速度都得到了改善。     

将MEMS传感器用于各种创新的消费类电子产品设计

MEMS即微机电系统，是利用微米级立体结构实现感应和执行功能的一项关键技术。其中，微米级立体结构是利用被称为“微加工”的特殊工艺实现的微米大小的立体机械结构。     

几种高分子系列材料的动向

日本《化学工业日报》1987年3月26日报导了高分子系列材料的一些新动向,其中包括导电胶粘剂、感光性树脂、聚合物粉体、电器和医疗材料用的超微粒材料、封装材料、液晶聚合物、导电高分子材料、高分子分离膜等,现择其部分内容介绍如下。一、感光性树脂光致抗蚀剂是制造集成电路不可缺少的,有正型和负型两种类型。在环化橡胶中掺入双叠氮化合物的负型光致抗蚀剂对紫外线反应灵敏,同硅片的粘合性优异,特别是同正型相比,价格极其便     

微米级和亚微米级Ti(C,N)基金属陶瓷的组织和性能

对用微米级和亚微米级基金属陶瓷的显微组织和性能进行了研究,发现这两类金属陶瓷的显微组织均由三部分组成：芯部为黑色,具有明显包覆层的陶瓷颗粒,芯部为白色,包覆层不明显的陶瓷颗粒和粘结相,但对于亚微米级的金属陶瓷,其芯部为白色的陶瓷颗粒的数目要比微米级的金属陶瓷多,其断裂韧略有下降,但其抗弯强度高高出许多,另外通过EDA和X射线衍射分析,得到了这两类金属陶瓷显微组织的形成机制。     

国内外集成电路光刻胶研究进展

<正>光刻胶又名"光致抗蚀剂",是一种在紫外光等光照或辐射下,其溶解度会发生变化的薄膜材料。光刻胶的配方较为复杂,通常由增感剂、溶剂、感光树脂以及多种添加剂成分构成[1],是集成电路制造的关键基础材料之一,是光刻技术中涉及到最关键的功能性化学材料[2],广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及半导体分立器件的微细加工等过程[3]。光刻胶分为光     

膜层热胀系数测量系统

简要介绍一种膜层热胀系数测量系统，它由测试主机及电控系统组成，该测量系统主要用于材料表面微米级及亚微米级膜层热胀系数测定以及其它有关膜层的热膨胀研究。